Оперативная память

1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 800 МГц (HYMP125S64CP8-S6)

Модуль памяти DDR2 2GB 667 MHz Hynix (HYMP125U64CP8-Y5) 667 MHz, PC2-5300, CL5, 1 планка

Модуль памяти Micron Crucial DDR2 2Gb (1х2Gb) 667MHz (CT25664AA667) - DDR2; 2 Гб; 1х2 Гб; 667 МГц (5330 Мб/с); CL5; 1.8 В.

Пам'ять SAMSUNG 2GB SO-DIMM DDR2 667 MHz (M470T5663QZ3-CE6)

Память Micron 2GB SO-Dimm DDR2 667 MHz (MT16HTF25664HY-667E1)

ATRIA UAT31600CL11K1/4 модуль пам'яті 4Gb DDR3 1600MHz UAT31600CL11K1/4 (UAT31600CL11K1/4)

ATRIA UAT31600CL11SK1/4 модуль пам'яті 4Gb DDR3 1600MHz sodimm UAT31600CL11SK1/4 (UAT31600CL11SK1/4)

ATRIA UAT31600CL11SLK1/4 модуль пам'яті 4Gb DDR3 1600MHz sodimm 1.35V UAT31600CL11SLK1/4 (UAT31600CL11SLK1/4)

Модуль памяти Hynix HMT325U6BFR8C-H9N0 - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR3; объём памяти: 2ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 1333МГц; CAS-задержка: CL9; рабочее напряжение: 1.5В (HMT325U6BFR8C-H9N0)

1 модуль памяти DDR3, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11

Оперативна пам'ять для ноутбука SODIMM Samsung DDR3 2048Mб 1333MГц (M471B5673EH1-CF8)

Модуль памяти DDR3 2GB 1333MHz (PC3-10600) Micron (MT16JTF25664AZ-1G4G1)

Модуль памяти Samsung SO-DIMM DDR3 2Gb 1600MHz (M471B5674QH0-YK0) - DDR3; 2 Гб; 1x2 Гб; 1600 МГц (12800 Мб/с); CL11; 1.35 В / 1.5 В; вольтаж памяти зависит от партии поставки.

Модуль памяти Samsung original DDR3, 2GB, 1600MHz, PC3-12800 (M378B5773QB0-CK0)

память Hynix DDR3 1333 2Gb C9 ( HMT125U6TFR8C-H9 ) 1.5v (HMT125U6TFR8C-H9)

Модуль памяти DDR3 2G 1600Mhz SAMSUNG Original (M378B5773CH0-CK0)

Модуль памяти DDR3 2G 1600Mhz HYNIX Org (HMT325U6CFR8C-PB)

Модуль памяти Hynix SO-DIMM 2GB/1600 DDR3 (HMT425S6AFR6A-PB)

Модуль памяти Samsung SO-DIMM 2GB/1600 DDR3 (M471B5773DH0-CK0)

Пам'ять Hynix 2GB SO-DIMM DDR3L 1600 C11 1.35v (HMT425S6CFR6A-PB)

Пам'ять Hynix 2GB SO-DIMM DDR3 1066 MHz (HMT325S6BFR8C-G7)

Модуль памяти Micron DDR3 1333 2Gb C9 (MT8JTF25664AZ-1G4D1)

Оперативная память Micron DDR3 2Gb 1600MHz PC3 1Rx16 12800U CL11 (MT4JTF25664AZ-1G6E1)

Память Samsung 2GB SO-DIMM DDR3 1600MHz (M471B5773CHS-CK0)

Память Hynix 2GB DDR3 1066 MHz (HMT125U6BFR8C-G7)

1 модуль памяти DDR3, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1333 МГц (HMT325S6CFR8C-H9)

Модуль памяти DDR-3 2GB PC3-12800 (РС3-1600) Samsung Original (M378B5773DH0-CK0 )

Память Elpida 2GB SO-DIMM DDR3 1066 MHz (EBJ21UE8BDS0-AE-F)

Модуль памяти Hynix DDR3 SoDIMM 2Gb (1x2Gb) 1600MHz (HMT325S6CFR8C-PB) - объем памяти: 2 ГБ; тип памяти: SODIMM DDR3; напряжение питания: 1.5 В; частота памяти: 1333 МГц; эффективная пропускная способность: 10600 Мбит/с; схема таймингов памяти: CL9; количество планок: 1; назначение: для ноутбуков; проверка и коррекция ошибок (ECC): non-ECC.

Модуль памяти Micron SO-DIMM 2GB/1600 DDR3 (MT8JTF25664HZ-1G6M1)