Оперативная память

1 модуль памяти DDR, объем модуля 128 Мб, форм-фактор MicroDIMM, 172-контактный, частота 266 МГц, CAS Latency (CL): 2.5

Модуль памяти Kingston DDR3 SO-DIMM 8GB 1333MHz, PC3-10600, рабочее напряжение: 1,5 В, для Apple iMac, MacBook Pro (KTA-MB1333/8G)

Оперативная память; PC3-10600; штатные тайминги: CL9; рабочее напряжение: 1,35 В (CT102464BF1339)

Память NeoForza 8GB SO-DIMM DDR4 3200MHz (NMSO480E82-3200EA00)

Пам'ять для ПК ADATA DDR4 3200 8GB (AD4U32008G22-SGN)

Модуль памяти DDR4 8GB 2400 MHz LOGO Series eXceleram (EL40824A)

DDR4, 8 ГБ, В наборе - 1, 3200 МГц, CL22-22-22, 1.2 В, 260-pin SO-DIMM, non-ECC, нет

Модуль памяти DDR4 16GB 3200MHz AFox, Retail (AFLD48PH1P)

Модуль памяти GoodRam DDR4 SoDIMM 8Gb (1x8Gb) 2400MHz (GR2400S464L17S/8G) - тип памяти: DDR4; форм-фактор: SoDIMM, объем памяти: 8 ГБ; количество модулей: 1x8 Гб; частота (пропускная способность): 2400 МГц (19200 МБ/с); тайминги: CL17; питание: 1.2 В.

DDR4, 8 ГБ, В наборе - 1, 3200 MHz, CL16, 1.35 V, нет

Модуль памяти Goodram DDR4, 8 ГБ, В наборе - 1, 3200MHz, CL22, 1.2V (GR3200D464L22S/8G)

DDR4, 8 ГБ, В наборе - 1, 2666 MHz, CL16, 1.2 V

DDR4, 8 ГБ, В наборе - 1, 3200 MHz, CL20, 1.2 V, 260-pin SO-DIMM, non-ECC

DDR4, 8 ГБ, В наборе - 1, 3200 MHz, CL22, 1.2 V, 260-pin SO-DIMM, non-ECC

UAT43200CL18B/8 модуль пам'яті 8Gb DDR4 3200MHz Atria Fly Black UAT43200CL18B/8 (UAT43200CL18B/8)

UAT43200CL18BL/8 модуль пам'яті 8Gb DDR4 3200MHz Atria Fly Blue UAT43200CL18BL/8 (UAT43200CL18BL/8)

Оперативная память Axiom 8GB SO-DIMM DDR3 1333 MHz (102464Z11D313811)

Модуль памяти Apacer SoDIMM DDR4 8GB 3200MHz (ES.08G21.GSH)

DDR4, 8 ГБ, В наборе - 1, 3200 MHz, CL22, 1.2 V

DDR4, 8 ГБ, В наборе - 1, 2666 MHz, CL10, 1.2 V, 260-pin SO-DIMM, non-ECC

Модуль памяти eXceleram Black Sark DDR3, 8GB (2x4GB), 1600MHz, PC3-12800, CL11, 1.5V, 2 планки (E30173A)

Тип памяти - DDR4, Объем памяти - 8 ГБ, Количество модулей в наборе - 1, Частота памяти - 2666 MHz, Тайминги - CL19, Напряжение - 1.2 V, 120 месяцев

Модуль памяти Patriot DDR4 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (PSD44G240082S) - форм-фактор и тип памяти: SoDIMM DDR4; объём памяти: 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL17; схема таймингов памяти: 17-17-17-39; рабочее напряжение: 1.2 В; количество ранков: 2.

Модуль памяти GoodRam Iridium Black DDR4 8Gb (1x8Gb) 2400MHz (IR-2400D464L15S/8G) - объем памяти: 8 ГБ; тип памяти: DDR4 SDRAM; напряжение питания: 1.2 В; охлаждение: алюминиевый радиатор; частота памяти: 2400 МГц; радиаторы на планках; эффективная пропускная способность: 19200 МБ/с; схема таймингов памяти: CL15; количество планок: 1; назначение: для настольных ПК; буферизация: небуферизированная (Unbuffered); проверка и коррекция ошибок (ECC): non-ECC. ... развернутьсвернуть

Модуль памяти GoodRam Iridium X Black DDR4 8Gb (1x8Gb) 2666MHz (IR-X2666D464L16S/8G) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 8 ГБ; количество модулей: 1х8 Гб; частота (пропускная способность): 2666 МГц (21328 МБ/с); наличие радиатора; тайминги: CL16; питание: 1.2 В.

GOODRAM модуль пам'яті 8Gb DDR4 3200MHz sodimm (GR3200S464L22S/8G)

Модуль памяти Kingston KCP426SS6/4 - тип памяти: DDR4; объем памяти: 4GB; количество модулей в наборе: 1; стандарты памяти: KCP; частота памяти: 2666MHz; тайминги: CL17; напряжение: 1.2V; форм-фактор памяти: 260 Pin SoDIMM Non-ECC (KCP426SS6/4)

Модуль памяти Samsung DDR4 SoDIMM 8Gb (1x8Gb) 2133MHz (M471A1G43DB0-CPB) - DDR4; 8 Гб; 1x8 Гб; 2133 МГц (17060 Мб/с); CL15; 1.2V.

Оперативная память Hynix SO-DIMM DDR4 8GB ORIGINAL 2666 MHz, CL19, 1.2V (HMA81GS6JJR8N-VK)

Память Samsung 8 GB DDR4 2133 MHz - (M378A1K43BB1-CPB)