Оперативная память

Модуль памяти Transcend DDR4 2666 16GB (JM2666HLE-16G)

Тип памяти - DDR4, Объем памяти - 16 ГБ, Количество модулей в наборе - 2, Частота памяти - 2666 MHz, CL19, Напряжение - 1.2 V

Модуль памяти Transcend SoDIMM DDR4 2666 16GB (JM2666HSE-16G)

Модуль памяти Kingston SoDIMM DDR4 3200 16GB (KVR32S22D8/16)

Модуль памяти DDR4 16G KIT(2x8G) 3600MHz PATRIOT Viper4 Blackout (box) CL17 (PVB416G360C8K)

DDR4, 16 ГБ, В наборе - 2, 3200 MHz, CL18, 1.35 V

Модуль памяти G.Skill DDR3 16Gb 1600MHz (F3-1600C10D-16GAO) - DDR3; 16 Гб; 2х8 Гб; 1600 МГц (12800 Мб/с); наличие радиатора; CL10; 1.5 В; XMP (Xtreme Memory Profiles).

Тип памяти - DDR4, Объем памяти - 16 ГБ, Количество модулей в наборе - 2, Частота памяти - 2666 MHz, Тайминги - CL19, Напряжение - 1.2 V

Модуль памяти Patriot DDR4 16Gb (1x16Gb) 2666MHz (PSD416G26662) - тип: для ПК; тип памяти: DDR4; объем памяти: 16 ГБ; количество модулей: 1х16 ГБ; частота (пропускная способность): 2666 МГц (21328 МБ/с); тайминги: CL19; питание: 1.2 В.

DDR4, 16 ГБ, У наборі - 1, Частота пам'яті - 3200 МГц, Таймінги - CL16-20-20, Напруга живлення - 1.35 В, Підсвічування - немає

Модуль памяти GoodRam Iridium X Black DDR4 16Gb (2x8Gb) 2666MHz (IR-X2666D464L16S/16GDC) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 16 ГБ; количество модулей в комплекте: 2 х 8 ГБ; тактовая частота: 2666 МГц; CAS Latency (CL): CL16; схема таймингов памяти: 16-18-18; рабочее напряжение: 1.2 В; особенности: с охлаждением (радиатор); цвет радиатора: чёрный. ... развернутьсвернуть

Модуль памяти DDR4 16GB/3600 Goodram Iridium Pro Deep Black (IRP-K3600D4V64L18/16G)

DDR4 16G 266MHz PATRIOT with Heatshield (box) (PSP416G266681H1)

Модуль памяти Kingston DRAM 16GB 2666MHz DDR4 CL16 DIMM 1Gx8 FURY Beast Black (KF426C16BB1/16)

DDR4, 16 ГБ, 3200 MHz, CL20, 1.2 V

KINGSTON KF552C40BB-8 модуль пам'яті 8GB DDR5 5200MHz Fury Beast KF552C40BB-8 (KF552C40BB-8)

Lexar® 2x8GB THOR DDR4 3200 UDIMM XMP Memory with heatsink. Dual pack, EAN: 843367127894 (LD4BU008G-R3200GDXG)

Модуль памяти Samsung DDR4 SoDIMM 16Gb (1x16Gb) 2400MHz (M471A2K43BB1-CRC) - форм-фактор и тип памяти: SoDIMM DDR4; объём памяти: 16 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL17; схема таймингов памяти: 17-17-17; рабочее напряжение: 1.2 В; количество ранков: 2.

Тип памяти - DDR4, Объем памяти - 16 ГБ, Количество модулей в наборе - 1, Частота памяти - 3200MHz, Тайминги - CL16, Напряжение - 1.35 V, 120 месяцев

DDR4, 16 ГБ, У наборі - 1, Частота пам'яті - 3200 МГц, Таймінги - CL16-20-20, Напруга живлення - 1.35 В, Підсвічування - немає

DDR4, 16 ГБ, У наборі - 1, Частота пам'яті - 3200 МГц, Таймінги - CL16-20-20, Напруга живлення - 1.35 В, Підсвічування - немає

Модуль памяти DDR5 8GB/5200 Apacer NOX (AH5U08G52C52RMBAA-1) (AH5U08G52C52RMBAA-1)

DDR4, 16 ГБ, У наборі - 1, Частота пам'яті - 3200 МГц, Таймінги - CL16-20-20, Напруга живлення - 1.35 В, Підсвічування - немає

Модуль памяти G.Skill Ripjaws V Classic Black DDR4 16Gb 3200MHz (F4-3200C16S-16GVK) - DDR4; DIMM 288-контактный; 3000 МГц; 24000 Мб/с; 1 модуль 16 Гб; CAS Latency (CL): 15; RAS to CAS Delay (tRCD): 15; Row Precharge Delay (tRP): 15; Activate to Precharge Delay (tRAS): 35; 1.35 В; радиатор.

Модуль памяти AddLink 16GB DDR4 3200 MHz Spider 4 (AG16GB32C16S4UB)

Тип памяти - DDR4, Объем памяти - 16 ГБ, Количество модулей в наборе - 2, Частота памяти - 2666 MHz, Тайминги - CL19, Напряжение - 1.2 V

DDR4, 16 ГБ, В наборе - 1, 3200 MHz, CL22-22-22, 1.2 V, 260-pin SO-DIMM, non-ECC

Модуль памяти G.Skill Aegis DDR4 16GB 3000MHz (F4-3000C16D-16GISB) - DDR4; 16 ГБ; 2 x 8 ГБ; 3000 МГц; CL16; схема таймингов памяти: 16-18-18; 1.2 В; с охлаждением (радиатор); цвет радиатора: Black.

Модуль памяти DDR4 16GB/3200 GOODRAM Iridium X Black (IR-XL3200D464L16S/16G) (IR-XL3200D464L16S/16G)

Тип памяти - DDR4, Объем памяти - 16 GB, Количество модулей в наборе - 2, Частота памяти - 2666 MHz, CL16, Напряжение - 1.2 V