Оперативная память

Оперативная память; PC3-10666; штатные тайминги: CL9; рабочее напряжение: 1,5 В (CT51264BA1339)

Модуль памяти Hynix DDR3 4GB, 1333MHz, PC3-10600, CL9, 1 планка (HMT351U6BFR8C-H9)

Модуль памяти DDR3 4GB 1333 MHz SAMSUNG (Original), PC3-10666, CL9, 1 планка (M378B5273DH0-CH9)

Модуль памяти Samsung DDR3, SO-DIMM, 4GB, PC3-12800, штатные тайминги: CL11, рабочее напряжение: 1,5 В (M471B5273DH0-CK0)

Модуль памяти SoDIMM DDR3 4GB 1600 MHz Nanya (NT4GC64B8HG0NS-DI) 1600 MHz, PC3-12800, CL11, 1.5V, 1 планка

Модуль памяти Samsung DDR3 SoDIMM 4GB, 1600MHz, 1.35V (M471B5173BH0-YK0)

Модуль памяти Hynix DDR3 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 1600MHz (HMT351S6EFR8A-PB) - набор: 1 модуль; объем: 4 Гб; тип: DDR3 SO-DIMM; частота: 1600 МГц; PC-индекс: PC3-12800; CAS Latency: 11T; тайминги: 11-11-11; напряжение питания: 1.35 В; расположение чипов: двустороннее; число микросхем: 16; емкость микросхем: 2 Гбит; тип микросхем: 256Mx8.

Модуль памяти HYNIX SODIMM 4G DDR3 1600MHz Org 1.35V (HMT351S6CFR8A-PB)

Модуль памяти HYNIX SODIMM 4G DDR3 1600MHz Org 1.35V (HMT451S6AFR8A-PB)

Модуль памяти HYNIX SODIMM 4G DDR3 1600MHz Org (HMT451S6BFR8C-PB)

Модуль памяти SODIMM 4G DDR3 1600MHz SAMSUNG Original 1.35V (M471B5273DH0-YK0)

SO-DIMM 4GB/1866 DDR3L Micron (MT8KTF51264HZ-1G9P1) (MT8KTF51264HZ-1G9P1)

Модуль памяти DDR3 4GB 1333 MHz CL9 SAMSUNG 1,5V (M378B5273CH0-CH9)

пам'ять SK Hynix 4GB DDR3 1333MHz 1.5В (HMT351U6CFR8C-H9)

Модуль памяти DDR3 SO-DIMM MICRON 1600 4Gb C11 (MT16JTF51264HZ-1G6M1)

Модуль памяти DDR3L 4GB 1600 C11 Hynix (HMT451U6DFR8A-PB)

Модуль памяти Golden Memory DDR3 4Gb (1x4Gb) 1600Mhz (GM16N11/4) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR3; объём памяти: 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 1600 МГц; CAS Latency (CL): CL11.

Модуль памяти Golden Memory DDR2 2Gb (1x2Gb) 800MHz (GM800D2N6/2G) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR2; объём памяти: 2 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 800 МГц; CAS Latency (CL): CL6; рабочее напряжение: 1.8 В.

Модуль памяти Golden Memory DDR3 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 1600MHz (GM16S11/4) - тип памяти: DDR3; объем памяти: 4 ГБ; количество модулей: 1x4 Гб; частота (пропускная способность): 1600 МГц (12800 МБ/с); питание: 1.5 В.

Модуль памяти Golden Memory DDR3 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 1600MHz (GM16LS11/4) - тип памяти: DDR3; объем памяти: 4Gb; количество модулей в наборе: 1; стандарты памяти: PC3-12800; частота памяти: 1600 МГц; напряжение: 1.35V; проверка и коррекция ошибок (ECC): non-ECC; буферизация: unbuffered.

Модуль памяти SAMSUNG DDR2 2048Mb 800 MHz (M378T5663FB3-CF7) 800 MHz, PC2-6400, CL6, 1 планка

Модуль памяти SAMSUNG DDR3 4GB 1600 MHz (M378B5273DH0-CK0 / M378B5273CH0-CK000), PC3-12800, CL9, 1 планка

1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц (M378B5173CB0-CK0)

1 модуль памяти DDR3L, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11

1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц (M378B5173QH0-CK0)

Модуль памяти Samsung DDR3 SoDimm 1x4Gb 1600Mhz (M471B5173QH0-YK0) - для ноутбуков (SoDimm); DDR3L; 1x4Gb; 1600Mhz; CL11; 1.35 В.

Модуль памяти Hynix DDR3 SoDIMM 4GB, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: CL9, рабочее напряжение: 1.35 В (HMT451S6BFR8A-PB)

Модуль памяти Samsung Original DDR3 SoDIMM 4Gb 1600GHz (M471B5173EB0-YK0) - DDR3; 4 Г; 1x4 Гб; 1600 МГц (12800 Мб/с); CL11; 1.35 В.

Модуль памяти Samsung DDR3 SoDIMM 4Gb 1600MHz (M471B5173DB0-YK0) - DDR3; 4 Гб; 1x4 Гб; 1600 МГц (12800 Мб/с); CL11; 1.35 В/1.5

Модуль памяти Samsung DDR3 4Gb 1600MHz (M378B5173EB0-YK0) - DIMM DDR3; 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; 1600 МГц; CL11; схема таймингов памяти: 11-11-11; 1.35 В; количество микросхем на планке: 8; тип микросхем: 512Mx4; упаковка микросхем: односторонняя; количество ранков: 1.