Оперативная память

пам'ять Hynix 4 GB SO-DIMM DDR4 3200 MHz (HMA851S6CJR6N-XN)

Пам'ять SAMSUNG 4 GB DDR4 3200 MHz (M378A5244CB0-CWE)

Пам'ять Ramaxel 4 GB SO-DIMM DDR4 2400 MHz (RMSA3270NA86H9F-2400)

Модуль памяти eXceleram DDR2 2Gb (1x2Gb) 800MHz (E20103A) - тип памяти: DDR2; объем памяти: 2Gb; количество модулей в наборе: 1; частота памяти: 800MHz; тайминги: CL6; напряжение: 1.8V; форм-фактор памяти: 240-pin DIMM; проверка и коррекция ошибок (ECC): non-ECC; буферизация: unbuffered.

Модуль пам'яті Arktek DRAM DDR4 4Gb 2666 MHz 1,2V, CL-17 (AKD4S4P2666)

Модуль памяти eXceleram DDR4 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (E404247A) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 4Gb; количество модулей в наборе: 1; частота памяти: 2400MHz;4 тайминги: CL17; напряжение: 1.2V; форм-фактор памяти: 288-pin DIMM; проверка и коррекция ошибок (ECC): non-ECC; буферизация: unbuffered.

Модуль памяти GoodRam DDR4 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 2666MHz (GR2666S464L19S/4G) - форм-фактор и тип памяти: SoDIMM DDR4; объём памяти: 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2666 МГц; CAS Latency (CL): CL19; рабочее напряжение: 1.2 В.

Модуль памяти Crucial So-Dimm DDR3 4GB 1066MHz (CT4G3S1067M) - 1 модуль памяти DDR3; объем модуля 4 Гб; форм-фактор SODIMM, 204-контактный; частота 1066 МГц; CAS Latency (CL): 7.

Память Hynix 4GB SO-DIMM DDR3 1066 MHz (HMT351S6AFR8C-G7)

Память MICRON 4GB SO-DIMM DDR3 1066 MHz (MT16JSF51264HZ-1G1D1)

Память Crucial 4 GB SO-DIMM DDR3 1066 MHz (CT51264BC1067)

Модуль памяти eXceleram DDR4 4GB 2666MHz LOGO Series (EL404269A)

Модуль памяти eXceleram DDR4 4Gb (1x4Gb) 2666MHz (E404269A) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 4Gb; количество модулей в наборе: 1; частота памяти: 2666MHz; тайминги: CL19; напряжение: 1.2V; форм-фактор памяти: 288-pin DIMM; проверка и коррекция ошибок (ECC): non-ECC; буферизация: unbuffered.

Модуль памяти Team Elite U-DIMM DDR4 4Gb 2400MHz (TED44G2400C1601) - DDR4; 4 Гб; 1х4 Гб; 2400 МГц (19200 Мб/с); CL16; 1.2 В.

Модуль памяти Team Elite SoDIMM DDR4 4Gb 2400MHz (TED44G2400C16-S01) - DDR4; 4 Гб; 1x4 Гб; 2400 МГц (19200 Мб/с); CL16; 1.2 В.

Модуль памяти Goodram DDR4 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (GR2400D464L17S/4G) - объем памяти: 4 ГБ; тип памяти: DDR4 SDRAM; напряжение питания: 1.2 В; частота памяти: 2400 МГц; эффективная пропускная способность: 19200 МБ/с; схема таймингов памяти: CL-17; количество планок: 1; назначение: для настольных ПК; буферизация: небуферизированная (Unbuffered); проверка и коррекция ошибок (ECC): non-ECC. ... развернутьсвернуть

Модуль памяти Micron Crucial DDR4 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (CT4G4SFS824A) - DDR4; 4 Гб; 1x4 Гб; 2400 МГц (19200 Мб/с); CL17; 1.2 В.

Модуль памяти Samsung DDR4 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (M471A5143EB1-CRC) - тип памяти:SoDIMM DDR4; объем памяти: 4 ГБ; количество модулей: 1x4 Гб; частота (пропускная способность): 2400 МГц (19200 МБ/с); тайминги: CL17; питание: 1.2 В; габариты: 30x3.7x69.6 мм.

Модуль памяти Crucial CT4G4SFS8266 - тип: для ноутбуков; тип памяти: DDR4; объем памяти: 4ГБ; количество модулей: 1х4ГБ; частота (пропускная способность): 2666МГц (21328МБ/с); наличие радиатора: нет; тайминги: CL19; питание: 1.2В; совместимость с Apple: нет; XMP (Xtreme Memory Profiles): нет (CT4G4SFS8266)

Пам'ять Samsung 4GB SO-DIMM DDR4 2400 MHz - (M471A5143SB1-CRC)

Пам'ять Micron 4 GB SO-DIMM DDR4 2666 MHz - (MTA4ATF51264HZ-2G6E3)

пам'ять MICRON 4 GB SO-DIMM DDR4 2666 MHz - (MTA4ATF51264HZ-2G6E1)

Пам'ять SAMSUNG 4 GB SO-DIMM DDR3 1066 MHz (M471B5273BH1-CF8)

Пам'ять SAMSUNG 4 GB SO-DIMM DDR3 1066 MHz (M471B5273CH0-CF8)

DDR4, 4 ГБ, В наборе - 1, 3200 MHz, CL22, 1.2 V, 260-pin SO-DIMM, non-ECC

Модуль памяти Exceleram DDR3 4GB, 1600MHz, PC3-12800, CL11, 1.35V, 1 планка (E30227A)

TRANSCEND 4GB JM DDR4 3200 U-DIMM 1Rx8 512Mx8 CL22 1.2V (JM3200HLH-4G)

SODIMM 4G DDR4 2666MHz SILICON POWER (box) (SP004GBSFU266X02)

Модуль памяти Team DDR3 4GB 1600MHz PC3-12800, штатные тайминги: 11-11-11-28, рабочее напряжение: 1,5 В (TED34G1600C1101)

Модуль памяти Hynix DDR4 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (HMA851S6CJR6N-UH) - форм-фактор и тип памяти: SoDIMM DDR4; объём памяти: 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL17; схема таймингов памяти: 17-17-17; рабочее напряжение: 1.2 В.