Оперативная память

Модуль памяти Samsung DDR4 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 2133Mhz (M471A5143DB0-CPB) - форм-фактор и тип памяти: SoDIMM DDR4; объём памяти: 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2133 МГц; CAS Latency (CL): CL17; схема таймингов памяти: 17-15-15; рабочее напряжение: 1.2 В; количество ранков: 1.

Модуль памяти Samsung Original DDR4 4Gb (1x4Gb) 2666MHz (M378A5244CB0-CTD) - тип: DDR4, DIMM, 288-контактная; объем: 16 Гб; тактовая частота: 2666 МГц; пропускная способность: 21300 Мб/с; ранки и чипы ранков: 2; напряжение питания: 1.2 В; тайминги: CL 19.

Пам'ять MICRON 4 GB DDR4 2666 MHz (MTA4ATF51264AZ-2G6E1)

Пам'ять Hynix 4GB DDR4 2666 MHz (HMA851U6DJR6N-VK)

Память Hynix 8GB DDR3 1600MHz OEM (HMT41GU6MFR8C-PB) (HMT41GU6MFR8C-PB OEM)

Модуль памяти Patriot DDR3 SoDIMM 4Gb 1600MHz (PSD34G1600L81) - DDR3; 4Гб; 1х4 Гб; 1600 МГц (12800 Мб/с); CL11; 1.35V.

Модуль памяти Apacer DDR3 4Gb (1x4Gb) 1600MHz (DG.04G2K.KAM) - тип памяти: DDR3; объем памяти: 4 ГБ; количество модулей: 1х4 Гб; частота (пропускная способность): 1600 МГц (12800 МБ/с); питание: 1.35 В.

Модуль памяти Apacer DDR3 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 1600MHz (DV.04G2K.KAM) - назначение: для ноутбуков; объем памяти: 4 ГБ; количество планок: 1; форм-фактор памяти: SoDIMM; тип оперативной памяти: DDR3; частота: 1600 МГц; пропускная способность: 12800 МБ/c; тайминги: CL11; буферизация: небуферизированная (Unbuffered); напряжение питания: 1.35 В.

1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц

DDR4, 4 ГБ, В наборе - 1, 2666 MHz, CL19-19-19, 1.2 V

Модуль памяти GoodRam DDR4 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (GR2400S464L17S/4G) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 4 ГБ; количество модулей: 1x4 Гб; частота (пропускная способность): 2400 МГц (19200 МБ/с); тайминги: CL17; питание: 1.2 В.

Модуль памяти GoodRam DDR4 4Gb (1x4Gb) 2666MHz (GR2666D464L19S/4G) - тип: для ПК; тип памяти: DDR4; объем памяти: 4 ГБ; количество модулей: 1х4 ГБ; частота (пропускная способность): 2666 МГц (21328 МБ/с); тайминги: CL19; питание: 1.2 В.

Модуль памяти Golden Memory DDR3 8Gb (1x8Gb) 1600MHz (GM16N11/8) - тип памяти: DDR3; объем памяти: 8 ГБ; количество модулей: 1х8 Гб; частота (пропускная способность): 1600 МГц (12800 МБ/с); питание: 1.5 В.

Модуль памяти eXceleram DDR4 4GB 2400MHz - тип памяти: DDR 4; объем памяти: 4GB; количество модулей в наборе: 1; стандарты памяти: PC4-19200; частота памяти: 2400MHz; тайминги: CL15; напряжение: 1.2V; форм-фактор памяти: 288-pin DIMM; non-ECC; unbuffered; без охлаждения; поставка возможна в ОЕМ-версии (E47033A)

Модуль памяти Exceleram SoDIMM DDR4 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (E404247S) - тип памяти: SoDIMM DDR4; объем памяти: 4Gb; количество модулей в наборе: 1; стандарты памяти: PC4-19200; частота памяти: 2400MHz; тайминги: CL17; напряжение: 1.2V; форм-фактор памяти: 260-pin SO-DIMM; проверка и коррекция ошибок (ECC): non-ECC; буферизация: unbuffered.

Модуль памяти Samsung M378B5173QHO-CKO - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR3; объём памяти: 4ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 1600МГц; CAS-задержка: CL11; рабочее напряжение: 1.5В (M378B5173QHO-CKO)

Модуль памяти G.Skill DDR3 8GB, 1600MHz, PC3-12800, CL11, NT Series, 1 планка (F3-1600C11S-8GNT)

1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц

Модуль памяти Silicon Power DDR3 8GB 1600MHz (SP008GLLTU160N02) - 1 модуль памяти DDR3L; объем модуля 8 Гб; форм-фактор DIMM, 240-контактный; частота 1600 МГц; CAS Latency (CL): 11.

Модуль памяти DDR4 4GB 2666 MHz eXceleram (E404266B)

Тип памяти - DDR4, Объем памяти - 4 ГБ, Количество модулей в наборе - 1, Частота памяти - 2666 MHz, CL19, Напряжение - 1.2 V, 120 месяцев

DDR4, 4 ГБ, В наборе - 1, 3200 MHz, CL22-22-22, 1.2 V, 260-pin SO-DIMM, non-ECC, 120 месяцев

Модуль памяти Samsung DDR4 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 2133MHz (M471A5143EB0-CPB) - DDR4; 4 Гб; 1x4 Гб; 2133 МГц (17060 Мб/с); CL15; 1.2 В.

Модуль памяти Samsung DDR4 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (M471A5244CB0-CRC) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 4 ГБ; количество модулей: 1x4 Гб; частота (пропускная способность): 2400 МГц (19200 МБ/с); тайминги: CL17; питание: 1.2 В.

Модуль памяти Hynix DDR4 4Gb (1x4Gb) 2666MHz (HMA851U6CJR6N-VKN0) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 4 ГБ; количество модулей: 1х4 Гб; частота (пропускная способность): 2666 МГц (21328 МБ/с); тайминги: CL19; питание: 1.2 В.

Модуль памяти SAMSUNG SoDIMM DDR4 2666MHz 4GB (M471A5244CB0-CTD)

Оперативная память Hynix SO-DIMM DDR4 4ГБ 2400 МГц, CL17, 1.2 В (HMA851S6AFR6N-UH)

Модуль памяти SO-DIMM 4GB/2666 DDR4 Hynix (HMA851S6JJR6N-VK)

Модуль памяти Ramaxel 4 GB SO-DIMM DDR4 2666 MHz (RMSA3270ME86H9F-2666)

Модуль памяти Samsung 4GB SO-DIMM DDR4 2400 MHz (M471A5244BB0-CRC)