Оперативная память

пам'ять SK Hynix 4GB DDR3 1333MHz 1.5В (HMT351U6CFR8C-H9)

Модуль памяти DDR3 SO-DIMM MICRON 1600 4Gb C11 (MT16JTF51264HZ-1G6M1)

Модуль памяти DDR3L 4GB 1600 C11 Hynix (HMT451U6DFR8A-PB)

Модуль памяти Samsung So-Dimm DDR3 8GB 1600MHz Original (M471B1G73EB0-YK0) - 1 модуль памяти DDR3; объем памяти: 8 GB; частота шины: 1600 MHz; латентность (тайминги): CL11.

Модуль памяти Micron Crucial DDR3 8Gb 1600MHz (CT102464BD160B) - DDR3; 8 Гб; 1х8 Гб; 1600 МГц (12800 Мб/с); CL11; 1.35 В.

Модуль памяти Micron Crucial DDR4 SoDIMM 16Gb (1x16Gb) 2133MHz (CT16G4SFD8213) - форм-фактор и тип памяти: SO-DIMM DDR4; объём памяти: 16 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2133 МГц; CAS Latency (CL): CL15; рабочее напряжение: 1.2 В; количество ранков: 2.

Модуль памяти SAMSUNG 16GB DDR4 2666Mhz SODIMM (M471A2K43CB1-CTD)

Модуль памяти SoDIMM DDR4 16GB 2666 Hynix original С19 (HMA82GS6JJR8N-VK)

Модуль памяти HYNIX ORIGINAL SoDIMM DDR4 16GB 2400 MHz (HMA82GS6AFR8N-UH)

Модуль памяти SK Hynix 16GB SO-DIMM DDR4 2666 MHz (HMA82GS6DJR8N-VK)

Модуль памяти SoDIMM DDR4 16GB HYNIX ORIGINAL 2666 MHz, CL19, 1.2 V (HMA82GS6CJR8N-VK)

Модуль памяти Samsung 16 GB SO-DIMM DDR4 2666 MHz (M471A2K43DB1-CTD)

Модуль памяти MICRON 16GB SO-DIMM DDR4 2133MHz (MTA16ATF2G64HZ-2G1B1)

Память Micron 16 GB SO-DIMM DDR4 2400 MHz - (MTA16ATF2G64HZ-2G3E1)

Модуль памяти MICRON 16GB SO-DIMM DDR4 2400 MHz (MTA16ATF2G64HZ-2G3H1)

Память Hynix 16 GB SO-DIMM DDR4 3200 MHz (HMA82GS6CJR8N-XN)

Модуль памяти Micron 16GB SO-DIMM DDR4 2666 MHz (MTA16ATF2G64HZ-2G6E1)

Память Micron 16 GB SO-DIMM DDR4 2133 MHz (MTA16ATF2G64HZ-2G1A1)

Модуль памяти Crucial So-Dimm DDR3 4GB 1066MHz (CT4G3S1067M) - 1 модуль памяти DDR3; объем модуля 4 Гб; форм-фактор SODIMM, 204-контактный; частота 1066 МГц; CAS Latency (CL): 7.

Память Hynix 4GB SO-DIMM DDR3 1066 MHz (HMT351S6AFR8C-G7)

Память MICRON 4GB SO-DIMM DDR3 1066 MHz (MT16JSF51264HZ-1G1D1)

Память Crucial 4 GB SO-DIMM DDR3 1066 MHz (CT51264BC1067)

Модуль памяти Samsung Semiconductor - 1 модуль памяти DDR3L, объем модуля 8 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11 (M471B1G73DB0-YK0)

Модуль памяти SO-DIMM 8Gb DDR3 1600MHz Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 1.35В

Модуль памяти Kingston DDR3 SoDIMM, 8GB, 1600MHz, PC3-12800, CL11, 1.35V, 1 планка (KVR16LS11/8G)

Модуль памяти Samsung DDR4 SoDIMM 8Gb (1x8Gb) 2400MHz (M471A1K43CB1-CRC) - форм-фактор и тип памяти: SoDIMM DDR4; объём памяти: 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL17; схема таймингов памяти: 17-17-17; рабочее напряжение: 1.2 В.

Модуль памяти Samsung M471A1K43BB1-CRC - форм-фактор и тип памяти: SO-DIMM DDR4; объём памяти: 8ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400МГц; CAS-задержка: CL17; формула таймингов: 17-17-17; рабочее напряжение: 1.2В; количество ранков: 1 (M471A1K43BB1-CRC)

Модуль памяти DDR4 8GB 2666MHz Hynix original C19 (HMA81GU6JJR8N-VK)

Модуль памяти Hynix SO-DIMM 8GB/1600 DDR3L (HMT41GS6BFR8A-PB)

Модуль памяти SoDIMM DDR4 8GB HYNIX ORIGINAL 2400 MHz, CL17, 1.2V (HMA81GS6AFR8N-UH)