Оперативная память

Пам'ять Ramaxel 4Gb SO-DIMM DDR3L 1600 MHz (RMT3170MN68F9F-1600)

Память Ramaxel 4Gb SO-DIMM DDR3 1333 MHz (RMT3020EC58E9F-1333)

Corsair DDR5, 6000MT/s 32GB 2x16GB DIMM, Unbuffered, 36-36-36-76, Std PMIC, AMD EXPO, DOMINATOR PLATINUM RGB DDR5 Cool Grey Heatspreader, RGB LED, 1.35V, EAN:0840006698180 (CMT32GX5M2D6000Z36)

Модуль памяти Kingston DDR3 SO-DIMM 8GB 1333MHz, PC3-10600, рабочее напряжение: 1,5 В, для Apple iMac, MacBook Pro (KTA-MB1333/8G)

Оперативная память; PC3-10600; штатные тайминги: CL9; рабочее напряжение: 1,35 В (CT102464BF1339)

Память NeoForza 8GB SO-DIMM DDR4 3200MHz (NMSO480E82-3200EA00)

Модуль памяти Hynix DDR3 So-DIMM, 8GB, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: CL11, рабочее напряжение: 1.5В (HMT41GS6MFR8C-PB)

Модуль памяти Samsung DDR4 8Gb 2133MHz (M378A1G43EB1-CPB) - DDR4; 8 Гб; 1х8 Гб; 2133 МГц (17060 Мб/с); CL15; 1.2 В.

Модуль памяти Hynix DDR4 8GB 2133MHz (HMA41GU6AFR8N-TF) - DDR4; 8 Гб; количество модулей в комплекте: 1; 2133 МГц.

Модуль памяти Samsung DDR4 8Gb (1x8Gb) 2400MHz (M378A1K43CB2-CRC) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL15; рабочее напряжение: 1.2 В.

Модуль памяти Crucial DDR4 SoDIMM 8Gb (1x8Gb) 2666MHz (CT8G4SFS8266) - тип: оперативная память; тип памяти: DDR4; суммарный объем памяти всего комплекта: 8 ГБ; объем одного модуля памяти: 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; частота: 2666 МГц; пропускная способность: PC21300; CAS Latency (CL): 19; напряжение питания: 1.2 В.

Модуль памяти для ноутбука SAMSUNG 8GB 2666Mhz DDR4 1.2v SODIMM (M471A1K43CB1-CTD)

Модуль памяти Hynix 8Gb SO-DIMM DDR4 2400MHz 1.2 V (HMA81GS6MFR8N-UH)

MICRON 8 GB SO-DIMM DDR4 2666 MHz (MTA8ATF1G64HZ-2G6D1)

Память MICRON DDR4 2400 8Gb C17 (MTA8ATF1G64AZ-2G3B1) 1.2v (MTA8ATF1G64AZ-2G3B1)

Память Samsung DDR3L-1600 8GB SO-DIMM PC3-12800 (M471B1G73BH0-YK0)

пам'ять SO-DIMM DDR4 8GB Hynix (HMA81GS6DJR8N-VK) 2666 MHz, CL18, 1.2 V (HMA81GS6DJR8N-VK)

Модуль памяти Micron 8GB SO-DIMM DDR4 2666 MHz (MTA8ATF1G64HZ-2G6E1)

Пам'ять ноутбука Crucial DDR4 8GB 2666 (CT8G4SFRA266)

пам'ять Hynix DDR3L SO-DIMM 1866 8Gb C11 (HMT41GS6BFR8A-RD)

Samsung 8GB UDIMM DDR4-3200 PC4-3200AA 1Rx16 260-Pin (M378A1G44CB0-CWE)

Память Micron 8 GB SO-DIMM DDR4 2666 MHz (MTA8ATF1G64HZ-2G6E3)

Модуль памяти Samsung DDR4 SoDIMM 8Gb (1x8Gb) 2133MHz (M471A1G43DB0-CPB) - DDR4; 8 Гб; 1x8 Гб; 2133 МГц (17060 Мб/с); CL15; 1.2V.

Оперативная память Hynix SO-DIMM DDR4 8GB ORIGINAL 2666 MHz, CL19, 1.2V (HMA81GS6JJR8N-VK)

Память Samsung 8 GB DDR4 2133 MHz - (M378A1K43BB1-CPB)

Модуль памяти Samsung DDR4 SoDIMM 16Gb (1x16Gb) 2400MHz (M471A2K43BB1-CRC) - форм-фактор и тип памяти: SoDIMM DDR4; объём памяти: 16 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL17; схема таймингов памяти: 17-17-17; рабочее напряжение: 1.2 В; количество ранков: 2.

SODIMM 32G DDR4 2666MHz SAMSUNG Original (M471A4G43MB1-CTD)

Модуль памяти Samsung Original DDR4 16Gb (1x16Gb) 2666MHz (M378A2K43CB1-CTD) - объём памяти: 16 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота:: 2666 МГц; CAS Latency (CL): CL19; рабочее напряжение: 1.2 В; количество ранков: 2.

Модуль памяти DDR4 16GB 2666 Hynix original C19 (HMA82GU6CJR8N-VK)

Модуль памяти SO-DIMM DDR4 16GB 3200 Samsung C22 (M471A2K43DB1-CWE)