Оперативная память

Модуль памяти Arktek DRAM DDR4 16Gb 2400 MHz 1,2V, CL-17 (AKD4S16P2400)

Модуль пам'яті Arktek DRAM DDR4 4Gb 2666 MHz 1,2V, CL-17 (AKD4S4P2666)

Модуль памяти Arktek DRAM DDR4 16Gb 3200 MHz 1,2V, CL-17, Heatsink, XMP 2.0 (AKD4S16P3200H)

Модуль пам'яті Arktek DRAM DDR3 4Gb 1600 MHz 1,5V, CL-10 (AKD3S4P1600)

Модуль памяти Supermicro Hynix 64GB DDR4-2933 2Rx4 (16Gb) ECC RDIMM (HMAA8GR7AJR4N-WM) (MEM-DR464MC-ER29)

Модуль памяти Arktek DRAM DDR4 8Gb 2666 MHz 1,2V, CL-17, Heatsink (AKD4S8P2666H)

Модуль памяти Arktek DRAM DDR4 8Gb 3200 MHz 1,2V, CL-17, Heatsink, XMP 2.0 (AKD4S8P3200H)

Оперативная память Corsair DDR5, 5600MT/s 64GB 2x32GB DIMM, Unbuffered, 40-40-40-77, Std PMIC, XMP 3.0, VENGEANCE DDR5 Black Heatspreader, Black PCB, 1.25V, EAN: 840006661306 (CMK64GX5M2B5600C40)

Corsair DDR5, 6400MT/s 96GB 2x48GB DIMM, Unbuffered, 32-40-40-84, Std PMIC, XMP 3.0, VENGEANCE RGB DDR5 Black Heatspreader, 1.4V EAN: 0840006674306 (CMH96GX5M2B6400C32)

Модуль памяти Hynix DDR2 2GB, 800MHz, PC2-6400, штатные тайминги: CL6, рабочее напряжение: 1,8 В (HYMP125U64CP8-S6)

Corsair DDR5, 5200MT/s 32GB 2x16GB DIMM, Unbuffered, 40-40-40-77, Std PMIC, AMD EXPO, VENGEANCE DDR5 Cool Grey Heatspreader, Black PCB, 1.25V, EAN: 0840006697770 (CMK32GX5M2B5200Z40)

Модуль памяти Hynix HMT325U6BFR8C-H9N0 - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR3; объём памяти: 2ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 1333МГц; CAS-задержка: CL9; рабочее напряжение: 1.5В (HMT325U6BFR8C-H9N0)

1 модуль памяти DDR3, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11

Оперативна пам'ять для ноутбука SODIMM Samsung DDR3 2048Mб 1333MГц (M471B5673EH1-CF8)

Модуль памяти DDR3 2GB 1333MHz (PC3-10600) Micron (MT16JTF25664AZ-1G4G1)

Модуль памяти Samsung SO-DIMM DDR3 2Gb 1600MHz (M471B5674QH0-YK0) - DDR3; 2 Гб; 1x2 Гб; 1600 МГц (12800 Мб/с); CL11; 1.35 В / 1.5 В; вольтаж памяти зависит от партии поставки.

Модуль памяти Samsung original DDR3, 2GB, 1600MHz, PC3-12800 (M378B5773QB0-CK0)

память Hynix DDR3 1333 2Gb C9 ( HMT125U6TFR8C-H9 ) 1.5v (HMT125U6TFR8C-H9)

Модуль памяти DDR3 2G 1600Mhz SAMSUNG Original (M378B5773CH0-CK0)

Модуль памяти DDR3 2G 1600Mhz HYNIX Org (HMT325U6CFR8C-PB)

Модуль памяти Hynix SO-DIMM 2GB/1600 DDR3 (HMT425S6AFR6A-PB)

Модуль памяти Samsung SO-DIMM 2GB/1600 DDR3 (M471B5773DH0-CK0)

Пам'ять Hynix 2GB SO-DIMM DDR3L 1600 C11 1.35v (HMT425S6CFR6A-PB)

Пам'ять Hynix 2GB SO-DIMM DDR3 1066 MHz (HMT325S6BFR8C-G7)

Модуль памяти Micron DDR3 1333 2Gb C9 (MT8JTF25664AZ-1G4D1)

Оперативная память Micron DDR3 2Gb 1600MHz PC3 1Rx16 12800U CL11 (MT4JTF25664AZ-1G6E1)

Память Samsung 2GB SO-DIMM DDR3 1600MHz (M471B5773CHS-CK0)

Память Hynix 2GB DDR3 1066 MHz (HMT125U6BFR8C-G7)

Модуль памяти Samsung Original DDR4 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (M378A5244CB0-CRC) - DIMM DDR4; 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL17; схема таймингов памяти: 17-17-17; 1.2 В; количество ранков: 1.

Модуль памяти Samsung DDR4 4Gb (1x4Gb) 2133MHz (M378A5143DB0-CPB) - форм-фактор и тип памяти: SoDIMM DDR4; объём памяти: 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL17; рабочее напряжение: 1.2 В; количество ранков: 1.