Оперативная память

Память MICRON 16GB SO-DIMM DDR4 2666 MHz (MTA16ATF2G64HZ-2G6J1)

Пам'ять Hynix 16 GB DDR4 2133 MHz (HMA82GU6MFR8N-TF)

Пам'ять Hynix 16 GB DDR4 2400 MHz ECC (HMA82GU7AFR8N-UH)

Память Samsung 16GB SO-DIMM DDR4 2666MHz ECC (M474A2K43BB1-CTDQ)

Пам'ять Hynix 32 GB SO-DIMM DDR4 3200 MHz (HMAA4GS6AJR8N-XN)

Пам'ять SO-DIMM DDR4 16GB SAMSUNG 2133 MHz, CL15, 1.2V ECC (M474A2K43BB1-CPBQ)

Память Samsung 16 GB SO-DIMM DDR4 2400 MHz ECC (M474A2K43BB1-CRCQ)

Модуль памяти SAMSUNG DDR2 2048Mb 800 MHz (M378T5663FB3-CF7) 800 MHz, PC2-6400, CL6, 1 планка

Модуль памяти SAMSUNG DDR3 4GB 1600 MHz (M378B5273DH0-CK0 / M378B5273CH0-CK000), PC3-12800, CL9, 1 планка

1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц (M378B5173CB0-CK0)

1 модуль памяти DDR3L, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11

1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц (M378B5173QH0-CK0)

Модуль памяти Samsung DDR3 SoDimm 1x4Gb 1600Mhz (M471B5173QH0-YK0) - для ноутбуков (SoDimm); DDR3L; 1x4Gb; 1600Mhz; CL11; 1.35 В.

Модуль памяти Hynix DDR3 SoDIMM 4GB, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: CL9, рабочее напряжение: 1.35 В (HMT451S6BFR8A-PB)

Модуль памяти Samsung Original DDR3 SoDIMM 4Gb 1600GHz (M471B5173EB0-YK0) - DDR3; 4 Г; 1x4 Гб; 1600 МГц (12800 Мб/с); CL11; 1.35 В.

Модуль памяти Samsung DDR3 SoDIMM 4Gb 1600MHz (M471B5173DB0-YK0) - DDR3; 4 Гб; 1x4 Гб; 1600 МГц (12800 Мб/с); CL11; 1.35 В/1.5

Модуль памяти Samsung DDR3 4Gb 1600MHz (M378B5173EB0-YK0) - DIMM DDR3; 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; 1600 МГц; CL11; схема таймингов памяти: 11-11-11; 1.35 В; количество микросхем на планке: 8; тип микросхем: 512Mx4; упаковка микросхем: односторонняя; количество ранков: 1.

Модуль памяти Hynix DDR3 SoDIMM 4Gb 1600MHz (HMT451S6DFR8A-PB) - DDR3; 4 Гб; 1x4 Гб; 1600 МГц (12800 Мб/с); CL11; 1.35 В.

Модуль памяти Hynix DDR3 4Gb (1x4Gb) 1600Mhz (HMT351U6CFR8C-PB) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR3; объём памяти: 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 1600 МГц; CAS Latency (CL): CL11; схема таймингов памяти: 11-11-11; рабочее напряжение: 1.5 В.

Модуль памяти Hynix DDR3L 4GB 1600 MHz - Тип памяти - DDR3, объем памяти - 4 GB, количество модулей в наборе - 1, частота памяти - 1600 MHz, тайминги - CL11, напряжение - 1.35V (HMT451U6DFR8A-PBN/HMT451U6BFR8A-PB)

Тип памяти - DDR3, Объем памяти - 4 GB, Количество модулей в наборе - 1, Частота памяти - 1600 MHz, CL11, Напряжение - 1.5 V

Тип памяти - DDR3, Объем памяти - 4 GB, Количество модулей в наборе - 1, Частота памяти - 1600 MHz, CL11, Напряжение - 1.35 V

Модуль памяти MICRON DDR3 SoDIMM 1600MHz 4Gb 1.35v (MT8KTF51264HZ-1G6E1)

Модуль памяти DDR3 SO-DIMM Samsung 1600 4Gb C11 1.35v (M471B5173CB0-YK0)

пам'ять Micron 4GB DDR3 1333MHz CL9 (MT16JTF51264AZ-1G4M1)

пам'ять MICRON 4GB DDR3L 1600 MHz (MT8KTF51264AZ-1G6P1)

Память для ноутбуков Micron 16 GB SO-DIMM DDR4 3200 MHz (MTA16ATF2G64HZ-3G2E1)

Модуль памяти Crucial DRAM 32GB DDR4-2666 SODIMM 1.2V CL19 (CT32G4SFD8266)

1 модуль памяти DDR3, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1333 МГц (HMT325S6CFR8C-H9)

Модуль памяти DDR-3 2GB PC3-12800 (РС3-1600) Samsung Original (M378B5773DH0-CK0 )