Оперативная память

Память Elpida 2GB SO-DIMM DDR3 1066 MHz (EBJ21UE8BDS0-AE-F)

Модуль памяти Hynix DDR3 SoDIMM 2Gb (1x2Gb) 1600MHz (HMT325S6CFR8C-PB) - объем памяти: 2 ГБ; тип памяти: SODIMM DDR3; напряжение питания: 1.5 В; частота памяти: 1333 МГц; эффективная пропускная способность: 10600 Мбит/с; схема таймингов памяти: CL9; количество планок: 1; назначение: для ноутбуков; проверка и коррекция ошибок (ECC): non-ECC.

Модуль памяти Micron SO-DIMM 2GB/1600 DDR3 (MT8JTF25664HZ-1G6M1)

Пам'ять Elpida 2GB SO-DIMM DDR3 1600 MHz (EBJ20UF8BDU0-GN-F)

Пам'ять Elpida 2GB SO-DIMM DDR3 1333 MHz (EBJ20UF8BCS0-DJ-F)

Пам'ять Ramaxel 2GB SO-DIMM DDR3 1066 MHz (RMT1970ED48E8F-1066)

Оперативная память Micron DDR3 2Gb 1333MHz PC3-10600U (MT8JTF25664AZ-1G4M1)

Память Ramaxel 2GB DDR3 1333 MHz (RMR1810EC58E8F-1333)

Память MICRON 2GB DDR3 1333 MHz (MT16JTF25664AZ-1G4F1)

Память Elpida 2GB DDR3 1333 MHz (EBJ20UF8BCF0-DJ-F)

Память Micron 2Gb DDR3 1333 MHz (MT8JTF25664AZ-1G4H1)

Модуль памяти SO-DIMM DDR4 8GB 3200 Samsung C22 (M471A1K43EB1-CWE)

Модуль памяти Hynix 8 GB SO-DIMM DDR4 3200 MHz (HMA81GS6CJR8N-XN)

Память Hynix 8GB SO-DIMM DDR4 3200 MHz (HMAA1GS6CJR6N-XN)

Память MICRON 8GB SO-DIMM DDR4 3200 MHz (MTA4ATF1G64HZ-3G2E2)

Память для ноутбуков Micron 8 GB SO-DIMM DDR4 3200 MHz (MTA8ATF1G64HZ-3G2J1)

Модуль памяти Samsung DDR3 4GB, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: CL11, рабочее напряжение: 1.5В (M378B5173BH0-CK0)

Оперативная память; PC3-10666; штатные тайминги: CL9; рабочее напряжение: 1,5 В (CT51264BA1339)

Модуль памяти Hynix DDR3 4GB, 1333MHz, PC3-10600, CL9, 1 планка (HMT351U6BFR8C-H9)

Модуль памяти DDR3 4GB 1333 MHz SAMSUNG (Original), PC3-10666, CL9, 1 планка (M378B5273DH0-CH9)

Модуль памяти Samsung DDR3, SO-DIMM, 4GB, PC3-12800, штатные тайминги: CL11, рабочее напряжение: 1,5 В (M471B5273DH0-CK0)

Модуль памяти SoDIMM DDR3 4GB 1600 MHz Nanya (NT4GC64B8HG0NS-DI) 1600 MHz, PC3-12800, CL11, 1.5V, 1 планка

Модуль памяти Samsung DDR3 SoDIMM 4GB, 1600MHz, 1.35V (M471B5173BH0-YK0)

Модуль памяти Hynix DDR3 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 1600MHz (HMT351S6EFR8A-PB) - набор: 1 модуль; объем: 4 Гб; тип: DDR3 SO-DIMM; частота: 1600 МГц; PC-индекс: PC3-12800; CAS Latency: 11T; тайминги: 11-11-11; напряжение питания: 1.35 В; расположение чипов: двустороннее; число микросхем: 16; емкость микросхем: 2 Гбит; тип микросхем: 256Mx8.

Модуль памяти HYNIX SODIMM 4G DDR3 1600MHz Org 1.35V (HMT351S6CFR8A-PB)

Модуль памяти HYNIX SODIMM 4G DDR3 1600MHz Org 1.35V (HMT451S6AFR8A-PB)

Модуль памяти HYNIX SODIMM 4G DDR3 1600MHz Org (HMT451S6BFR8C-PB)

Модуль памяти SODIMM 4G DDR3 1600MHz SAMSUNG Original 1.35V (M471B5273DH0-YK0)

SO-DIMM 4GB/1866 DDR3L Micron (MT8KTF51264HZ-1G9P1) (MT8KTF51264HZ-1G9P1)

Модуль памяти DDR3 4GB 1333 MHz CL9 SAMSUNG 1,5V (M378B5273CH0-CH9)