Оперативная память

Модуль памяти DDR3 SO-DIMM MICRON 1333 4Gb C9 1.5v (MT16JSF51264HZ-1G4D1)

пам'ять DDR3L SO-DIMM Samsung 1600 4Gb C11 ( M471B5273EB0-YK0 ) (M471B5273EB0-YK0)

Пам'ять MICRON 4 GB SO-DIMM DDR3L 1600 MHz (MT8KTF51264HZ-1G6E2)

пам'ять DDR3 SO-DIMM Ramaxel 1600 4Gb C11 (RMT3160ED58E9W-1600)

Память Micron 4GB DDR3L 1333 MHz (MT16KTF51264AZ-1G4M1)

Пам'ять Ramaxel 4Gb SO-DIMM DDR3L 1600 MHz (RMT3170MN68F9F-1600)

Память Ramaxel 4Gb SO-DIMM DDR3 1333 MHz (RMT3020EC58E9F-1333)

Модуль памяти DDR3 4GB 1600 MHz G.Skill (F3-1600C11S-4GNT) PC3-12800, CL11, NT Series, 1 планка

1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1333 МГц, CAS Latency (CL): 9 (E30802S)

Модуль памяти Patriot DDR3 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 1333MHz (PSD34G13332S) - DDR3; SoDIMM 204-контактный; 1333 МГц; пропускная способность: 10600 Мб/с; 1 модуль 4 Гб; CAS Latency (CL): 9; количество чипов каждого модуля: 8; двусторонняя упаковка; 1.5V; количество ранков: 2.

Модуль памяти G.Skill Aegis DDR4 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (F4-2400C17S-4GIS) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL17; схема таймингов памяти: 17-17-17-39; рабочее напряжение: 1.2 В; поддержка XMP.

Модуль памяти G.SKILL Original Value Series - NT DDR3, 4GB, 1333MHz, PC3-10600, CL9, 1 планка (F3-10600CL9S-4GBNT)

Модуль памяти Golden Memory DDR3 4Gb (1x4Gb) 1333Mhz (GM1333D3N9/4G) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR3; объём памяти: 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 1333 МГц; CAS Latency (CL): CL9; рабочее напряжение: 1.5 В.

1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11

Пам'ять MICRON 4 GB SO-DIMM DDR3 1600 MHz (MT16JTF51264JHZ-1G6M2)

Модуль памяти Patriot DDR3 SoDIMM 4Gb 1600MHz (PSD34G1600L2S) - DDR3L; SODIMM 204-контактный; 1600 МГц; пропускная способность: 12800 Мб/с; 1 модуль 4 Гб; CAS Latency (CL): 11; 1.35 В; количество ранков: 2.

Модуль памяти G.Skill Value DDR4 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (F4-2400C17S-4GNT) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL17; схема таймингов памяти: 17-17-17-39; рабочее напряжение: 1.2 В.

Модуль памяти DDR4 4G 2666MHz GOLDEN MEMORY (GM26N19S8/4)

Модуль памяти Patriot Original DDR3 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 1600MHz (PSD34G1600L81S) - тип: для ноутбуков; тип памяти: DDR3; объем памяти: 4 ГБ; количество модулей: 1х4 ГБ; частота (пропускная способность): 1600 МГц (12800 МБ/с); тайминги: CL11; питание: 1.35 В .

Модуль памяти eXceleram DDR3 4GB 1333MHz (E30209A) - DDR3; 4 GB; количество модулей в наборе: 1; 1333 MHz; CL9; 1.5V.

1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11

Mushkin 4GB DDR3-1600 PC3L-12800 11-11-11-28 < 992030 > 1.35V Essentials LV Series (M992030)

Модуль памяти Silicon Power SoDIMM DDR-3, 4096Mb, DDR-1600MHz, CL11 (SP004GBSTU160N02)

Модуль памяти Exceleram DDR3, 4GB, 1600MHz, PC3-12800, CL11, 1.5V, 1 планка (E30149A)

Модуль памяти Exceleram DDR3 4GB 1333MHz, PC3-10600, штатные тайминги: 9-9-9-24, рабочее напряжение: 1.5V (E30140A)

Модуль памяти eXceleram DDR3 4Gb (1x4Gb) 1333MHz (E30225A) - тип памяти: DDR3; объем памяти: 4Gb; количество модулей в наборе: 1; частота памяти: 1333MHz; тайминги: CL9; напряжение: 1.35V.

Модуль памяти DDR3 8GB/1600 Dato (DT8G3DLDND16)

Модуль памяти Samsung M471B5173DBO-YKO - форм-фактор и тип памяти: SO-DIMM DDR3L; объём памяти: 4ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 1600МГц; рабочее напряжение: 1.35В; количество ранков: 1 (M471B5173DBO-YKO)

Модуль памяти для ноутбука SoDIMM DDR3L 4GB 1600 MHz Essentials Mushkin (992037)

Модуль памяти eXceleram DDR3 SO-DIMM 4GB 1600MHz CL11, 1.5V, 1 планка (E30170A)