Оперативная память
Код товара: 128-547
Есть в наличииМодуль памяти SAMSUNG DDR2 2048Mb 800 MHz (M378T5663FB3-CF7)
800 MHz, PC2-6400, CL6, 1 планка
Код товара: 159-526
Есть в наличии
Модуль памяти SAMSUNG DDR3 4GB 1600 MHz (M378B5273DH0-CK0 / M378B5273CH0-CK000), PC3-12800, CL9, 1 планка
Код товара: 204-536
Есть в наличии
1 модуль памяти DDR3,
объем модуля 4 Гб,
форм-фактор DIMM, 240-контактный,
частота 1600 МГц (M378B5173CB0-CK0)
Код товара: 260-366
Есть в наличии
1 модуль памяти DDR3L,
объем модуля 4 Гб,
форм-фактор SODIMM, 204-контактный,
частота 1600 МГц,
CAS Latency (CL): 11
Код товара: 319-497
Есть в наличии
1 модуль памяти DDR3,
объем модуля 4 Гб,
форм-фактор DIMM, 240-контактный,
частота 1600 МГц (M378B5173QH0-CK0)
Код товара: 320-039
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR3 SoDimm 1x4Gb 1600Mhz (M471B5173QH0-YK0) - для ноутбуков (SoDimm); DDR3L; 1x4Gb; 1600Mhz; CL11; 1.35 В.
Код товара: 360-056
Есть в наличии
Модуль памяти Hynix DDR3 SoDIMM 4GB, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: CL9, рабочее напряжение: 1.35 В (HMT451S6BFR8A-PB)
Код товара: 375-107
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung Original DDR3 SoDIMM 4Gb 1600GHz (M471B5173EB0-YK0) - DDR3; 4 Г; 1x4 Гб; 1600 МГц (12800 Мб/с); CL11; 1.35 В.
Код товара: 419-753
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR3 SoDIMM 4Gb 1600MHz (M471B5173DB0-YK0) - DDR3; 4 Гб; 1x4 Гб; 1600 МГц (12800 Мб/с); CL11; 1.35 В/1.5
Код товара: 435-150
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR3 4Gb 1600MHz (M378B5173EB0-YK0) - DIMM DDR3; 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; 1600 МГц; CL11; схема таймингов памяти: 11-11-11; 1.35 В; количество микросхем на планке: 8; тип микросхем: 512Mx4; упаковка микросхем: односторонняя; количество ранков: 1.
Код товара: 438-069
Есть в наличии
Модуль памяти Hynix DDR3 SoDIMM 4Gb 1600MHz (HMT451S6DFR8A-PB) - DDR3; 4 Гб; 1x4 Гб; 1600 МГц (12800 Мб/с); CL11; 1.35 В.
Код товара: 487-061
Есть в наличии
Модуль памяти Hynix DDR3 4Gb (1x4Gb) 1600Mhz (HMT351U6CFR8C-PB) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR3; объём памяти: 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 1600 МГц; CAS Latency (CL): CL11; схема таймингов памяти: 11-11-11; рабочее напряжение: 1.5 В.
Код товара: 509-202
Есть в наличии
Модуль памяти Hynix DDR3L 4GB 1600 MHz - Тип памяти - DDR3, объем памяти - 4 GB, количество модулей в наборе - 1, частота памяти - 1600 MHz, тайминги - CL11, напряжение - 1.35V (HMT451U6DFR8A-PBN/HMT451U6BFR8A-PB)
Код товара: 530-859
Есть в наличии
Тип памяти - DDR3, Объем памяти - 4 GB, Количество модулей в наборе - 1, Частота памяти - 1600 MHz, CL11, Напряжение - 1.5 V
Код товара: 531-222
Есть в наличии
Тип памяти - DDR3, Объем памяти - 4 GB, Количество модулей в наборе - 1, Частота памяти - 1600 MHz, CL11, Напряжение - 1.35 V
Код товара: 547-466
Есть в наличии
Модуль памяти MICRON DDR3 SoDIMM 1600MHz 4Gb 1.35v (MT8KTF51264HZ-1G6E1)
Код товара: 567-544
Есть в наличии
Модуль памяти DDR3 SO-DIMM Samsung 1600 4Gb C11 1.35v (M471B5173CB0-YK0)
Код товара: 591-510
Есть в наличии
пам'ять Micron 4GB DDR3 1333MHz CL9 (MT16JTF51264AZ-1G4M1)
Код товара: 596-183
Есть в наличии
пам'ять MICRON 4GB DDR3L 1600 MHz (MT8KTF51264AZ-1G6P1)
Код товара: 457-938
Есть в наличии
Модуль памяти Golden Memory DDR3 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 1600MHz (GM16S11/4) - тип памяти: DDR3; объем памяти: 4 ГБ; количество модулей: 1x4 Гб; частота (пропускная способность): 1600 МГц (12800 МБ/с); питание: 1.5 В.
Код товара: 469-864
Есть в наличии
Модуль памяти Golden Memory DDR3 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 1600MHz (GM16LS11/4) - тип памяти: DDR3; объем памяти: 4Gb; количество модулей в наборе: 1; стандарты памяти: PC3-12800; частота памяти: 1600 МГц; напряжение: 1.35V; проверка и коррекция ошибок (ECC): non-ECC; буферизация: unbuffered.
Код товара: 456-647
Есть в наличии
Модуль памяти Golden Memory DDR3 4Gb (1x4Gb) 1600Mhz (GM16N11/4) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR3; объём памяти: 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 1600 МГц; CAS Latency (CL): CL11.
Код товара: 486-475
Есть в наличии
Модуль памяти Golden Memory DDR2 2Gb (1x2Gb) 800MHz (GM800D2N6/2G) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR2; объём памяти: 2 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 800 МГц; CAS Latency (CL): CL6; рабочее напряжение: 1.8 В.
Код товара: 289-943
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR3 4GB, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: CL11, рабочее напряжение: 1.5В (M378B5173BH0-CK0)
Код товара: 133-405
Есть в наличии
Оперативная память; PC3-10666; штатные тайминги: CL9; рабочее напряжение: 1,5 В (CT51264BA1339)
Код товара: 215-192
Есть в наличии
Модуль памяти Hynix DDR3 4GB, 1333MHz, PC3-10600, CL9, 1 планка (HMT351U6BFR8C-H9)
Код товара: 222-034
Есть в наличии
Модуль памяти DDR3 4GB 1333 MHz SAMSUNG (Original), PC3-10666, CL9, 1 планка (M378B5273DH0-CH9)
Код товара: 240-635
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR3, SO-DIMM, 4GB, PC3-12800, штатные тайминги: CL11, рабочее напряжение: 1,5 В (M471B5273DH0-CK0)
Код товара: 342-975
Есть в наличии
Модуль памяти SoDIMM DDR3 4GB 1600 MHz Nanya (NT4GC64B8HG0NS-DI)
1600 MHz, PC3-12800, CL11, 1.5V, 1 планка
Код товара: 369-675
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR3 SoDIMM 4GB, 1600MHz, 1.35V (M471B5173BH0-YK0)
Доставка товаров в следующие города: Киев, Харьков, Одесса, Львов, Днепропетровск, Николаев, Полтава, Ровно, Сумы, Тернополь, Ивано-Франковск, Кировоград, Херсон, Хмельницкий, Черкассы, Чернигов, Черновцы, Винница, Луцк, Житомир, Запорожье, Ужгород.
