Оперативная память

Модуль памяти DDR4 8GB/2666 Patriot Viper Elite II Red (PVE248G266C6)

Модуль памяти Samsung SO-DIMM, DDR3, 8GB, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: CL11, рабочее напряжение: 1,35 В (M471B1G73QH0-YK0)

DDR3 8G 1600Mhz HYNIX Org 1.35V (HMT41GU6DFR8A-PB)

Модуль памяти Hynix DDR3 8Gb (1x8Gb) 1600Mhz (HMT41GU6BFR8C-PB) - DDR3; DIMM 240-контактный; 1600 МГц; пропускная способность: 12800 Мб/с; 1 модуль 8 Гб; количество чипов каждого модуля: 16; двусторонняя упаковка; 1.5 В.

Модуль памяти Hynix DDR4 8Gb (1x8Gb) 2400MHz (HMA81GU6AFR8N-UH) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 8 ГБ; количество модулей: 1х8 Гб; частота (пропускная способность): 2400 МГц (19200 МБ/с); тайминги: CL17; питание: 1.2 В.

Модуль памяти MICRON DDR3 SO-DIMM 1600 8Gb C11 (MT16KTF1G64HZ-1G6N1)

Модуль памяти HYNIX SO-DIMM DDR4 8GB 2133MHZ CL15 1.2V (HMA41GS6AFR8N-TF)

Модуль памяти DDR3 8GB 1600 MHz Hynix 1,35V (HMT41GU6BFR8A-PB)

Модуль памяти MICRON DDR3 SO-DIMM 1600 8Gb C11 1.35v (MT16KTF1G64HZ-1G6E1)

пам'ять MICRON DDR3 1600 8Gb C11 1.35v (MT16KTF1G64AZ-1G6E1)

Пам'ять Hynix 8 GB DDR3 1600 MHz - (HMT41GU6AFR8C-PB)

пам'ять Ramaxel 8GB DDR3L 1600 MHz (RMR5040ME68FAF-1600)

Модуль памяти Team Elite DDR4 8GB 3200MHz (TED48G3200C2201)

Модуль памяти SO-DIMM 8GB/3200 DDR4 Apacer NOX Black (A4S08G32CLYBDAA-1) (A4S08G32CLYBDAA-1)

Модуль памяти Apacer DDR4 8Gb (1x8Gb) 2666Mhz (EL.08G2V.GNH) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2666 МГц; CAS Latency (CL): CL19; рабочее напряжение: 1.2 В.

Модуль памяти G.Skill Aegis DDR3 8GB (2x4GB) 1600MHz, CL11, 1.5V, 2 планки (F3-1600C11D-8GIS)

SODIMM 8G DDR4 3200MHz GOLDEN MEMORY (box) (GM32S22S8/8)

Модуль памяти Samsung Semiconductor - 1 модуль памяти DDR3L, объем модуля 8 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11 (M471B1G73DB0-YK0)

Модуль памяти SO-DIMM 8Gb DDR3 1600MHz Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 1.35В

Модуль памяти Kingston DDR3 SoDIMM, 8GB, 1600MHz, PC3-12800, CL11, 1.35V, 1 планка (KVR16LS11/8G)

Модуль памяти Samsung DDR4 SoDIMM 8Gb (1x8Gb) 2400MHz (M471A1K43CB1-CRC) - форм-фактор и тип памяти: SoDIMM DDR4; объём памяти: 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL17; схема таймингов памяти: 17-17-17; рабочее напряжение: 1.2 В.

Модуль памяти Samsung M471A1K43BB1-CRC - форм-фактор и тип памяти: SO-DIMM DDR4; объём памяти: 8ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400МГц; CAS-задержка: CL17; формула таймингов: 17-17-17; рабочее напряжение: 1.2В; количество ранков: 1 (M471A1K43BB1-CRC)

Модуль памяти DDR4 8GB 2666MHz Hynix original C19 (HMA81GU6JJR8N-VK)

Модуль памяти Hynix SO-DIMM 8GB/1600 DDR3L (HMT41GS6BFR8A-PB)

Модуль памяти SoDIMM DDR4 8GB HYNIX ORIGINAL 2400 MHz, CL17, 1.2V (HMA81GS6AFR8N-UH)

Модуль памяти SO-DIMM 8GB/2400 DDR4 Micron (MTA8ATF1G64HZ-2G3B1)

Модуль памяти DDR4 8GB 3200 Samsung original C22 (M378A1G44AB0-CWE)

Модуль памяти Samsung 8GB SO-DIMM DDR4 2133MHz (M471A1K43BB0-CPB)

пам'ять MICRON DDR3 SO-DIMM 1600 8Gb C11 1.35v (MT16KTF1G64HZ-1G6D1)

Модуль памяти Hynix 8 GB DDR3L 1600 MHz (HMT41GU6AFR8A-PB) 1,35V (HMT41GU6AFR8A-PB)