Оперативная память

Модуль памяти G.Skill SoDIMM DDR3 8GB 1866MHz (F3-1866C11S-8GRSL)

Модуль памяти Hynix DDR3 SO-DIMM 1600 8Gb C11 - (HMT41GS6DFR8A-PB)

Модуль памяти DIMM 8GB PC21300 DDR4 F4-2666C19S-8GNT G.SKILL (F4-2666C19S-8GNT)

Модуль памяти G.Skill DDR4 8Gb (1x8Gb) 2666MHz (F4-2666C19S-8GNT) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2666 МГц; CAS Latency (CL): CL19; схема таймингов памяти: 19-19-19-43; рабочее напряжение: 1.2 В; поддержка XMP.

Модуль памяти DDR4 8GB 2666MHz G.Skill Aegis C19-19-19-43 (F4-2666C19S-8GIS)

DDR3, 8 ГБ, В наборе - 1, 1600 MHz, CL11-11-11, 1.5 V, нет

Модуль памяти Silicon Power DDR3 SO-DIMM 8Gb 1600MHz (SP008GLSTU160N02) - 1 модуль памяти DDR3; объем модуля 8 Гб; форм-фактор SO-DIMM, 204-контактный; частота 1600 МГц; CAS Latency (CL): 11.

Модуль памяти Mushkin SO-DIMM DDR3-1333, 1x8GB, PC3-10600, 9-9-9-24, 1.5V (M992020)

Модуль памяти GOODRAM DDR3 SoDIMM, 8Gb, 1333MHz, PC3-10600, CL9, 1 планка (GR1333S364L9/8G)

Модуль памяти GOODRAM DDR3 SoDIMM 8Gb, 1600MHz, PC3-12800, CL11, 1 планка (GR1600S364L11/8G)

Модуль памяти GOODRAM DDR3 SoDIMM 8Gb, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: CL11, рабочее напряжение: 1,35 В (GR1600S3V64L11/8G)

Модуль памяти Patriot DDR4 SoDIMM 8Gb (1x8Gb) 2400MHz (PSD48G240081S) - форм-фактор и тип памяти: SoDIMM DDR4; объём памяти: 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL17; схема таймингов памяти: 17-17-17; рабочее напряжение: 1.2 В.

Модуль памяти Kingston ValueRAM DDR4 4Gb (1x4Gb) 2666MHz (KVR26N19S6/4) - тайминги: CL19; стандарт памяти: PC4-21300; частота памяти: 2666 МГц; тип оперативной памяти: DDR4; объем одного модуля: 4Gb; количество модулей в комплекте: 1; номинальное напряжение: 1.2В.

Модуль памяти Patriot DDR4 8GB 3200MHz Signature Line (PSD48G320081)

Модуль памяти eXceleram Black Kudos DDR3 8Gb (1x8Gb) 1600MHz (EKBLACK3081611LA) - тип памяти: DDR3; объем памяти: 8Gb; количество модулей в наборе: 1; стандарты памяти: PC3-12800; частота памяти: 1600MHz; тайминги: CL11; напряжение: 1.35V; форм-фактор памяти: 240-pin DIMM; проверка и коррекция ошибок (ECC): non-ECC; буферизация: unbuffered; охлаждение: + радиатор. ... развернутьсвернуть

Модуль памяти G.SKILL Ripjaws SODIMM 8Gb DDR4 1.2V CL22 3200MHz (F4-3200C22S-8GRS)

Модуль памяти DDR4 8GB/2666 Apacer NOX White (AH4U08G26C08YMWAA-1) (AH4U08G26C08YMWAA-1)

Модуль памяти G.SKILL DDR4 8GB 2400MHz Value NT (F4-2400C15S-8GNT) - 1 модуль памяти DDR4; объем: 8Gb; частота: 2400Mhz; тайминги: CL15.

Модуль памяти G.Skill DDR4 8GB 2400MHz (F4-2400C15S-8GNS) - DDR4; DIMM 288-контактный; 2400 МГц; пропускная способность: 19200 Мб/с; 1 модуль 8 Гб; CAS Latency (CL): 15; RAS to CAS Delay (tRCD): 15; Row Precharge Delay (tRP): 15; Activate to Precharge Delay (tRAS): 35; 1.2 В.

Модуль памяти Samsung So-Dimm DDR3 8GB 1600MHz Original (M471B1G73EB0-YK0) - 1 модуль памяти DDR3; объем памяти: 8 GB; частота шины: 1600 MHz; латентность (тайминги): CL11.

Модуль памяти Micron Crucial DDR3 8Gb 1600MHz (CT102464BD160B) - DDR3; 8 Гб; 1х8 Гб; 1600 МГц (12800 Мб/с); CL11; 1.35 В.

Модуль памяти Team Elite DDR4 8Gb (1x8Gb) 2666MHz (TED48G2666C1901) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2666 МГц; CAS-задержка: CL19; формула таймингов: 19-19-19-43; рабочее напряжение: 1.2 В.

Модуль памяти Arktek DRAM DDR4 8Gb 3200 MHz 1,2V, CL-17, Heatsink, XMP 2.0 (AKD4S8P3200H)

DDR4, 8 ГБ, В наборе - 1, 3200 MHz, CL22, 1.35 V, 260-pin SO-DIMM, non-ECC

Модуль памяти LEXAR 8GB DDR4 3200MHz UDIMM (LD4AU008G-B3200GSST)

Модуль памяти PATRIOT 8GB DDR4 2666MHz Non-ECC UDIMM w/heatsheild (PSP48G266681H1)

Модуль памяти G.Skill Aegis DDR4 8GB 2400MHz (F4-2400C15S-8GIS) - DIMM DDR4; 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; 2400 МГц; CL15; схема таймингов памяти: 15-15-15-35; 1.2 В; поддержка XMP; с охлаждением (радиатор); цвет радиатора: Black.

DDR3, 8 ГБ, В наборе - 1, 1600 MHz, CL11, 1.35 V, 260-pin SO-DIMM, non-ECC, нет

Модуль памяти G.Skill DDR4 8Gb 3000MHz (F4-3000C16S-8GISB) - DDR4; 8 Гб; 1х8 Гб; 3000 МГц (24000 Мб/с); наличие радиатора; CL16; 1.35 В; XMP.

Модуль памяти Patriot DDR4 8GB 3200MHz Signature Line Premium (PSP48G320081H1)