Оперативная память

DDR4, 16 ГБ, В наборе - 1, 2666 MHz, CL19-19-19, 1.2 V

Модуль памяти Team Elite Plus Black DDR3, 8GB, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: 11-11-11-28, рабочее напряжение: 1.5В (TPD38G1600HC1101)

Модуль памяти DDR4 16GB 3200 Team Vulcan Z Red C16-18-18-38 (TLZRD416G3200HC16F01)

Модуль памяти Exceleram DDR4 SoDIMM 16Gb (1x16Gb) 2400MHz (E416247S) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 16Gb; количество модулей в наборе: 1; стандарты памяти: PC4-19200; частота памяти: 2400MHz; тайминги: CL17; напряжение: 1.2V; форм-фактор памяти: 260-pin SoDIMM; проверка и коррекция ошибок (ECC): ECC; буферизация: unbuffered.

Модуль памяти Arktek DRAM DDR4 16Gb 3200 MHz 1,2V, CL-17, Heatsink, XMP 2.0 (AKD4S16P3200H)

Модуль памяти Kingston DRAM 8GB 4800MT/s DDR5 Non-ECC CL40 SODIMM 1Rx16 (KVR48S40BS6-8)

Kingston 8GB 4800MT/s DDR5 CL38 SODIMM FURY Impact PnP, EAN: 740617326178 (KF548S38IB-8)

Тип памяти - DDR4, Объем памяти - 16 ГБ, Количество модулей в наборе - 1, Частота памяти - 2666 MHz, Тайминги - CL19, Напряжение - 1.2 V

DDR3, 16 ГБ, В наборе - 2, 1600 MHz, CL11-11-11, 1.5 V, нет

Модуль памяти G.Skill DDR4 16Gb (1x16Gb) 2400MHz (F4-2400C15S-16GIS) - тип памяти: DDR4; форм-фактор: DIMM 288-контактный; тактовая частота: 2400 МГц; пропускная способность: 19200 Мб/с; объем: 1 модуль 16 Гб; CAS Latency (CL): 15; RAS to CAS Delay (tRCD): 15; Row Precharge Delay (tRP): 15; Activate to Precharge Delay (tRAS): 35; напряжение питания: 1.2 В; радиатор. ... развернутьсвернуть

DDR4, 16 ГБ, В наборе - 2, Частота памяти - 2666 МГц, Тайминги - CL16-17-17, Напряжение питания - 1.2 В, Подсветка - нет

Модуль памяти Geil EVO X Stealth Black with Red Switch GEXB416GB3000C16ADC - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 16Гб; количество модулей в комплекте: 2x8Гб; тактовая частота: 3000МГц; CAS-задержка: CL16; формула таймингов: 16-18-18-36; рабочее напряжение: 1.2В; поддержка XMP; с охлаждением (радиатор); цвет радиатора: чёрный; тип подсветки: регулируемая RGB (GEXB416GB3000C16ADC) ... развернутьсвернуть

DDR4, 16 ГБ, В наборе - 1, 3200 MHz, CL22-22-22, 1.2 V

DDR4 16Bb 2666MHz HP V2, Retail (7EH56AA)

Модуль памяти Apacer DDR4 16Gb (1x16Gb) 2666Mhz (EL.16G2V.GNH) - назначение: для настольных ПК; объем памяти: 16 ГБ; количество планок: 1; форм-фактор памяти: DIMM; тип оперативной памяти: DDR4; частота: 2666 МГц; пропускная способность: 21300 МБ/c; тайминги: CL16; буферизация: небуферизированная (Unbuffered); напряжение питания: 1.2 В.

Модуль памяти APACER SoDIMM DDR4 16Gb 2666Mhz (ES.16G2V.GNH)

Пам'ять ноутбука Apacer DDR4 16GB 3200 (ES.16G21.GSH)

Модуль памяти DDR4 16GB 3200MHz 1.2V Apacer (EL.16G21.GSH)

DDR4 8GB 3200MHz AFox, Retail (AFLD416PH1P)

Модуль памяти Micron Crucial DDR4 SoDIMM 16Gb (1x16Gb) 2133MHz (CT16G4SFD8213) - форм-фактор и тип памяти: SO-DIMM DDR4; объём памяти: 16 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2133 МГц; CAS Latency (CL): CL15; рабочее напряжение: 1.2 В; количество ранков: 2.

Модуль памяти SAMSUNG 16GB DDR4 2666Mhz SODIMM (M471A2K43CB1-CTD)

Модуль памяти SoDIMM DDR4 16GB 2666 Hynix original С19 (HMA82GS6JJR8N-VK)

Модуль памяти HYNIX ORIGINAL SoDIMM DDR4 16GB 2400 MHz (HMA82GS6AFR8N-UH)

Модуль памяти SK Hynix 16GB SO-DIMM DDR4 2666 MHz (HMA82GS6DJR8N-VK)

Модуль памяти SoDIMM DDR4 16GB HYNIX ORIGINAL 2666 MHz, CL19, 1.2 V (HMA82GS6CJR8N-VK)

Модуль памяти Samsung 16 GB SO-DIMM DDR4 2666 MHz (M471A2K43DB1-CTD)

Модуль памяти MICRON 16GB SO-DIMM DDR4 2133MHz (MTA16ATF2G64HZ-2G1B1)

Память Micron 16 GB SO-DIMM DDR4 2400 MHz - (MTA16ATF2G64HZ-2G3E1)

Модуль памяти MICRON 16GB SO-DIMM DDR4 2400 MHz (MTA16ATF2G64HZ-2G3H1)

Память Hynix 16 GB SO-DIMM DDR4 3200 MHz (HMA82GS6CJR8N-XN)