Оперативная память

Модуль памяти Hynix DDR3 8Gb (1x8Gb) 1600Mhz (HMT41GU6BFR8C-PB) - DDR3; DIMM 240-контактный; 1600 МГц; пропускная способность: 12800 Мб/с; 1 модуль 8 Гб; количество чипов каждого модуля: 16; двусторонняя упаковка; 1.5 В.

Модуль памяти Hynix DDR4 8Gb (1x8Gb) 2400MHz (HMA81GU6AFR8N-UH) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 8 ГБ; количество модулей: 1х8 Гб; частота (пропускная способность): 2400 МГц (19200 МБ/с); тайминги: CL17; питание: 1.2 В.

Модуль памяти MICRON DDR3 SO-DIMM 1600 8Gb C11 (MT16KTF1G64HZ-1G6N1)

Модуль памяти HYNIX SO-DIMM DDR4 8GB 2133MHZ CL15 1.2V (HMA41GS6AFR8N-TF)

Модуль памяти DDR3 8GB 1600 MHz Hynix 1,35V (HMT41GU6BFR8A-PB)

Модуль памяти MICRON DDR3 SO-DIMM 1600 8Gb C11 1.35v (MT16KTF1G64HZ-1G6E1)

пам'ять MICRON DDR3 1600 8Gb C11 1.35v (MT16KTF1G64AZ-1G6E1)

Пам'ять Hynix 8 GB DDR3 1600 MHz - (HMT41GU6AFR8C-PB)

пам'ять Ramaxel 8GB DDR3L 1600 MHz (RMR5040ME68FAF-1600)

Модуль памяти DDR5 2x32GB/5200 G.Skill Flare X5 (F5-5200J3636D32GX2-FX5) (F5-5200J3636D32GX2-FX5)

Модуль памяти Samsung So-Dimm DDR3 8GB 1600MHz Original (M471B1G73EB0-YK0) - 1 модуль памяти DDR3; объем памяти: 8 GB; частота шины: 1600 MHz; латентность (тайминги): CL11.

Модуль памяти Micron Crucial DDR3 8Gb 1600MHz (CT102464BD160B) - DDR3; 8 Гб; 1х8 Гб; 1600 МГц (12800 Мб/с); CL11; 1.35 В.

Память Dell EMC 16GB RDIMM, Dual Rank (370-3200R16)

1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11 (M378B1G73QH0-CK0)

Модуль памяти Samsung DDR3 8Gb (1x8Gb) 1600MHz (M378B1G73DB0-CK0) - тип памяти: DDR3; объем памяти: 8 ГБ; количество модулей: 1х8 Гб; частота (пропускная способность): 1600 МГц (12800 МБ/с); тайминги: CL11; питание: 1.5 В.

Модуль памяти Hynix Original DDR3 8Gb PC3 -12800 CL11 1600MHz (HMT41GU6MFR8C-PB)

Модуль памяти Samsung DDR3 8GB 1600MHz (M378B1G73EB0-YK0) - DIMM DDR3; 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; 1600 МГц; CL11; схема таймингов памяти: 11-11-11; 1.35 В; количество микросхем на планке: 16; тип микросхем: 1Gx64; упаковка микросхем: двусторонняя; количество ранков: 2.

Модуль памяти Micron Ballistix Sport LT White DDR4 8Gb (1x8Gb) 2400MHz (BLS8G4D240FSCK) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 8 ГБ; количество модулей: 1х8 Гб; частота (пропускная способность): 2400 МГц (19200 МБ/с); наличие радиатора: есть; тайминги: CL16; питание: 1.2 В; XMP (Xtreme Memory Profiles): есть.

Модуль памяти MICRON DDR3 1600 8Gb C11 1.5v (MT16JTF1G64AZ-1G6E1)

DDR5, 32 ГБ, В наборе - 2, Частота памяти - 5600 МГц, Тайминги - CL36-38-38, Напряжение питания - 1.25 В, Подсветка - нет

Kingston DRAM 64GB 6000MT/s DDR5 CL40 DIMM (Kit of 2) FURY Beast RGB XMP EAN: 740617331868 (KF560C40BBAK2-64)

Модуль памяти DDR5 2х16GB/7800 Patriot Viper Xtreme 5 RGB (PVXR532G78C38K) (PVXR532G78C38K)

Модуль памяти DDR5 2х16GB/7600 Patriot Viper Xtreme 5 RGB (PVXR532G76C36K) (PVXR532G76C36K)

GIGABYTE модуль пам'яті 16Gb(2x8Gb) DDR4 3733Mhz RGB Fusion (GP-ARS16G37)

GIGABYTE модуль пам'яті 16Gb(2x8Gb) DDR4 3333Mhz RGB Fusion (GP-ARS16G33)

SO-DIMM Arktek DDR3 8GB 1600 CL11 1.35v (AKD3S8N1600)

Модуль памяти Kingston FURY 64GB (2x32GB) DDR5 5600 MHz Beast (KF556C40BBK2-64)

Модуль памяти DDR5 2x24GB/6000 Patriot Viper Elite 5 RGB TUF (PVER548G60C36KT) (PVER548G60C36KT)

Модуль памяти DDR5 2x24GB/6000 Patriot Viper Elite 5 RGB (PVER548G60C42KW) (PVER548G60C42KW)

Модуль памяти Samsung DDR4 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 2133Mhz (M471A5143DB0-CPB) - форм-фактор и тип памяти: SoDIMM DDR4; объём памяти: 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2133 МГц; CAS Latency (CL): CL17; схема таймингов памяти: 17-15-15; рабочее напряжение: 1.2 В; количество ранков: 1.