Оперативная память

Модуль памяти Afox DDR4 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (AFLD44EK1P) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL17; рабочее напряжение: 1.2 В.

Модуль памяти AMD Radeon R3 Value DDR2 2Gb (1x2Gb) 800MHz (R322G805U2S-UG) - стандарт: DDR2; форм-фактор: DIMM; объем одного модуля: 2 ГБ; количество модулей в комплекте: 1 шт.; суммарный объем: 2 ГБ; эффективная частота: 800 МГц; пропускная способность: 6400 Мб/с; количество чипов на модуле: 16 шт.; количество контактов: 240; CAS Latency (CL): 5; RAS to CAS Delay (tRCD): 5; Row Precharge Delay (tRP): 5; Activate to Precharge Delay (tRAS): 18; напряжение питания: 1.8 В; нормальная операционная температура (Tcase): 85 dgr.C; расширенная операционная температура (Tcase): 95 dgr.C; компоновка чипов на модуле: двусторонняя; вид поставки: OEM; габариты: 133.35 x 30 мм; вес брутто: 18 г. ... развернутьсвернуть

Модуль памяти Golden Memory DDR2 2Gb (1x2Gb) 800MHz (GM800D2N6/2G) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR2; объём памяти: 2 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 800 МГц; CAS Latency (CL): CL6; рабочее напряжение: 1.8 В.

Модуль памяти G.Skill Value DDR4 8Gb (1x8Gb) 2400MHz (F4-2400C17S-8GNT) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL17; схема таймингов памяти: 17-17-17-39; рабочее напряжение: 1.2 В.

Модуль памяти G.Skill Aegis DDR4 16Gb (1x16Gb) 3000MHz (F4-3000C16S-16GISB) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 16 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 3000 МГц; CAS Latency (CL): CL16; схема таймингов памяти: 16-18-18-38; рабочее напряжение: 1.35 В; поддержка XMP; особенности: с охлаждением (радиатор); цвет радиатора: чёрный. ... развернутьсвернуть

Модуль памяти Apacer DDR4 8Gb (1x8Gb) 2666Mhz (EL.08G2V.GNH) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2666 МГц; CAS Latency (CL): CL19; рабочее напряжение: 1.2 В.

Модуль памяти SODIMM 4G DDR3 1600MHz SAMSUNG Original (M471B5173BHO-CKO)

Модуль памяти DDR4 4Gb 2666MHz AFOX (AFLD44FK1P)

Модуль памяти eXceleram DDR4 4GB 2666MHz LOGO Series (EL404269A)

Модуль памяти DDR4 4GB 2666 MHz eXceleram (E404266B)

Модуль памяти Netac SoDIMM DDR3L 4GB 1600MHz (NTBSD3N16SP-04)

DDR3, 8 ГБ, В наборе - 1, 1600 MHz, CL11, 1.35 V, 260-pin SO-DIMM, non-ECC, нет

DDR4, 4 ГБ, В наборе - 1, 2666 MHz, CL19-19-19, 1.2 V

Модуль памяти DDR4 4G 2666MHz AFOX CL19 (box) (AFLD44FN1P)

SODIMM 2G DDR3 1600MHz GOLDEN MEMORY 1.35V (box) (GM16LS11/2)

Модуль пам'яті DDR5 8GB 5600 Samsung original C40 (M323R1GB4DB0-CWM)

DDR4 8G 3200MHz SAMSUNG (SEC432N16/8)

DDR4 8G 3200MHz GOLDEN MEMORY (box) (GM32N22S8/8)

Memory Module CRUCIAL DDR5 Module capacity 8Гб 5200 МГц Множитель частоты шины 42 1.1 В CT8G52C42U5 (CT8G52C42U5)

Модуль памяти DDR3 4GB 1600 MHz G.Skill (F3-1600C11S-4GNT) PC3-12800, CL11, NT Series, 1 планка

Модуль памяти Silicon Power SoDIMM DDR-3, 4096Mb, DDR-1600MHz, CL11 (SP004GBSTU160N02)

Модуль памяти Exceleram DDR3 4GB, 1600MHz, PC3-12800, CL11, 1.35V, 1 планка (E30227A)

Модуль памяти Silicon Power SoDIMM DDR3 4GB 1600MHz (SP004GLSTU160N02) - 1 модуль памяти DDR3L; объем модуля 4 Гб; форм-фактор SODIMM, 204-контактный; частота 1600 МГц; CAS Latency (CL): 11.

Модуль памяти eXceleram DDR3 4GB 1333MHz (E30209A) - DDR3; 4 GB; количество модулей в наборе: 1; 1333 MHz; CL9; 1.5V.

Модуль памяти Golden Memory DDR4 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (GM24N17S8/4) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL17; схема таймингов памяти: 17-17-17-39; рабочее напряжение: 1.2 В.

SODIMM 4G DDR4 2666MHz SILICON POWER (box) (SP004GBSFU266X02)

Модуль памяти G.Skill Ripjaws V Gunmetal Gray DDR4 16Gb 3200MHz (F4-3200C16D-16GVGB) - DIMM DDR4; 16 ГБ; 2 х 8 ГБ; 3200 МГц; CL16; схема таймингов памяти: 16-18-18-38; 1.35 В; поддержка XMP; с охлаждением (радиатор); цвет радиатора: Gray.

Модуль памяти Geil Evo X RGB DDR4 16Gb (2x8Gb) 3200MHz (GEXB416GB3200C16ADC) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 16 ГБ; количество модулей в комплекте: 2 х 8 ГБ; тактовая частота: 3200 МГц; CAS Latency (CL): CL16; схема таймингов памяти: 16-16-16-36; рабочее напряжение: 1.35 В; поддержка XMP; особенности: подсветка, с охлаждением (радиатор); тип подсветки: регулируемая RGB; цвет радиатора: чёрный. ... развернутьсвернуть

Модуль пам'яті для комп'ютера DDR4 16GB (2x8GB) 3600 MHz Ripjaws V G.Skill (F4-3600C19D-16GVRB)

Модуль памяти DDR4 16GB (2x8GB) 3600 G.Skill Ripjaws V C16-16-16-36 набор из 2-х модулей Hynix D-die (F4-3600C16D-16GVKC)