Оперативная память

DDR4, 8 ГБ, У наборі - 2, Частота пам'яті - 2666 МГц, Таймінги - CL16-17-17-36, Напруга живлення - 1.2 В, Підсвічування - немає

Модуль памяти G.Skill DDR4 16Gb (1x16Gb) 2400MHz (F4-2400C15S-16GIS) - тип памяти: DDR4; форм-фактор: DIMM 288-контактный; тактовая частота: 2400 МГц; пропускная способность: 19200 Мб/с; объем: 1 модуль 16 Гб; CAS Latency (CL): 15; RAS to CAS Delay (tRCD): 15; Row Precharge Delay (tRP): 15; Activate to Precharge Delay (tRAS): 35; напряжение питания: 1.2 В; радиатор. ... развернутьсвернуть

Модуль памяти DDR4 16GB 3200MHz 1.2V Apacer (EL.16G21.GSH)

DDR4 8GB 3200MHz AFox, Retail (AFLD416PH1P)

Оперативная память LEXAR 16GB DDR5-4800 (LD5DS016G-B4800GSST)

DDR4, 16 ГБ, У наборі - 1, Частота пам'яті - 2666 МГц, Таймінги - CL19-19-19, Напруга живлення - 1.2 В, Підсвічування - немає

Тип памяти - DDR4, Объем памяти - 16 ГБ, Количество модулей в наборе - 1, Частота памяти - 2666 MHz, Тайминги - CL19, Напряжение - 1.2 V

Тип памяти - DDR4, Объем памяти - 16 ГБ, Количество модулей в наборе - 1, Частота памяти - 2666 MHz, CL19, Напряжение - 1.2 V

DDR4, 16 ГБ, В наборе - 1, 2666 MHz, CL19, 1.2 V, 260-pin SO-DIMM, non-ECC

DDR4 16Bb 2666MHz HP V2, Retail (7EH56AA)

DDR4, 16 ГБ, В наборе - 1, 3200 МГц, CL12, 1.2 В, 260-pin SO-DIMM, non-ECC, нет

Модуль памяти DIMM 16GB PC28800 DDR4 AX4U360016G18I-ST50 ADATA (AX4U360016G18I-ST50)

Mushkin 8GB DDR3-1066 PC3-8500 7-7-7-20 < 992019 > 1.5V SO-DIMM (M992019)

Модуль памяти Transcend JetRam DDR4 SoDIMM 8GB 3200MHz (JM3200HSB-8G)

Модуль памяти TRANSCEND DIMM 8GB JetRam DDR4 3200 1Rx16 CL19 1.2V (JM3200HLB-8G)

DDR4, 8 ГБ, В наборе - 1, 3200 MHz, CL22, 1.2 V

DDR4 8Gb 3000MHz HP V8 RGB, Retail (7EH82AA)

Память AddLink 8GB DDR4 3200MHz Spider 4 (AG8GB32C16S4UB)

Модуль памяти DDR4 8GB/3200 Apacer NOX (AH4U08G32C28YMBAA-1) (AH4U08G32C28YMBAA-1)

DDR4, 8 ГБ, В наборе - 1, Частота памяти - 3600 МГц, Тайминги - CL18-22-22, Напряжение питания - 1.35 В, Подсветка - нет

DDR4, 8 ГБ, В наборе - 1, Частота памяти - 3600 МГц, Тайминги - CL18-22-22, Напряжение питания - 1.35 В, Подсветка - нет

Модуль памяти DDR4 16GB/3200 Dato (DT16G4DLDND32) (DT16G4DLDND32)

SoDIMM 8Gb DDR4 3200 MHz AFox, Retail (AFSD48PH1P)

Модуль памяти DDR3 4GB/1600 Prologix (PRO4GB1600D3) (PRO4GB1600D3)

Модуль памяти SO-DIMM DDR3 4GB/1600 Prologix (PRO4GB1600D3S) (PRO4GB1600D3S)

Модуль памяти eXceleram DDR4 4Gb (1x4Gb) 2666MHz (E404269A) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 4Gb; количество модулей в наборе: 1; частота памяти: 2666MHz; тайминги: CL19; напряжение: 1.2V; форм-фактор памяти: 288-pin DIMM; проверка и коррекция ошибок (ECC): non-ECC; буферизация: unbuffered.

Модуль памяти Samsung M471B5173DBO-YKO - форм-фактор и тип памяти: SO-DIMM DDR3L; объём памяти: 4ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 1600МГц; рабочее напряжение: 1.35В; количество ранков: 1 (M471B5173DBO-YKO)

Модуль памяти eXceleram Black Sark DDR3, 8GB (2x4GB), 1600MHz, PC3-12800, CL11, 1.5V, 2 планки (E30173A)

Модуль памяти eXceleram DDR4 16Gb (1x16Gb) 2666MHz (E416269A) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 16Gb; количество модулей в наборе: 1; частота памяти: 2666MHz; тайминги: CL19; напряжение: 1.2V; форм-фактор памяти: 288-pin DIMM; проверка и коррекция ошибок (ECC): non-ECC; буферизация: unbuffered.

Модуль памяти eXceleram DDR4 8Gb (1x8Gb) 2666MHz (E408269A) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 8Gb; количество модулей в наборе: 1; частота памяти: 2666MHz; тайминги: CL19; напряжение: 1.2V; форм-фактор памяти: 288-pin DIMM; проверка и коррекция ошибок (ECC): non-ECC; буферизация: unbuffered.