Оперативная память

Модуль памяти Hynix SO-DIMM 8GB/1600 DDR3L (HMT41GS6BFR8A-PB)

Модуль памяти SoDIMM DDR4 8GB HYNIX ORIGINAL 2400 MHz, CL17, 1.2V (HMA81GS6AFR8N-UH)

Модуль памяти SO-DIMM 8GB/2400 DDR4 Micron (MTA8ATF1G64HZ-2G3B1)

Модуль памяти DDR4 8GB 3200 Samsung original C22 (M378A1G44AB0-CWE)

Модуль памяти Samsung 8GB SO-DIMM DDR4 2133MHz (M471A1K43BB0-CPB)

пам'ять MICRON DDR3 SO-DIMM 1600 8Gb C11 1.35v (MT16KTF1G64HZ-1G6D1)

Модуль памяти Hynix 8 GB DDR3L 1600 MHz (HMT41GU6AFR8A-PB) 1,35V (HMT41GU6AFR8A-PB)

Модуль памяти Micron 8GB SO-DIMM DDR4 2400 MHz (MTA8ATF1G64HZ-2G3E1)

Пам'ять Hynix 8GB SO-DIMM DDR3L 1600 MHz ECC (HMT41GA7AFR8A-PB)

Память для ноутбуков Ramaxel 8 GB SO-DIMM DDR3L 1600 MHz (RMT3160MP68FAF-1600)

Память Micron 8 GB DDR4 2133 MHz (MTA16ATF1G64AZ-2G1B1)

Модуль памяти Samsung SO-DIMM, DDR3, 8GB, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: CL11, рабочее напряжение: 1,35 В (M471B1G73QH0-YK0)

DDR3 8G 1600Mhz HYNIX Org 1.35V (HMT41GU6DFR8A-PB)

Модуль памяти Hynix DDR3 8Gb (1x8Gb) 1600Mhz (HMT41GU6BFR8C-PB) - DDR3; DIMM 240-контактный; 1600 МГц; пропускная способность: 12800 Мб/с; 1 модуль 8 Гб; количество чипов каждого модуля: 16; двусторонняя упаковка; 1.5 В.

Модуль памяти Hynix DDR4 8Gb (1x8Gb) 2400MHz (HMA81GU6AFR8N-UH) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 8 ГБ; количество модулей: 1х8 Гб; частота (пропускная способность): 2400 МГц (19200 МБ/с); тайминги: CL17; питание: 1.2 В.

Модуль памяти MICRON DDR3 SO-DIMM 1600 8Gb C11 (MT16KTF1G64HZ-1G6N1)

Модуль памяти HYNIX SO-DIMM DDR4 8GB 2133MHZ CL15 1.2V (HMA41GS6AFR8N-TF)

Модуль памяти DDR3 8GB 1600 MHz Hynix 1,35V (HMT41GU6BFR8A-PB)

Модуль памяти MICRON DDR3 SO-DIMM 1600 8Gb C11 1.35v (MT16KTF1G64HZ-1G6E1)

пам'ять MICRON DDR3 1600 8Gb C11 1.35v (MT16KTF1G64AZ-1G6E1)

Пам'ять Hynix 8 GB DDR3 1600 MHz - (HMT41GU6AFR8C-PB)

пам'ять Ramaxel 8GB DDR3L 1600 MHz (RMR5040ME68FAF-1600)

Модуль памяти DDR5 2x32GB/5200 G.Skill Flare X5 (F5-5200J3636D32GX2-FX5) (F5-5200J3636D32GX2-FX5)

Модуль памяти Samsung So-Dimm DDR3 8GB 1600MHz Original (M471B1G73EB0-YK0) - 1 модуль памяти DDR3; объем памяти: 8 GB; частота шины: 1600 MHz; латентность (тайминги): CL11.

Модуль памяти Micron Crucial DDR3 8Gb 1600MHz (CT102464BD160B) - DDR3; 8 Гб; 1х8 Гб; 1600 МГц (12800 Мб/с); CL11; 1.35 В.

Память Dell EMC 16GB RDIMM, Dual Rank (370-3200R16)

1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11 (M378B1G73QH0-CK0)

Модуль памяти Samsung DDR3 8Gb (1x8Gb) 1600MHz (M378B1G73DB0-CK0) - тип памяти: DDR3; объем памяти: 8 ГБ; количество модулей: 1х8 Гб; частота (пропускная способность): 1600 МГц (12800 МБ/с); тайминги: CL11; питание: 1.5 В.

Модуль памяти Hynix Original DDR3 8Gb PC3 -12800 CL11 1600MHz (HMT41GU6MFR8C-PB)

Модуль памяти Samsung DDR3 8GB 1600MHz (M378B1G73EB0-YK0) - DIMM DDR3; 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; 1600 МГц; CL11; схема таймингов памяти: 11-11-11; 1.35 В; количество микросхем на планке: 16; тип микросхем: 1Gx64; упаковка микросхем: двусторонняя; количество ранков: 2.