Оперативная память

Модуль памяти Hynix DDR3 So-DIMM, 8GB, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: CL11, рабочее напряжение: 1.5В (HMT41GS6MFR8C-PB)

Модуль памяти Samsung Semiconductor - 1 модуль памяти DDR3L, объем модуля 8 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11 (M471B1G73DB0-YK0)

Модуль памяти SO-DIMM 8Gb DDR3 1600MHz Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 1.35В

Модуль памяти Kingston DDR3 SoDIMM, 8GB, 1600MHz, PC3-12800, CL11, 1.35V, 1 планка (KVR16LS11/8G)

Модуль памяти Samsung SO-DIMM, DDR3, 8GB, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: CL11, рабочее напряжение: 1,35 В (M471B1G73QH0-YK0)

Модуль памяти Hynix DDR3 8Gb (1x8Gb) 1600Mhz (HMT41GU6BFR8C-PB) - DDR3; DIMM 240-контактный; 1600 МГц; пропускная способность: 12800 Мб/с; 1 модуль 8 Гб; количество чипов каждого модуля: 16; двусторонняя упаковка; 1.5 В.

Модуль памяти Samsung So-Dimm DDR3 8GB 1600MHz Original (M471B1G73EB0-YK0) - 1 модуль памяти DDR3; объем памяти: 8 GB; частота шины: 1600 MHz; латентность (тайминги): CL11.

Модуль памяти Micron Crucial DDR3 8Gb 1600MHz (CT102464BD160B) - DDR3; 8 Гб; 1х8 Гб; 1600 МГц (12800 Мб/с); CL11; 1.35 В.

1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11 (M378B1G73QH0-CK0)

Модуль памяти Samsung DDR3 8GB 1600MHz (M378B1G73EB0-YK0) - DIMM DDR3; 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; 1600 МГц; CL11; схема таймингов памяти: 11-11-11; 1.35 В; количество микросхем на планке: 16; тип микросхем: 1Gx64; упаковка микросхем: двусторонняя; количество ранков: 2.

1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11

Форм-фактор и тип памяти: SoDIMM DDR3; Объем памяти: 4 GB; Тактовая частота: 1600 MHz; CAS Latency (CL): CL11; Рабочее напряжение: 1.5 В; Количество модулей в комплекте: 1 (HMT351S6CFR8C-PB)

Модуль памяти Samsung DDR3, SO-DIMM, 4GB, PC3-12800, штатные тайминги: CL11, рабочее напряжение: 1,5 В (M471B5273DH0-CK0)

Модуль памяти Samsung DDR3 4GB, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: CL11, рабочее напряжение: 1.5В (M378B5173BH0-CK0)

Модуль памяти Samsung DDR3 SoDIMM 4GB, 1600MHz, 1.35V (M471B5173BH0-YK0)

Модуль памяти SAMSUNG DDR3 4GB 1600 MHz (M378B5273DH0-CK0 / M378B5273CH0-CK000), PC3-12800, CL9, 1 планка

1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц (M378B5173CB0-CK0)

1 модуль памяти DDR3L, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11

1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц (M378B5173QH0-CK0)

Модуль памяти Samsung DDR3 SoDimm 1x4Gb 1600Mhz (M471B5173QH0-YK0) - для ноутбуков (SoDimm); DDR3L; 1x4Gb; 1600Mhz; CL11; 1.35 В.

Модуль памяти Samsung Original DDR3 SoDIMM 4Gb 1600GHz (M471B5173EB0-YK0) - DDR3; 4 Г; 1x4 Гб; 1600 МГц (12800 Мб/с); CL11; 1.35 В.

Модуль памяти Hynix DDR3 SoDIMM 4GB, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: CL9, рабочее напряжение: 1.35 В (HMT451S6BFR8A-PB)

Модуль памяти Samsung DDR3 4Gb 1600MHz (M378B5173EB0-YK0) - DIMM DDR3; 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; 1600 МГц; CL11; схема таймингов памяти: 11-11-11; 1.35 В; количество микросхем на планке: 8; тип микросхем: 512Mx4; упаковка микросхем: односторонняя; количество ранков: 1.

Модуль памяти Hynix DDR3 SoDIMM 4Gb 1600MHz (HMT451S6DFR8A-PB) - DDR3; 4 Гб; 1x4 Гб; 1600 МГц (12800 Мб/с); CL11; 1.35 В.

Модуль памяти Samsung DDR3 SoDIMM 4Gb 1600MHz (M471B5173DB0-YK0) - DDR3; 4 Гб; 1x4 Гб; 1600 МГц (12800 Мб/с); CL11; 1.35 В/1.5

1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, поддержка ECC (M378B5173DB0-CK0)

Модуль памяти Samsung Original DDR3 4GB, 1600GHz, PC3-12800, штатные тайминги: CL11, рабочее напряжение: 1.5В (M378B5173EB0-CK0)

Модуль памяти Hynix original DDR3, 4GB, 1600MHz, PC3-12800 (HMT451U6BFR8C-PB)

Модуль памяти Hynix original DDR3, 4GB, 1600MHz, CL11 (HMT451U6AFR8C-PB)

1 модуль памяти DDR3, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11