Оперативная память

Модуль памяти Hynix 8 GB SO-DIMM DDR4 3200 MHz (HMA81GS6CJR8N-XN)

Память Hynix 8GB SO-DIMM DDR4 3200 MHz (HMAA1GS6CJR6N-XN)

Память MICRON 8GB SO-DIMM DDR4 3200 MHz (MTA4ATF1G64HZ-3G2E2)

Память для ноутбуков Micron 8 GB SO-DIMM DDR4 3200 MHz (MTA8ATF1G64HZ-3G2J1)

Kingston DRAM 64GB 6000MT/s DDR5 CL40 DIMM (Kit of 2) FURY Beast White XMP EAN: 740617333343 (KF560C40BWK2-64)

Модуль памяти Kingston DDR3 SO-DIMM 8GB 1333MHz, PC3-10600, рабочее напряжение: 1,5 В, для Apple iMac, MacBook Pro (KTA-MB1333/8G)

Оперативная память; PC3-10600; штатные тайминги: CL9; рабочее напряжение: 1,35 В (CT102464BF1339)

Память NeoForza 8GB SO-DIMM DDR4 3200MHz (NMSO480E82-3200EA00)

Модуль памяти DDR5 2x32GB/6000 G.Skill Trident Z5 RGB Silver (F5-6000J3040G32GX2-TZ5RK) (F5-6000J3040G32GX2-TZ5RK)

Оперативная память Axiom 8GB SO-DIMM DDR3 1333 MHz (102464Z11D313811)

Модуль памяти DDR4 2x32GB/2666 Kingston Fury Beast Black (KF426C16BBK2/64)

KINGSTON KF560C40BBAK2-32 модуль пам'яті 32GB DDR5 6000MHz Fury Beast RGB 2* 16 KF560C40BBAK2-32 (KF560C40BBAK2-32)

Модуль памяти DDR5 2х32GB/6000 Goodram IRDM Black (IR-6000D564L30/64GDC) (IR-6000D564L30/64GDC)

Модуль памяти Samsung DDR4 SoDIMM 8Gb (1x8Gb) 2133MHz (M471A1G43DB0-CPB) - DDR4; 8 Гб; 1x8 Гб; 2133 МГц (17060 Мб/с); CL15; 1.2V.

Оперативная память Hynix SO-DIMM DDR4 8GB ORIGINAL 2666 MHz, CL19, 1.2V (HMA81GS6JJR8N-VK)

Память Samsung 8 GB DDR4 2133 MHz - (M378A1K43BB1-CPB)

Модуль памяти DDR5 2x32GB/6000 G.Skill Trident Z5 Neo (F5-6000J3040G32GX2-TZ5N) (F5-6000J3040G32GX2-TZ5N)

Kingston DRAM 64GB 5200MT/s DDR5 CL40 DIMM (Kit of 2) FURY Beast Black EAN: 740617326550 (KF552C40BBK2-64)

Модуль памяти DDR5 2х32GB/5600 Goodram IRDM Black (IR-5600D564L30/64GDC) (IR-5600D564L30/64GDC)

Модуль памяти Hynix DDR3 So-DIMM, 8GB, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: CL11, рабочее напряжение: 1.5В (HMT41GS6MFR8C-PB)

Модуль памяти Samsung DDR4 8Gb 2133MHz (M378A1G43EB1-CPB) - DDR4; 8 Гб; 1х8 Гб; 2133 МГц (17060 Мб/с); CL15; 1.2 В.

Модуль памяти Hynix DDR4 8GB 2133MHz (HMA41GU6AFR8N-TF) - DDR4; 8 Гб; количество модулей в комплекте: 1; 2133 МГц.

Модуль памяти Samsung DDR4 8Gb (1x8Gb) 2400MHz (M378A1K43CB2-CRC) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL15; рабочее напряжение: 1.2 В.

Модуль памяти Crucial DDR4 SoDIMM 8Gb (1x8Gb) 2666MHz (CT8G4SFS8266) - тип: оперативная память; тип памяти: DDR4; суммарный объем памяти всего комплекта: 8 ГБ; объем одного модуля памяти: 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; частота: 2666 МГц; пропускная способность: PC21300; CAS Latency (CL): 19; напряжение питания: 1.2 В.

Модуль памяти для ноутбука SAMSUNG 8GB 2666Mhz DDR4 1.2v SODIMM (M471A1K43CB1-CTD)

Модуль памяти Hynix 8Gb SO-DIMM DDR4 2400MHz 1.2 V (HMA81GS6MFR8N-UH)

MICRON 8 GB SO-DIMM DDR4 2666 MHz (MTA8ATF1G64HZ-2G6D1)

Память MICRON DDR4 2400 8Gb C17 (MTA8ATF1G64AZ-2G3B1) 1.2v (MTA8ATF1G64AZ-2G3B1)

Память Samsung DDR3L-1600 8GB SO-DIMM PC3-12800 (M471B1G73BH0-YK0)

пам'ять SO-DIMM DDR4 8GB Hynix (HMA81GS6DJR8N-VK) 2666 MHz, CL18, 1.2 V (HMA81GS6DJR8N-VK)