Технология Host Memory Buffer Средствами шины PCI Express технология Host Memory Buffer (HMB) обеспечивает прямой доступ к памяти в режиме DMA, что позволяет SSD-накопителю задействовать ресурсы установленной на ПК DRAM-памяти, в качестве альтернативы собственному DRAM-буферу.
Выдающаяся производительность
Форм-фактор (габариты, мм): M.2 2280
Интерфейс: PCI-Express 3.0 x4, NVMe 1.3
Заявленная емкость: 512 Гбайт
Скорость последовательного чтения: до 1700 Мбайт/с
Скорость последовательной записи: до 1550 Мбайт/с
Технология HMB (Host Memory Buffer)
Поддержка TRIM и S.M.A.R.T
Дополнительно
Наработка на отказ
1.5 млн.часов
Другие
Артикул
GP-GSM2NE3512GNTD
Гарантия, мес
36
Модель
M.2 2280 512GB
Примечание
Производитель может менять свойства, характеристики, внешний вид и комплектацию товаров без предварительного уведомления
Производитель
Gigabyte
Штрихкод
4719331806880
Основные характеристики
Интерфейс подключения
PCI Express 3.0 x4
Объем памяти
512 GB
Скорость записи
1550 Mb/s
Скорость чтения
1700 Mb/s
Тип накопителя
внутренний
Тип флеш-памяти
3D TLC
Форм-фактор
M.2
Физические характеристики
Габариты
80 x 22 x 2.3 мм
Отзывы (0)
Оставьте отзыв
Представьтесь нам
E-mail
Сообщение
Ваша оценка товара:
Доставка товаров в следующие города: Киев, Харьков, Одесса, Львов, Днепропетровск, Николаев, Полтава, Ровно, Сумы, Тернополь, Ивано-Франковск, Кировоград, Херсон, Хмельницкий, Черкассы, Чернигов, Черновцы, Винница, Луцк, Житомир, Запорожье, Ужгород.