Оперативная память
Код товара: 105-582
Есть в наличииМодуль памяти G.SKILL Original Value Series - NT DDR3, 4GB, 1333MHz, PC3-10600, CL9, 1 планка (F3-10600CL9S-4GBNT)
Код товара: 116-949
Есть в наличии
1 модуль памяти DDR3,
объем модуля 4 Гб,
форм-фактор SODIMM, 204-контактный,
частота 1333 МГц,
CAS Latency (CL): 9 (E30802S)
Код товара: 239-680
Есть в наличии
Модуль памяти Patriot Signature DDR3 4Gb 1600MHz (PSD34G16002) - DIMM DDR3; 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; 1600 МГц; CL11; 1.5 В.
Код товара: 284-230
Есть в наличии
Модуль памяти Team Elite SoDIMM DDR3 4Gb 1600MHz (TED34G1600C11-S01) - DDR3; 4 Гб; 1x4 Гб; 1600 МГц (12800 Мб/с); CL11; 1.5 В.
Код товара: 142-070
Есть в наличии
1 модуль памяти DDR3,
объем модуля 4 Гб,
форм-фактор DIMM, 240-контактный,
частота 1600 МГц,
CAS Latency (CL): 11
Код товара: 347-524
Есть в наличии
Модуль памяти GOODRAM DDR3, 4GB, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: 11-11-11-28, рабочее напряжение: 1,5 В (GR1600D364L11S/4G)
Код товара: 347-939
Есть в наличии
1 модуль памяти DDR3,
объем модуля 4 Гб,
форм-фактор DIMM, 240-контактный,
частота 1600 МГц,
поддержка ECC (M378B5173DB0-CK0)
Код товара: 320-039
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR3 SoDimm 1x4Gb 1600Mhz (M471B5173QH0-YK0) - для ноутбуков (SoDimm); DDR3L; 1x4Gb; 1600Mhz; CL11; 1.35 В.
Код товара: 369-675
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR3 SoDIMM 4GB, 1600MHz, 1.35V (M471B5173BH0-YK0)
Код товара: 375-107
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung Original DDR3 SoDIMM 4Gb 1600GHz (M471B5173EB0-YK0) - DDR3; 4 Г; 1x4 Гб; 1600 МГц (12800 Мб/с); CL11; 1.35 В.
Код товара: 384-568
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung Original DDR3 4GB, 1600GHz, PC3-12800, штатные тайминги: CL11, рабочее напряжение: 1.5В (M378B5173EB0-CK0)
Код товара: 186-274
Есть в наличии
Модуль памяти DDR3 4GB 1600 MHz G.Skill (F3-1600C11S-4GNT)
PC3-12800, CL11, NT Series, 1 планка
Код товара: 386-488
Есть в наличии
Модуль памяти Exceleram DDR3 4GB, 1600MHz, PC3-12800, CL11, 1.35V, 1 планка (E30227A)
Код товара: 203-219
Есть в наличии
Модуль памяти Patriot Signature DDR3 4Gb 1333MHz (PSD34G13332) - DIMM DDR3; 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; 1333 МГц; CL9; 1.5 В; количество ранков: 2.
Код товара: 386-502
Есть в наличии
Модуль памяти Exceleram SoDIMM, DDR3, 4GB, 1600MHz, PC3-10666, CL9, 1.35V, 1 планка (E30211S)
Код товара: 204-536
Есть в наличии
1 модуль памяти DDR3,
объем модуля 4 Гб,
форм-фактор DIMM, 240-контактный,
частота 1600 МГц (M378B5173CB0-CK0)
Код товара: 376-868
Есть в наличии
Модуль памяти Tem DDR3, 4GB, 1600MHz, PC3-12800, CL11, 1.5 В (TED3L4G1600C1101)
Код товара: 377-261
Есть в наличии
Модуль памяти Hynix original DDR3, 4GB, 1600MHz, PC3-12800 (HMT451U6BFR8C-PB)
Код товара: 378-981
Есть в наличии
Модуль памяти Hynix original DDR3, 4GB, 1600MHz, CL11 (HMT451U6AFR8C-PB)
Код товара: 240-635
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR3, SO-DIMM, 4GB, PC3-12800, штатные тайминги: CL11, рабочее напряжение: 1,5 В (M471B5273DH0-CK0)
Код товара: 407-592
Есть в наличии
Модуль памяти Patriot DDR4 4Gb 2400MHz (PSD44G240081) - DDR4; 4 Гб; количество модулей: 1х4 Гб; частота (пропускная способность): 2400 МГц (19200 Мб/с); CL16; 1.2 В.
Код товара: 408-958
Есть в наличии
Модуль памяти Patriot DDR3 SoDIMM 4Gb 1600MHz (PSD34G1600L81) - DDR3; 4Гб; 1х4 Гб; 1600 МГц (12800 Мб/с); CL11; 1.35V.
Код товара: 432-982
Есть в наличии
Модуль памяти Team Elite SoDIMM DDR4 4Gb 2400MHz (TED44G2400C16-S01) - DDR4; 4 Гб; 1x4 Гб; 2400 МГц (19200 Мб/с); CL16; 1.2 В.
Код товара: 403-270
Есть в наличии
Модуль памяти Crucial So-Dimm DDR3 4GB 1066MHz (CT4G3S1067M) - 1 модуль памяти DDR3; объем модуля 4 Гб; форм-фактор SODIMM, 204-контактный; частота 1066 МГц; CAS Latency (CL): 7.
Код товара: 260-366
Есть в наличии
1 модуль памяти DDR3L,
объем модуля 4 Гб,
форм-фактор SODIMM, 204-контактный,
частота 1600 МГц,
CAS Latency (CL): 11
Код товара: 289-943
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR3 4GB, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: CL11, рабочее напряжение: 1.5В (M378B5173BH0-CK0)
Код товара: 280-218
Есть в наличии
Оперативная память; PC3-10600; штатные тайминги: 9-9-9-24; рабочее напряжение: 1,5 В (TED34G1333C901)
Код товара: 425-411
Есть в наличии
Модуль памяти Team Elite U-DIMM DDR4 4Gb 2400MHz (TED44G2400C1601) - DDR4; 4 Гб; 1х4 Гб; 2400 МГц (19200 Мб/с); CL16; 1.2 В.
Код товара: 417-256
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR4 4Gb 2133MHz (M378A5143EB1-CPB) - DDR; 4 Гб; 1х4 Гб; 2133 МГц (17060 Мб/с); CL15; 1.2 В.
Код товара: 438-069
Есть в наличии
Модуль памяти Hynix DDR3 SoDIMM 4Gb 1600MHz (HMT451S6DFR8A-PB) - DDR3; 4 Гб; 1x4 Гб; 1600 МГц (12800 Мб/с); CL11; 1.35 В.
Код товара: 307-787
Есть в наличии
1 модуль памяти DDR3,
объем модуля 4 Гб,
форм-фактор DIMM, 240-контактный,
частота 1600 МГц,
CAS Latency (CL): 11
Код товара: 319-497
Есть в наличии
1 модуль памяти DDR3,
объем модуля 4 Гб,
форм-фактор DIMM, 240-контактный,
частота 1600 МГц (M378B5173QH0-CK0)
Код товара: 323-280
Есть в наличии
1 модуль памяти DDR3,
объем модуля 4 Гб,
форм-фактор DIMM, 240-контактный,
частота 1600 МГц,
CAS Latency (CL): 11
Код товара: 309-529
Есть в наличии
Модуль памяти Silicon Power SoDIMM DDR-3, 4096Mb, DDR-1600MHz, CL11 (SP004GBSTU160N02)
Код товара: 356-493
Есть в наличии
Форм-фактор и тип памяти: SoDIMM DDR3; Объем памяти: 4 GB; Тактовая частота: 1600 MHz; CAS Latency (CL): CL11; Рабочее напряжение: 1.5 В; Количество модулей в комплекте: 1 (HMT351S6CFR8C-PB)
Код товара: 358-848
Есть в наличии
Модуль памяти GOODRAM DDR3 SoDIMM 4Gb, 1600MHz, 1.5V (GR1600S364L11S/4G)
Код товара: 446-223
Есть в наличии
Модуль памяти Micron Crucial DDR4 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (CT4G4SFS824A) - DDR4; 4 Гб; 1x4 Гб; 2400 МГц (19200 Мб/с); CL17; 1.2 В.
Код товара: 446-304
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR4 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 2133MHz (M471A5143EB0-CPB) - DDR4; 4 Гб; 1x4 Гб; 2133 МГц (17060 Мб/с); CL15; 1.2 В.
Код товара: 430-250
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR4 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 2133Mhz (M471A5143DB0-CPB) - форм-фактор и тип памяти: SoDIMM DDR4; объём памяти: 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2133 МГц; CAS Latency (CL): CL17; схема таймингов памяти: 17-15-15; рабочее напряжение: 1.2 В; количество ранков: 1.
Код товара: 358-852
Есть в наличии
Модуль памяти GOODRAM 4Gb SoDIMM DDR3 1600 MHz PC3-12800, штатные тайминги: CL11, рабочее напряжение: 1,35 В (GR1600S3V64L11S/4G)
Код товара: 358-849
Есть в наличии
Модуль памяти GOODRAM DDR3 SO-DIMM, 4GB, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: CL11, рабочее напряжение: 1,35 В (GR1600S3V64L11/4G)
Код товара: 332-606
Есть в наличии
Модуль памяти eXceleram DDR3 SO-DIMM 4GB 1600MHz CL11, 1.5V, 1 планка (E30170A)
Код товара: 334-012
Есть в наличии
Модуль памяти GOODRAM DDR3 4GB 1333MHz, PC3-10600Mb/sec, штатные тайминги: 9-9-9-24, рабочее напряжение: 1,5 В (GR1333D364L9S/4G)
Код товара: 437-316
Есть в наличии
Модуль памяти eXceleram DDR3 4Gb (1x4Gb) 1333MHz (E30225A) - тип памяти: DDR3; объем памяти: 4Gb; количество модулей в наборе: 1; частота памяти: 1333MHz; тайминги: CL9; напряжение: 1.35V.
Код товара: 452-859
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR4 4Gb (1x4Gb) 2133MHz (M378A5143DB0-CPB) - форм-фактор и тип памяти: SoDIMM DDR4; объём памяти: 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL17; рабочее напряжение: 1.2 В; количество ранков: 1.
Код товара: 456-648
Есть в наличии
Модуль памяти Hynix DDR3 SoDIMM 2Gb (1x2Gb) 1600MHz (HMT325S6CFR8C-PB) - объем памяти: 2 ГБ; тип памяти: SODIMM DDR3; напряжение питания: 1.5 В; частота памяти: 1333 МГц; эффективная пропускная способность: 10600 Мбит/с; схема таймингов памяти: CL9; количество планок: 1; назначение: для ноутбуков; проверка и коррекция ошибок (ECC): non-ECC.
Код товара: 456-695
Есть в наличии
Модуль памяти eXceleram DDR2 2Gb (1x2Gb) 800MHz (E20103A) - тип памяти: DDR2; объем памяти: 2Gb; количество модулей в наборе: 1; частота памяти: 800MHz; тайминги: CL6; напряжение: 1.8V; форм-фактор памяти: 240-pin DIMM; проверка и коррекция ошибок (ECC): non-ECC; буферизация: unbuffered.
Код товара: 369-667
Есть в наличии
Модуль памяти Team DDR3 4GB 1600MHz PC3-12800, штатные тайминги: 11-11-11-28, рабочее напряжение: 1,5 В (TED34G1600C1101)
Код товара: 358-477
Есть в наличии
Модуль памяти Team Elite DDR3 SoDIMM 4GB 1600MHz, PC3-12800, CL11, 1.35V (TED3L4G1600C11-S01)
Код товара: 360-056
Есть в наличии
Модуль памяти Hynix DDR3 SoDIMM 4GB, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: CL9, рабочее напряжение: 1.35 В (HMT451S6BFR8A-PB)
Код товара: 391-846
Есть в наличии
Модуль памяти Exceleram DDR3 4GB 1333MHz, PC3-10600, штатные тайминги: 9-9-9-24, рабочее напряжение: 1.5V (E30140A)
Код товара: 395-449
Есть в наличии
Модуль памяти eXceleram white Sark DDR3 4GB 1600MHz (E30300A) - объем памяти: 4 GB; тип памяти: DDR3; частота шины: 1600 MHz; латентность (тайминги): CL11 (11-11-11-27); номинальное напряжение: 1.5V; кол-во модулей в комплекте: (Kit: 1x4GB); радиатор; Unbuffered.
Код товара: 457-650
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR2 2Gb (1x2Gb) 800MHz (M378T5663EH3-CF7/M378T5663FB3-CF7) - тип памяти: DDR2; объем памяти: 2Gb; количество модулей в наборе: 1; частота памяти: 800MHz; тайминги: CL6.
Код товара: 102-135
Есть в наличии
Модуль памяти Hynix DDR3, 2GB, 1333MHz, PC3-10600, штатные тайминги: 9-9-9-24, рабочее напряжение 1,5 В (HMT325U6BFR8C)
Код товара: 358-941
Есть в наличии
Модуль памяти для компьютера DDR3 4GB 1600 MHz Elite Plus Team (TPD34G1600HC1101)
Код товара: 392-817
Есть в наличии
Модуль памяти GooDRAM DDR3 4GB 1600MHz (GR1600D3V64L11S/4G) - объем памяти: 4 GB; тип памяти: DDR3; частота шины: 1600 MHz; латентность (тайминги): CL11.
Код товара: 400-359
Есть в наличии
Модуль памяти Silicon Power SoDIMM DDR3 4GB 1600MHz (SP004GLSTU160N02) - 1 модуль памяти DDR3L; объем модуля 4 Гб; форм-фактор SODIMM, 204-контактный; частота 1600 МГц; CAS Latency (CL): 11.
Код товара: 392-722
Есть в наличии
Модуль памяти Silicon Power DDR3 4GB 1600MHz (SP004GLLTU160N02) - 1 модуль памяти DDR3L; объем модуля 4 Гб; форм-фактор DIMM, 240-контактный; частота 1600 МГц; CAS Latency (CL): 11.
Код товара: 432-875
Есть в наличии
Модуль памяти Geil DDR4 4GB 2400MHz (GN44GB2400C16S) - DDR4; DIMM 288-контактный; 2400 МГц; пропускная способность: 19200 Мб/с; 1 модуль 4 Гб; CAS Latency (CL): 16; 1.2 В.
Код товара: 435-150
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR3 4Gb 1600MHz (M378B5173EB0-YK0) - DIMM DDR3; 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; 1600 МГц; CL11; схема таймингов памяти: 11-11-11; 1.35 В; количество микросхем на планке: 8; тип микросхем: 512Mx4; упаковка микросхем: односторонняя; количество ранков: 1.
Код товара: 201-590
Есть в наличии
Модуль памяти Hynix DDR2 2GB, 800MHz, PC2-6400, штатные тайминги: CL6, рабочее напряжение: 1,8 В (HYMP125U64CP8-S6)
Код товара: 232-776
Есть в наличии
1 модуль памяти DDR2,
объем модуля 2 Гб,
форм-фактор SODIMM, 200-контактный,
частота 800 МГц (HYMP125S64CP8-S6)
Код товара: 439-840
Есть в наличии
Модуль памяти Patriot DDR3 SoDIMM 4Gb 1600MHz (PSD34G1600L2S) - DDR3L; SODIMM 204-контактный; 1600 МГц; пропускная способность: 12800 Мб/с; 1 модуль 4 Гб; CAS Latency (CL): 11; 1.35 В; количество ранков: 2.
Код товара: 419-753
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR3 SoDIMM 4Gb 1600MHz (M471B5173DB0-YK0) - DDR3; 4 Гб; 1x4 Гб; 1600 МГц (12800 Мб/с); CL11; 1.35 В/1.5
Код товара: 449-045
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung Original DDR4 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (M378A5244CB0-CRC) - DIMM DDR4; 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL17; схема таймингов памяти: 17-17-17; 1.2 В; количество ранков: 1.
Код товара: 449-123
Есть в наличии
Модуль памяти Patriot DDR3 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 1333MHz (PSD34G13332S) - DDR3; SoDIMM 204-контактный; 1333 МГц; пропускная способность: 10600 Мб/с; 1 модуль 4 Гб; CAS Latency (CL): 9; количество чипов каждого модуля: 8; двусторонняя упаковка; 1.5V; количество ранков: 2.
Код товара: 376-845
Есть в наличии
Модуль памяти Micron Crucial DDR2 2Gb (1х2Gb) 667MHz (CT25664AA667) - DDR2; 2 Гб; 1х2 Гб; 667 МГц (5330 Мб/с); CL5; 1.8 В.
Код товара: 389-430
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung original DDR3, 2GB, 1600MHz, PC3-12800 (M378B5773QB0-CK0)
Код товара: 391-659
Есть в наличии
Модуль памяти Hynix DDR3 2GB, 1333MHz, 1.5В, CL10, PC10600 (HMT325U6CFR8C-H9N0)
Код товара: 208-880
Есть в наличии
Модуль памяти Geil DDR3 2GB 1600MHz PC3-12800, штатные тайминги: CL11, рабочее напряжение: 1,5 В (GN32GB1600C11S)
Код товара: 239-658
Есть в наличии
1 модуль памяти DDR3,
объем модуля 2 Гб,
форм-фактор SODIMM, 204-контактный,
частота 1333 МГц (HMT325S6CFR8C-H9)
Код товара: 369-672
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung SO-DIMM DDR3 2Gb 1600MHz (M471B5674QH0-YK0) - DDR3; 2 Гб; 1x2 Гб; 1600 МГц (12800 Мб/с); CL11; 1.35 В / 1.5 В; вольтаж памяти зависит от партии поставки.
Код товара: 400-357
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR2 2GB 800MHz (M378B5663QZ3-CF7) - объем памяти: 2 GB; тип памяти: DDR 2; частота шины: 800 MHz; пропускная способность шины: PC2-6400.
Код товара: 454-647
Есть в наличии
Модуль памяти Golden Memory DDR3 2Gb (1x2Gb) 1600Mhz (GM16N11/2) - тип: DDR3, DIMM, 240-контактная; объем: 2 Гб; тактовая частота: 1600 МГц; пропускная способность: 12800 Мб/с; напряжение питания: 1.5 В.
Код товара: 178-082
Есть в наличии
Модуль памяти Patriot DDR3 8Gb (1x8Gb) 1600MHz (PV38G160C0) - DDR3; 8 Гб; 1х8 Гб; 1600 МГц (12800 Мб/с); наличие радиатора; CL10; 1.5 В.
Код товара: 238-104
Есть в наличии
Модуль памяти Patriot Signature Line DDR3 8Gb (1x8Gb) 1333MHz (PSD38G13332) - тип памяти: DDR3; объем памяти: 8 ГБ; количество модулей: 1х8 Гб; частота (пропускная способность): 1333 МГц (10660 МБ/с); тайминги: CL9; питание: 1.5 В.
Код товара: 132-193
Есть в наличии
1 модуль памяти DDR3,
объем модуля 8 Гб,
форм-фактор DIMM, 240-контактный,
частота 1333 МГц,
CAS Latency (CL): 9 (GR1333D364L9/8G)
Код товара: 149-292
Есть в наличии
Модуль памяти GOODRAM DDR3 SoDIMM, 8Gb, 1333MHz, PC3-10600, CL9, 1 планка (GR1333S364L9/8G)
Код товара: 162-308
Есть в наличии
Модуль памяти Kingston DDR3 SO-DIMM 8GB 1333MHz, PC3-10600, рабочее напряжение: 1,5 В, для Apple iMac, MacBook Pro (KTA-MB1333/8G)
Код товара: 246-277
Есть в наличии
1 модуль памяти DDR3,
объем модуля 8 Гб,
форм-фактор SODIMM, 204-контактный,
частота 1600 МГц
Код товара: 369-348
Есть в наличии
Модуль памяти Team Elite DDR3, 8Gb, 1333MHz, CAS Latency (CL): CL9, PC3-10660 (TED38G1333C901)
Код товара: 379-739
Есть в наличии
Модуль памяти IBM DDR4 8GB, 2133MHz, PC4-17000, 1Rx4, 1.2V, CL15 2133MHz LP RDIMM (00FM011)
Код товара: 386-489
Есть в наличии
Модуль памяти Exceleram DDR3, 8GB, 1600MHz, PC3-12800, CL11, 1.35V, 1 планка (E30228A)
Код товара: 386-503
Есть в наличии
Модуль памяти Exceleram SoDIMM, DDR3, 8GB, 1600MHz, PC3-12800, CL11, 1.35V, 1 планка (E30212S)
Код товара: 172-824
Есть в наличии
Модуль памяти GOODRAM DDR3 8GB, 1600MHz, PC3-12800, CL11, 1 планка (GR1600D364L11/8G)
Код товара: 177-749
Есть в наличии
Оперативная память; PC3-10600; штатные тайминги: CL9; рабочее напряжение: 1,35 В (CT102464BF1339)
Код товара: 386-501
Есть в наличии
Модуль памяти Exceleram SoDIMM DDR3, 8GB, 1333MHz, PC3-10666, CL9, 1.35V, 1 планка (E30214S)
Код товара: 386-495
Есть в наличии
Модуль памяти Exceleram DDR3, 8GB, 1333MHz, PC3-10666, CL9, 1.35V, 1 планка (E30226A)
Код товара: 406-140
Есть в наличии
Модуль памяти G.SKILL DDR4 8GB 2400MHz Value NT (F4-2400C15S-8GNT) - 1 модуль памяти DDR4; объем: 8Gb; частота: 2400Mhz; тайминги: CL15.
Код товара: 410-378
Есть в наличии
Модуль памяти Patriot DDR3 SoDIMM 8Gb 1600MHz (PSD38G1600L2S) - DDR3; 8 Гб; 1x8 Гб; 1600 МГц (12800 Мб/с); CL11; 1.35 В.
Код товара: 422-469
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR4 8Gb 2133MHz (M378A1G43EB1-CPB) - DDR4; 8 Гб; 1х8 Гб; 2133 МГц (17060 Мб/с); CL15; 1.2 В.
Код товара: 386-491
Есть в наличии
Модуль памяти eXceleram Black Sark DDR3, 8GB (2x4GB), 1600MHz, PC3-12800, CL11, 1.5V, 2 планки (E30173A)
Код товара: 184-744
Есть в наличии
Модуль памяти G.Skill DDR3 8GB, 1600MHz, PC3-12800, CL11, NT Series, 1 планка (F3-1600C11S-8GNT)
Код товара: 386-494
Есть в наличии
Модуль памяти Exceleram Black Sark DDR3, 8GB, 1333MHz, PC3-10666, CL9, 1.5V, 1 планка (EG3001B)
Код товара: 186-409
Есть в наличии
Модуль памяти Transcend DDR3 8GB, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: 7-7-7 / 9-9-9, рабочее напряжение: 1,5 В (TS1GLK72V6H)
Код товара: 203-867
Есть в наличии
1 модуль памяти DDR3,
объем модуля 8 Гб,
форм-фактор DIMM, 240-контактный,
частота 1866 МГц,
радиатор для дополнительного охлаждения,
CAS Latency (CL): 10
Код товара: 252-028
Есть в наличии
Модуль памяти Patriot Signature SoDIMM DDR3 8Gb 1600MHz (PSD38G16002S) - SoDIMM DDR3; 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; 1600 МГц; CL11; 1.5 В; количество микросхем на планке: 16; упаковка микросхем: двусторонняя; количество ранков: 2.
Код товара: 423-295
Есть в наличии
Модуль памяти Micron Crucial DDR3 8Gb 1600MHz (CT102464BD160B) - DDR3; 8 Гб; 1х8 Гб; 1600 МГц (12800 Мб/с); CL11; 1.35 В.
Код товара: 432-978
Есть в наличии
Модуль памяти Hynix DDR4 8GB 2133MHz (HMA41GU6AFR8N-TF) - DDR4; 8 Гб; количество модулей в комплекте: 1; 2133 МГц.
Код товара: 441-692
Есть в наличии
Модуль памяти Patriot DDR4 8GB 2400MHz (PSD48G240081) - DIMM DDR4; 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; 2400 МГц; CL17; 1.2 В; количество ранков: 2.
Доставка товаров в следующие города: Киев, Харьков, Одесса, Львов, Днепропетровск, Николаев, Полтава, Ровно, Сумы, Тернополь, Ивано-Франковск, Кировоград, Херсон, Хмельницкий, Черкассы, Чернигов, Черновцы, Винница, Луцк, Житомир, Запорожье, Ужгород.
