Оперативная память
Код товара: 152-588
Есть в наличииМодуль памяти G.Skill SoDIMM DDR3 8Gb (1x8Gb) 1600MHz (F3-1600C11S-8GSQ) - тип: для ноутбуков; тип памяти: DDR3; объем памяти: 8 ГБ; количество модулей: 1х8 ГБ; частота (пропускная способность): 1600 МГц (12800 МБ/с); тайминги: CL11; питание: 1.5 В.
Код товара: 386-489
Есть в наличии
Модуль памяти Exceleram DDR3, 8GB, 1600MHz, PC3-12800, CL11, 1.35V, 1 планка (E30228A)
Код товара: 386-503
Есть в наличии
Модуль памяти Exceleram SoDIMM, DDR3, 8GB, 1600MHz, PC3-12800, CL11, 1.35V, 1 планка (E30212S)
Код товара: 172-824
Есть в наличии
Модуль памяти GOODRAM DDR3 8GB, 1600MHz, PC3-12800, CL11, 1 планка (GR1600D364L11/8G)
Код товара: 386-490
Есть в наличии
Модуль памяти Exceleram DDR3, 8GB (2x4GB), 1600MHz, PC3-12800, CL11, 1.5V, 2 планки (E30146A)
Код товара: 386-491
Есть в наличии
Модуль памяти eXceleram Black Sark DDR3, 8GB (2x4GB), 1600MHz, PC3-12800, CL11, 1.5V, 2 планки (E30173A)
Код товара: 246-277
Есть в наличии
1 модуль памяти DDR3,
объем модуля 8 Гб,
форм-фактор SODIMM, 204-контактный,
частота 1600 МГц
Код товара: 389-430
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung original DDR3, 2GB, 1600MHz, PC3-12800 (M378B5773QB0-CK0)
Код товара: 184-744
Есть в наличии
Модуль памяти G.Skill DDR3 8GB, 1600MHz, PC3-12800, CL11, NT Series, 1 планка (F3-1600C11S-8GNT)
Код товара: 186-409
Есть в наличии
Модуль памяти Transcend DDR3 8GB, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: 7-7-7 / 9-9-9, рабочее напряжение: 1,5 В (TS1GLK72V6H)
Код товара: 208-880
Есть в наличии
Модуль памяти Geil DDR3 2GB 1600MHz PC3-12800, штатные тайминги: CL11, рабочее напряжение: 1,5 В (GN32GB1600C11S)
Код товара: 248-788
Есть в наличии
1 модуль памяти DDR3L,
объем модуля 8 Гб,
форм-фактор SODIMM, 204-контактный,
частота 1600 МГц,
CAS Latency (CL): 11 (CT102464BF160B)
Код товара: 423-295
Есть в наличии
Модуль памяти Micron Crucial DDR3 8Gb 1600MHz (CT102464BD160B) - DDR3; 8 Гб; 1х8 Гб; 1600 МГц (12800 Мб/с); CL11; 1.35 В.
Код товара: 252-028
Есть в наличии
Модуль памяти Patriot Signature SoDIMM DDR3 8Gb 1600MHz (PSD38G16002S) - SoDIMM DDR3; 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; 1600 МГц; CL11; 1.5 В; количество микросхем на планке: 16; упаковка микросхем: двусторонняя; количество ранков: 2.
Код товара: 254-810
Есть в наличии
1 модуль памяти DDR3,
объем модуля 8 Гб,
форм-фактор DIMM, 240-контактный,
частота 1600 МГц
Код товара: 400-881
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung So-Dimm DDR3 8GB 1600MHz Original (M471B1G73EB0-YK0) - 1 модуль памяти DDR3; объем памяти: 8 GB; частота шины: 1600 MHz; латентность (тайминги): CL11.
Код товара: 199-822
Есть в наличии
Модуль памяти GOODRAM DDR3 SoDIMM 8Gb, 1600MHz, PC3-12800, CL11, 1 планка (GR1600S364L11/8G)
Код товара: 422-471
Есть в наличии
Модуль памяти Kingston DDR3 SoDIMM 8Gb 1600MHz (KCP316SD8/8) - DDR3; 8 Гб; 1x8 Гб; 1600 МГц (12800 Мб/с); CL11; 1.5 В; совместимость с Apple.
Код товара: 454-647
Есть в наличии
Модуль памяти Golden Memory DDR3 2Gb (1x2Gb) 1600Mhz (GM16N11/2) - тип: DDR3, DIMM, 240-контактная; объем: 2 Гб; тактовая частота: 1600 МГц; пропускная способность: 12800 Мб/с; напряжение питания: 1.5 В.
Код товара: 278-394
Есть в наличии
Оперативная память Crucial 8GB, DDR3, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: CL11, рабочее напряжение: 1,5 В (CT102464BA160B)
Код товара: 114-013
Есть в наличии
Модуль памяти DDR3 8GB 1600 MHz Hynix (HMT41GU6MFR8C-PB N0 AA)
1600 MHz, PC3-12800, 1 планка
Код товара: 324-681
Есть в наличии
1 модуль памяти DDR3,
объем модуля 8 Гб,
форм-фактор DIMM, 240-контактный,
частота 1600 МГц,
CAS Latency (CL): 11 (M378B1G73QH0-CK0)
Код товара: 329-359
Есть в наличии
Модуль памяти G.Skill Aegis DDR3 8GB (2x4GB) 1600MHz, CL11, 1.5V, 2 планки (F3-1600C11D-8GIS)
Код товара: 307-542
Есть в наличии
1 модуль памяти DDR3,
объем модуля 8 Гб,
форм-фактор DIMM, 240-контактный,
частота 1600 МГц
Код товара: 323-282
Есть в наличии
Оперативная память PC3-12800, штатные тайминги: 11-11-11-27, рабочее напряжение: 1,5 В
Код товара: 201-590
Есть в наличии
Модуль памяти Hynix DDR2 2GB, 800MHz, PC2-6400, штатные тайминги: CL6, рабочее напряжение: 1,8 В (HYMP125U64CP8-S6)
Код товара: 232-776
Есть в наличии
1 модуль памяти DDR2,
объем модуля 2 Гб,
форм-фактор SODIMM, 200-контактный,
частота 800 МГц (HYMP125S64CP8-S6)
Код товара: 451-920
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR2 2Gb (1x2Gb) 800MHz (M378T5663EH3-CF7) - тип памяти: DDR2; форм-фактор: DIMM 240-контактный; тактовая частота: 800 МГц; пропускная способность: 6400 Мб/с; объем: 1 модуль 2 Гб; напряжение питания: 1.8 В.
Код товара: 360-064
Есть в наличии
Модуль памяти DDR3 8 ГБ GoodRam 12800 MБ/с; 1600 МГц; RET (GR1600D3V64L11/8G)
Код товара: 361-335
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR3 8Gb (1x8Gb) 1600MHz (M378B1G73DB0-CK0) - тип памяти: DDR3; объем памяти: 8 ГБ; количество модулей: 1х8 Гб; частота (пропускная способность): 1600 МГц (12800 МБ/с); тайминги: CL11; питание: 1.5 В.
Код товара: 366-635
Есть в наличии
Модуль памяти GOODRAM DDR3 SoDIMM 8Gb, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: CL11, рабочее напряжение: 1,35 В (GR1600S3V64L11/8G)
Код товара: 369-350
Есть в наличии
Модуль памяти Team Elite DDR3, 8GB, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: 11-11-11-28, рабочее напряжение: 1,35 / 1,5 В
Код товара: 376-026
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung SO-DIMM, DDR3, 8GB, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: CL11, рабочее напряжение: 1,35 В (M471B1G73QH0-YK0)
Код товара: 380-564
Есть в наличии
Модуль памяти Team Elite DDR3, 8GB, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: CL11, рабочее напряжение: 1.5В (TED3L8G1600C1101)
Код товара: 391-077
Есть в наличии
Модуль памяти Hynix DDR3 So-DIMM, 8GB, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: CL11, рабочее напряжение: 1.5В (HMT41GS6MFR8C-PB)
Код товара: 392-673
Есть в наличии
Модуль памяти Silicon Power DDR3 8GB 1600MHz (SP008GLLTU160N02) - 1 модуль памяти DDR3L; объем модуля 8 Гб; форм-фактор DIMM, 240-контактный; частота 1600 МГц; CAS Latency (CL): 11.
Код товара: 430-252
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR3 8GB 1600MHz (M378B1G73EB0-YK0) - DIMM DDR3; 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; 1600 МГц; CL11; схема таймингов памяти: 11-11-11; 1.35 В; количество микросхем на планке: 16; тип микросхем: 1Gx64; упаковка микросхем: двусторонняя; количество ранков: 2.
Код товара: 448-615
Есть в наличии
Модуль памяти Hynix DDR3 8Gb (1x8Gb) 1600Mhz (HMT41GU6BFR8C-PB) - DDR3; DIMM 240-контактный; 1600 МГц; пропускная способность: 12800 Мб/с; 1 модуль 8 Гб; количество чипов каждого модуля: 16; двусторонняя упаковка; 1.5 В.
Код товара: 401-521
Есть в наличии
Модуль памяти SAMSUNG DDR2 2GB 800MHz (M378T5663QZ3-CF7) - 1 модуль памяти DDR2; объем модуля 2 Гб; форм-фактор DIMM, 240-контактный; частота 800 МГц.
Код товара: 204-533
Есть в наличии
Модуль памяти SoDIMM DDR3 8GB 1600 MHz SAMSUNG (M471B1G73BH0-CK0)
1600 MHz, PC3-12800, 1 планка
Код товара: 357-563
Есть в наличии
Модуль памяти SO-DIMM 8Gb DDR3 1600MHz Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 1.35В
Код товара: 197-911
Есть в наличии
1 модуль памяти DDR3,
объем модуля 2 Гб,
форм-фактор SODIMM, 204-контактный,
частота 1600 МГц,
CAS Latency (CL): 11
Код товара: 128-547
Есть в наличии
Модуль памяти SAMSUNG DDR2 2048Mb 800 MHz (M378T5663FB3-CF7)
800 MHz, PC2-6400, CL6, 1 планка
Код товара: 348-899
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung Semiconductor - 1 модуль памяти DDR3L,
объем модуля 8 Гб,
форм-фактор SODIMM, 204-контактный,
частота 1600 МГц,
CAS Latency (CL): 11 (M471B1G73DB0-YK0)
Доставка товаров в следующие города: Киев, Харьков, Одесса, Львов, Днепропетровск, Николаев, Полтава, Ровно, Сумы, Тернополь, Ивано-Франковск, Кировоград, Херсон, Хмельницкий, Черкассы, Чернигов, Черновцы, Винница, Луцк, Житомир, Запорожье, Ужгород.
