Оперативная память
Код товара: 152-588
Есть в наличииМодуль памяти G.Skill SoDIMM DDR3 8Gb (1x8Gb) 1600MHz (F3-1600C11S-8GSQ) - тип: для ноутбуков; тип памяти: DDR3; объем памяти: 8 ГБ; количество модулей: 1х8 ГБ; частота (пропускная способность): 1600 МГц (12800 МБ/с); тайминги: CL11; питание: 1.5 В.
Код товара: 386-489
Есть в наличии
Модуль памяти Exceleram DDR3, 8GB, 1600MHz, PC3-12800, CL11, 1.35V, 1 планка (E30228A)
Код товара: 172-824
Есть в наличии
Модуль памяти GOODRAM DDR3 8GB, 1600MHz, PC3-12800, CL11, 1 планка (GR1600D364L11/8G)
Код товара: 386-490
Есть в наличии
Модуль памяти Exceleram DDR3, 8GB (2x4GB), 1600MHz, PC3-12800, CL11, 1.5V, 2 планки (E30146A)
Код товара: 386-491
Есть в наличии
Модуль памяти eXceleram Black Sark DDR3, 8GB (2x4GB), 1600MHz, PC3-12800, CL11, 1.5V, 2 планки (E30173A)
Код товара: 184-744
Есть в наличии
Модуль памяти G.Skill DDR3 8GB, 1600MHz, PC3-12800, CL11, NT Series, 1 планка (F3-1600C11S-8GNT)
Код товара: 246-277
Есть в наличии
1 модуль памяти DDR3,
объем модуля 8 Гб,
форм-фактор SODIMM, 204-контактный,
частота 1600 МГц
Код товара: 423-295
Есть в наличии
Модуль памяти Micron Crucial DDR3 8Gb 1600MHz (CT102464BD160B) - DDR3; 8 Гб; 1х8 Гб; 1600 МГц (12800 Мб/с); CL11; 1.35 В.
Код товара: 402-339
Есть в наличии
Модуль памяти Hynix So-Dimm DDR3 8GB 1600MHz (HMT41GS6DFR8A-PBN0) - 1 модуль памяти DDR3; объем памяти: 8 GB; частота шины: 1600 MHz; латентность (тайминги): CL11.
Код товара: 252-028
Есть в наличии
Модуль памяти Patriot Signature SoDIMM DDR3 8Gb 1600MHz (PSD38G16002S) - SoDIMM DDR3; 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; 1600 МГц; CL11; 1.5 В; количество микросхем на планке: 16; упаковка микросхем: двусторонняя; количество ранков: 2.
Код товара: 254-810
Есть в наличии
1 модуль памяти DDR3,
объем модуля 8 Гб,
форм-фактор DIMM, 240-контактный,
частота 1600 МГц
Код товара: 400-881
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung So-Dimm DDR3 8GB 1600MHz Original (M471B1G73EB0-YK0) - 1 модуль памяти DDR3; объем памяти: 8 GB; частота шины: 1600 MHz; латентность (тайминги): CL11.
Код товара: 199-822
Есть в наличии
Модуль памяти GOODRAM DDR3 SoDIMM 8Gb, 1600MHz, PC3-12800, CL11, 1 планка (GR1600S364L11/8G)
Код товара: 422-471
Есть в наличии
Модуль памяти Kingston DDR3 SoDIMM 8Gb 1600MHz (KCP316SD8/8) - DDR3; 8 Гб; 1x8 Гб; 1600 МГц (12800 Мб/с); CL11; 1.5 В; совместимость с Apple.
Код товара: 456-647
Есть в наличии
Модуль памяти Golden Memory DDR3 4Gb (1x4Gb) 1600Mhz (GM16N11/4) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR3; объём памяти: 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 1600 МГц; CAS Latency (CL): CL11.
Код товара: 114-013
Есть в наличии
Модуль памяти DDR3 8GB 1600 MHz Hynix (HMT41GU6MFR8C-PB N0 AA)
1600 MHz, PC3-12800, 1 планка
Код товара: 324-681
Есть в наличии
1 модуль памяти DDR3,
объем модуля 8 Гб,
форм-фактор DIMM, 240-контактный,
частота 1600 МГц,
CAS Latency (CL): 11 (M378B1G73QH0-CK0)
Код товара: 323-282
Есть в наличии
Оперативная память PC3-12800, штатные тайминги: 11-11-11-27, рабочее напряжение: 1,5 В
Код товара: 360-064
Есть в наличии
Модуль памяти DDR3 8 ГБ GoodRam 12800 MБ/с; 1600 МГц; RET (GR1600D3V64L11/8G)
Код товара: 361-335
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR3 8Gb (1x8Gb) 1600MHz (M378B1G73DB0-CK0) - тип памяти: DDR3; объем памяти: 8 ГБ; количество модулей: 1х8 Гб; частота (пропускная способность): 1600 МГц (12800 МБ/с); тайминги: CL11; питание: 1.5 В.
Код товара: 366-635
Есть в наличии
Модуль памяти GOODRAM DDR3 SoDIMM 8Gb, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: CL11, рабочее напряжение: 1,35 В (GR1600S3V64L11/8G)
Код товара: 457-938
Есть в наличии
Модуль памяти Golden Memory DDR3 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 1600MHz (GM16S11/4) - тип памяти: DDR3; объем памяти: 4 ГБ; количество модулей: 1x4 Гб; частота (пропускная способность): 1600 МГц (12800 МБ/с); питание: 1.5 В.
Код товара: 463-599
Есть в наличии
Модуль памяти Apacer DDR3 4Gb (1x4Gb) 1600MHz (DG.04G2K.KAM) - тип памяти: DDR3; объем памяти: 4 ГБ; количество модулей: 1х4 Гб; частота (пропускная способность): 1600 МГц (12800 МБ/с); питание: 1.35 В.
Код товара: 464-148
Есть в наличии
Модуль памяти V-Color DDR3 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 1600MHz (TF34G16S811L) - форм-фактор и тип памяти: SoDIMM DDR3; объем памяти: 4 ГБ; количество модулей: 1x4 Гб; частота (пропускная способность): 1600 МГц (12800 МБ/с); тайминги: CL11; питание: 1.35 В.
Код товара: 369-350
Есть в наличии
Модуль памяти Team Elite DDR3, 8GB, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: 11-11-11-28, рабочее напряжение: 1,35 / 1,5 В
Код товара: 469-864
Есть в наличии
Модуль памяти Golden Memory DDR3 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 1600MHz (GM16LS11/4) - тип памяти: DDR3; объем памяти: 4Gb; количество модулей в наборе: 1; стандарты памяти: PC3-12800; частота памяти: 1600 МГц; напряжение: 1.35V; проверка и коррекция ошибок (ECC): non-ECC; буферизация: unbuffered.
Код товара: 363-685
Есть в наличии
Модуль памяти Kingston DDR3 SoDIMM, 8GB, 1600MHz, PC3-12800, CL11, 1.35V, 1 планка (KVR16LS11/8G)
Код товара: 376-026
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung SO-DIMM, DDR3, 8GB, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: CL11, рабочее напряжение: 1,35 В (M471B1G73QH0-YK0)
Код товара: 380-564
Есть в наличии
Модуль памяти Team Elite DDR3, 8GB, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: CL11, рабочее напряжение: 1.5В (TED3L8G1600C1101)
Код товара: 391-077
Есть в наличии
Модуль памяти Hynix DDR3 So-DIMM, 8GB, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: CL11, рабочее напряжение: 1.5В (HMT41GS6MFR8C-PB)
Доставка товаров в следующие города: Киев, Харьков, Одесса, Львов, Днепропетровск, Николаев, Полтава, Ровно, Сумы, Тернополь, Ивано-Франковск, Кировоград, Херсон, Хмельницкий, Черкассы, Чернигов, Черновцы, Винница, Луцк, Житомир, Запорожье, Ужгород.
