Оперативная память

1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1866 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 10

Модуль памяти DDR3 4GB Team (TPD34G1866HC1301); 14900 MБ/с; 1866 МГц; радиаторы; RET (TPD34G1866HC1301)

Модуль памяти Crucial DDR3, 8GB, 1866MHz, CL13, 1,5V/1.35V, Retail (CT102464BD186D)

Модуль памяти Hynix DDR2 2GB, 800MHz, PC2-6400, штатные тайминги: CL6, рабочее напряжение: 1,8 В (HYMP125U64CP8-S6)

Модуль памяти SAMSUNG DDR2 2GB 800MHz (M378T5663QZ3-CF7) - 1 модуль памяти DDR2; объем модуля 2 Гб; форм-фактор DIMM, 240-контактный; частота 800 МГц.

1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 800 МГц (HYMP125S64CP8-S6)

Модуль памяти Samsung DDR2 2Gb (1x2Gb) 800MHz (M378T5663EH3-CF7) - тип памяти: DDR2; форм-фактор: DIMM 240-контактный; тактовая частота: 800 МГц; пропускная способность: 6400 Мб/с; объем: 1 модуль 2 Гб; напряжение питания: 1.8 В.

Модуль памяти Hynix DDR2 2Gb (1x2Gb) 800MHz (HMP125U6EFR8C-S6) - объем памяти: 2 ГБ; тип памяти: DDR2 SDRAM; напряжение питания: 1.8 В; частота памяти: 800 МГц; эффективная пропускная способность: 6400 МБ/с; схема таймингов памяти: CL6; количество планок: 1; назначение: для настольных ПК; проверка и коррекция ошибок (ECC): non-ECC.

Модуль пам'яті для комп'ютера DDR4 16GB (2x8GB) 3200 MHz Ripjaws V G.Skill (F4-3200C16D-16GVKB)

Модуль памяти CORSAIR DDR4 16GB(2x8GB) 3200Mhz Vengeance LPX Black (CMK16GX4M2B3200C16) - 2 модуля памяти DDR4; объем модуля 8 Гб; форм-фактор DIMM, 288-контактный; частота 3200 МГц; радиатор; CAS Latency (CL): 16.

Модуль памяти G.Skill Ripjaws V Gunmetal Gray DDR4 16Gb 3200MHz (F4-3200C16D-16GVGB) - DIMM DDR4; 16 ГБ; 2 х 8 ГБ; 3200 МГц; CL16; схема таймингов памяти: 16-18-18-38; 1.35 В; поддержка XMP; с охлаждением (радиатор); цвет радиатора: Gray.

Модуль памяти G.Skill Trident Z DDR4 16Gb (2x8Gb) 3200MHz (F4-3200C16D-16GTZKW) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 16 ГБ; количество модулей: 2х8 Гб; частота (пропускная способность): 3200 МГц (25600 МБ/с); наличие радиатора; тайминги: 16-18-18-38; питание: 1.35 В; XMP (Xtreme Memory Profiles).

Модуль памяти G.Skill Trident Z DDR4 16Gb (2x8Gb) 3200MHz (F4-3200C16D-16GTZB) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 16 ГБ; количество модулей: 2х8 Гб; частота (пропускная способность): 3200 МГц (25600 МБ/с); наличие радиатора; тайминги: CL16; питание: 1.35 В; XMP (Xtreme Memory Profiles); дополнительно: unbuffered, non-ECC.

Модуль пам'яті для комп'ютера DDR4 32GB (2x16GB) 3200 MHz Trident Z G.Skill (F4-3200C16D-32GTZ)

Модуль пам'яті для комп'ютера DDR4 32GB (2x16GB) 3200 MHz Trident Z G.Skill (F4-3200C16D-32GTZKW)

Модуль пам'яті для комп'ютера DDR4 32GB (2x16GB) 3200 MHz Ripjaws V G.Skill (F4-3200C16D-32GVK)

Модуль памяти G.Skill Trident Z DDR4 16Gb (2x8Gb) 3200MHz (F4-3200C16D-16GTZSW) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 16 ГБ; количество модулей: 2х8 Гб; частота (пропускная способность): 3200 МГц (25600 МБ/с); наличие радиатора; тайминги: 16-18-18-38; питание: 1.35 В; XMP (Xtreme Memory Profiles).

Модуль памяти DDR2 2GB 667 MHz Hynix (HYMP125U64CP8-Y5) 667 MHz, PC2-5300, CL5, 1 планка

Модуль памяти SAMSUNG DDR2 2048Mb 800 MHz (M378T5663FB3-CF7) 800 MHz, PC2-6400, CL6, 1 планка