Оперативная память
Код товара: 102-135
Есть в наличииМодуль памяти Hynix DDR3, 2GB, 1333MHz, PC3-10600, штатные тайминги: 9-9-9-24, рабочее напряжение 1,5 В (HMT325U6BFR8C)
Код товара: 105-582
Есть в наличии
Модуль памяти G.SKILL Original Value Series - NT DDR3, 4GB, 1333MHz, PC3-10600, CL9, 1 планка (F3-10600CL9S-4GBNT)
Код товара: 369-348
Есть в наличии
Модуль памяти Team Elite DDR3, 8Gb, 1333MHz, CAS Latency (CL): CL9, PC3-10660 (TED38G1333C901)
Код товара: 391-659
Есть в наличии
Модуль памяти Hynix DDR3 2GB, 1333MHz, 1.5В, CL10, PC10600 (HMT325U6CFR8C-H9N0)
Код товара: 116-949
Есть в наличии
1 модуль памяти DDR3,
объем модуля 4 Гб,
форм-фактор SODIMM, 204-контактный,
частота 1333 МГц,
CAS Latency (CL): 9 (E30802S)
Код товара: 132-193
Есть в наличии
1 модуль памяти DDR3,
объем модуля 8 Гб,
форм-фактор DIMM, 240-контактный,
частота 1333 МГц,
CAS Latency (CL): 9 (GR1333D364L9/8G)
Код товара: 437-316
Есть в наличии
Модуль памяти eXceleram DDR3 4Gb (1x4Gb) 1333MHz (E30225A) - тип памяти: DDR3; объем памяти: 4Gb; количество модулей в наборе: 1; частота памяти: 1333MHz; тайминги: CL9; напряжение: 1.35V.
Код товара: 201-590
Есть в наличии
Модуль памяти Hynix DDR2 2GB, 800MHz, PC2-6400, штатные тайминги: CL6, рабочее напряжение: 1,8 В (HYMP125U64CP8-S6)
Код товара: 232-776
Есть в наличии
1 модуль памяти DDR2,
объем модуля 2 Гб,
форм-фактор SODIMM, 200-контактный,
частота 800 МГц (HYMP125S64CP8-S6)
Код товара: 149-292
Есть в наличии
Модуль памяти GOODRAM DDR3 SoDIMM, 8Gb, 1333MHz, PC3-10600, CL9, 1 планка (GR1333S364L9/8G)
Код товара: 162-308
Есть в наличии
Модуль памяти Kingston DDR3 SO-DIMM 8GB 1333MHz, PC3-10600, рабочее напряжение: 1,5 В, для Apple iMac, MacBook Pro (KTA-MB1333/8G)
Код товара: 177-749
Есть в наличии
Оперативная память; PC3-10600; штатные тайминги: CL9; рабочее напряжение: 1,35 В (CT102464BF1339)
Код товара: 386-501
Есть в наличии
Модуль памяти Exceleram SoDIMM DDR3, 8GB, 1333MHz, PC3-10666, CL9, 1.35V, 1 планка (E30214S)
Код товара: 386-495
Есть в наличии
Модуль памяти Exceleram DDR3, 8GB, 1333MHz, PC3-10666, CL9, 1.35V, 1 планка (E30226A)
Код товара: 386-494
Есть в наличии
Модуль памяти Exceleram Black Sark DDR3, 8GB, 1333MHz, PC3-10666, CL9, 1.5V, 1 планка (EG3001B)
Код товара: 456-695
Есть в наличии
Модуль памяти eXceleram DDR2 2Gb (1x2Gb) 800MHz (E20103A) - тип памяти: DDR2; объем памяти: 2Gb; количество модулей в наборе: 1; частота памяти: 800MHz; тайминги: CL6; напряжение: 1.8V; форм-фактор памяти: 240-pin DIMM; проверка и коррекция ошибок (ECC): non-ECC; буферизация: unbuffered.
Код товара: 457-650
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR2 2Gb (1x2Gb) 800MHz (M378T5663EH3-CF7/M378T5663FB3-CF7) - тип памяти: DDR2; объем памяти: 2Gb; количество модулей в наборе: 1; частота памяти: 800MHz; тайминги: CL6.
Код товара: 406-140
Есть в наличии
Модуль памяти G.SKILL DDR4 8GB 2400MHz Value NT (F4-2400C15S-8GNT) - 1 модуль памяти DDR4; объем: 8Gb; частота: 2400Mhz; тайминги: CL15.
Код товара: 203-219
Есть в наличии
Модуль памяти Patriot Signature DDR3 4Gb 1333MHz (PSD34G13332) - DIMM DDR3; 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; 1333 МГц; CL9; 1.5 В; количество ранков: 2.
Код товара: 239-658
Есть в наличии
1 модуль памяти DDR3,
объем модуля 2 Гб,
форм-фактор SODIMM, 204-контактный,
частота 1333 МГц (HMT325S6CFR8C-H9)
Код товара: 403-270
Есть в наличии
Модуль памяти Crucial So-Dimm DDR3 4GB 1066MHz (CT4G3S1067M) - 1 модуль памяти DDR3; объем модуля 4 Гб; форм-фактор SODIMM, 204-контактный; частота 1066 МГц; CAS Latency (CL): 7.
Код товара: 407-592
Есть в наличии
Модуль памяти Patriot DDR4 4Gb 2400MHz (PSD44G240081) - DDR4; 4 Гб; количество модулей: 1х4 Гб; частота (пропускная способность): 2400 МГц (19200 Мб/с); CL16; 1.2 В.
Код товара: 432-982
Есть в наличии
Модуль памяти Team Elite SoDIMM DDR4 4Gb 2400MHz (TED44G2400C16-S01) - DDR4; 4 Гб; 1x4 Гб; 2400 МГц (19200 Мб/с); CL16; 1.2 В.
Код товара: 425-411
Есть в наличии
Модуль памяти Team Elite U-DIMM DDR4 4Gb 2400MHz (TED44G2400C1601) - DDR4; 4 Гб; 1х4 Гб; 2400 МГц (19200 Мб/с); CL16; 1.2 В.
Код товара: 280-218
Есть в наличии
Оперативная память; PC3-10600; штатные тайминги: 9-9-9-24; рабочее напряжение: 1,5 В (TED34G1333C901)
Код товара: 332-607
Есть в наличии
Модуль памяти eXceleram DDR3 SoDIMM 8GB 1333MHz, PC3-10600, CL9, 1.5V, 1 планка (E30804S)
Код товара: 441-692
Есть в наличии
Модуль памяти Patriot DDR4 8GB 2400MHz (PSD48G240081) - DIMM DDR4; 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; 2400 МГц; CL17; 1.2 В; количество ранков: 2.
Код товара: 425-413
Есть в наличии
Модуль памяти Team Elite DDR4 16Gb 2400MHz (TED416G2400C1601) - DDR4; 16 Гб; 2х8 Гб; 2400 МГц (19200 Мб/с); CL16; 1.2 В.
Код товара: 422-615
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR4 16Gb 2400MHz (M378A2K43BB1-CRC) - DDR4; 16 Гб; 1х16 Гб; 2400 МГц (19200 Мб/с); CL17; 1.2 В.
Код товара: 334-012
Есть в наличии
Модуль памяти GOODRAM DDR3 4GB 1333MHz, PC3-10600Mb/sec, штатные тайминги: 9-9-9-24, рабочее напряжение: 1,5 В (GR1333D364L9S/4G)
Код товара: 391-846
Есть в наличии
Модуль памяти Exceleram DDR3 4GB 1333MHz, PC3-10600, штатные тайминги: 9-9-9-24, рабочее напряжение: 1.5V (E30140A)
Код товара: 400-357
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR2 2GB 800MHz (M378B5663QZ3-CF7) - объем памяти: 2 GB; тип памяти: DDR 2; частота шины: 800 MHz; пропускная способность шины: PC2-6400.
Код товара: 304-084
Есть в наличии
2 модуля памяти DDR3,
объем модуля 8 Гб,
форм-фактор DIMM, 240-контактный,
частота 2400 МГц,
радиатор для дополнительного охлаждения,
CAS Latency (CL): 11
Код товара: 446-223
Есть в наличии
Модуль памяти Micron Crucial DDR4 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (CT4G4SFS824A) - DDR4; 4 Гб; 1x4 Гб; 2400 МГц (19200 Мб/с); CL17; 1.2 В.
Код товара: 451-266
Есть в наличии
Модуль памяти GoodRAM DDR4 8Gb (1x8Gb) 2400Mhz (GR2400D464L17S/8G) - DDR4; 8 Гб; 2400 МГц; cтандарт памяти: PC4-19200; пропускная способность: 19200 мб/сек.
Код товара: 456-696
Есть в наличии
Модуль памяти eXceleram DDR4 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (E404247A) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 4Gb; количество модулей в наборе: 1; частота памяти: 2400MHz;4 тайминги: CL17; напряжение: 1.2V; форм-фактор памяти: 288-pin DIMM; проверка и коррекция ошибок (ECC): non-ECC; буферизация: unbuffered.
Код товара: 456-697
Есть в наличии
Модуль памяти eXceleram DDR4 8Gb (1x8Gb) 2400MHz (E408247A) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 8Gb; количество модулей в наборе: 1; частота памяти: 2400MHz; тайминги: CL17; напряжение: 1.2V; форм-фактор памяти: 288-pin DIMM; проверка и коррекция ошибок (ECC): non-ECC; буферизация: unbuffered.
Код товара: 415-796
Есть в наличии
Модуль памяти G.Skill DDR4 16Gb (1x16Gb) 2400MHz (F4-2400C15S-16GIS) - тип памяти: DDR4; форм-фактор: DIMM 288-контактный; тактовая частота: 2400 МГц; пропускная способность: 19200 Мб/с; объем: 1 модуль 16 Гб; CAS Latency (CL): 15; RAS to CAS Delay (tRCD): 15; Row Precharge Delay (tRP): 15; Activate
to Precharge Delay (tRAS): 35; напряжение питания: 1.2 В; радиатор. ... развернутьсвернуть
Код товара: 432-875
Есть в наличии
Модуль памяти Geil DDR4 4GB 2400MHz (GN44GB2400C16S) - DDR4; DIMM 288-контактный; 2400 МГц; пропускная способность: 19200 Мб/с; 1 модуль 4 Гб; CAS Latency (CL): 16; 1.2 В.
Код товара: 432-872
Есть в наличии
Модуль памяти G.Skill DDR4 8GB 2400MHz (F4-2400C15S-8GNS) - DDR4; DIMM 288-контактный; 2400 МГц; пропускная способность: 19200 Мб/с; 1 модуль 8 Гб; CAS Latency (CL): 15; RAS to CAS Delay (tRCD): 15; Row Precharge Delay (tRP): 15; Activate to Precharge Delay (tRAS): 35; 1.2 В.
Код товара: 441-793
Есть в наличии
Модуль памяти G.Skill Aegis DDR4 8GB 2400MHz (F4-2400C15S-8GIS) - DIMM DDR4; 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; 2400 МГц; CL15; схема таймингов памяти: 15-15-15-35; 1.2 В; поддержка XMP; с охлаждением (радиатор); цвет радиатора: Black.
Код товара: 431-814
Есть в наличии
Модуль памяти HP DDR4 ECC 8Gb 2400MHz (805347-B21) - DDR4; DIMM 288-контактный; 2400 МГц; пропускная способность: 19200 Мб/с; 1 модуль 8 Гб; поддержка ECC; буферизованная (Registered); CAS Latency (CL): 17; RAS to CAS Delay (tRCD): 17; Row Precharge Delay (tRP): 17; 1.2 В; количество ранков: 1.
Код товара: 454-944
Есть в наличии
Модуль памяти G.Skill Original DDR4 SoDIMM 16Gb (1x16Gb) 2400MHz (F4-2400C16S-16GRS) - форм-фактор и тип памяти: SoDIMM DDR4; объём памяти: 16 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL16; схема таймингов памяти: 16-16-16-39; рабочее напряжение: 1.2 В; буферизация: Unbuffered.
Код товара: 458-290
Есть в наличии
Модуль памяти Geil Pristine DDR4 8Gb (2x4Gb) 2400MHz (GP48GB2400C16DC) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 8 ГБ; количество модулей: 2х4 Гб; частота (пропускная способность): 2400 МГц (19200 МБ/с); тайминги: CL16; питание: 1.2 В; XMP (Xtreme Memory Profiles): есть.
Код товара: 443-593
Есть в наличии
Модуль памяти Micron Ballistix Sport LT White DDR4 8Gb (1x8Gb) 2400MHz (BLS8G4D240FSCK) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 8 ГБ; количество модулей: 1х8 Гб; частота (пропускная способность): 2400 МГц (19200 МБ/с); наличие радиатора: есть; тайминги: CL16; питание: 1.2 В; XMP (Xtreme Memory Profiles): есть.
Код товара: 458-857
Есть в наличии
Модуль памяти Patriot DDR4 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (PSD44G240081S) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 4 ГБ; количество модулей: 1x4 Гб; частота (пропускная способность): 2400 МГц (19200 МБ/с); тайминги: CL17; питание: 1.2 В.
Код товара: 449-045
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung Original DDR4 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (M378A5244CB0-CRC) - DIMM DDR4; 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL17; схема таймингов памяти: 17-17-17; 1.2 В; количество ранков: 1.
Код товара: 432-876
Есть в наличии
Модуль памяти Geil Original DDR4 8Gb (1x8Gb) 2400MHz (GN48GB2400C16S) - DIMM; DDR4; 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; 2400 МГц; CL16; схема таймингов памяти: 16-16-16-36; 1.2V.
Код товара: 457-538
Есть в наличии
Модуль памяти Goodram DDR4 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (GR2400D464L17S/4G) - объем памяти: 4 ГБ; тип памяти: DDR4 SDRAM; напряжение питания: 1.2 В; частота памяти: 2400 МГц; эффективная пропускная способность: 19200 МБ/с; схема таймингов памяти: CL-17; количество планок: 1; назначение: для настольных ПК; буферизация:
небуферизированная (Unbuffered); проверка и коррекция ошибок (ECC): non-ECC. ... развернутьсвернуть
Код товара: 457-233
Есть в наличии
Модуль памяти G.Skill SoDIMM DDR4 8Gb (1x8Gb) 2400MHz (F4-2400C16S-8GRS) - тип памяти: DDR4; форм-фактор: SODIMM 260-контактный; тактовая частота: 2400 МГц; пропускная способность: 19200 Мб/с; объем: 1 модуль 8 Гб; поддержка XMP; CAS Latency (CL): 16; RAS to CAS Delay (tRCD): 16; Row Precharge Delay
(tRP): 16; Activate to Precharge Delay (tRAS): 39; напряжение питания: 1.2 В. ... развернутьсвернуть
Код товара: 458-858
Есть в наличии
Модуль памяти Patriot DDR4 SoDIMM 8Gb (1x8Gb) 2400MHz (PSD48G240081S) - форм-фактор и тип памяти: SoDIMM DDR4; объём памяти: 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL17; схема таймингов памяти: 17-17-17; рабочее напряжение: 1.2 В.
Код товара: 453-088
Есть в наличии
Модуль памяти NCP DDR4 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (NCPC9AUDR-24M58) - тип: DDR4, DIMM, 288-контактная; объем: 4 Гб; тактовая частота: 2400 МГц; пропускная способность: 19200 Мб/с; напряжение питания: 1.2 В; тайминги: CL 17.
Код товара: 460-247
Есть в наличии
Модуль памяти Hynix DDR4 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (HMA851U6AFR6N-UH) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 4 ГБ; количество модулей: 1х4 Гб; частота (пропускная способность): 2400 МГц (19200 МБ/с); тайминги: CL17; питание: 1.2 В.
Код товара: 460-246
Есть в наличии
Модуль памяти Hynix DDR4 8Gb (1x8Gb) 2400MHz (HMA81GU6AFR8N-UH) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 8 ГБ; количество модулей: 1х8 Гб; частота (пропускная способность): 2400 МГц (19200 МБ/с); тайминги: CL17; питание: 1.2 В.
Код товара: 460-823
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR4 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (M471A5143EB1-CRC) - тип памяти:SoDIMM DDR4; объем памяти: 4 ГБ; количество модулей: 1x4 Гб; частота (пропускная способность): 2400 МГц (19200 МБ/с); тайминги: CL17; питание: 1.2 В; габариты: 30x3.7x69.6 мм.
Код товара: 461-326
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR4 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (M471A5244CB0-CRC) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 4 ГБ; количество модулей: 1x4 Гб; частота (пропускная способность): 2400 МГц (19200 МБ/с); тайминги: CL17; питание: 1.2 В.
Код товара: 464-163
Есть в наличии
Модуль памяти GoodRam DDR4 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (GR2400S464L17S/4G) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 4 ГБ; количество модулей: 1x4 Гб; частота (пропускная способность): 2400 МГц (19200 МБ/с); тайминги: CL17; питание: 1.2 В.
Код товара: 464-230
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR4 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (M471A5244CB0-CRCD0) - назначение: для ноутбука; тип памяти: DDR4; количество модулей памяти в наборе: 1 шт.; емкость памяти: 4 Гб; максимальная рабочая частота: 2400 МГц; напряжение питания: 1.2 В; вес: 10 г.
Код товара: 466-092
Есть в наличии
Модуль памяти G.Skill Aegis DDR4 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (F4-2400C17S-4GIS) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL17; схема таймингов памяти: 17-17-17-39; рабочее напряжение: 1.2 В; поддержка XMP.
Код товара: 466-093
Есть в наличии
Модуль памяти G.Skill Value DDR4 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (F4-2400C17S-4GNT) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL17; схема таймингов памяти: 17-17-17-39; рабочее напряжение: 1.2 В.
Код товара: 466-079
Есть в наличии
Модуль памяти G.Skill Ripjaws V DDR4 8Gb (2x4Gb) 2400MHz (F4-2400C15D-8GVR) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 2 х 4 ГБ; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL15; схема таймингов памяти: 15-15-15-35; рабочее напряжение: 1.2 В; поддержка
XMP; особенности: с охлаждением (радиатор); цвет радиатора: красный. ... развернутьсвернуть
Код товара: 441-004
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR4 SoDIMM 16Gb (1x16Gb) 2400MHz (M471A2K43BB1-CRC) - форм-фактор и тип памяти: SoDIMM DDR4; объём памяти: 16 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL17; схема таймингов памяти: 17-17-17; рабочее напряжение: 1.2 В; количество ранков: 2.
Код товара: 466-080
Есть в наличии
Модуль памяти G.Skill Aegis DDR4 16Gb (2x8Gb) 2400MHz (F4-2400C17D-16GIS) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 16 ГБ; количество модулей в комплекте: 2 х 8 ГБ; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL17; схема таймингов памяти: 17-17-17-39; рабочее напряжение: 1.2 В; поддержка XMP.
Код товара: 467-264
Есть в наличии
Модуль памяти Exceleram SoDIMM DDR4 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (E404247S) - тип памяти: SoDIMM DDR4; объем памяти: 4Gb; количество модулей в наборе: 1; стандарты памяти: PC4-19200; частота памяти: 2400MHz; тайминги: CL17; напряжение: 1.2V; форм-фактор памяти: 260-pin SO-DIMM; проверка и коррекция ошибок (ECC): non-ECC; буферизация: unbuffered.
Код товара: 476-619
Есть в наличии
Модуль памяти Patriot DDR4 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (PSD44G240082S) - форм-фактор и тип памяти: SoDIMM DDR4; объём памяти: 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL17; схема таймингов памяти: 17-17-17-39; рабочее напряжение: 1.2 В; количество ранков: 2.
Код товара: 104-281
Есть в наличии
Модуль памяти SoDIMM DDR3 4GB 1333 MHz SAMSUNG (Original), PC3-10600, CL9, 1 планка
Код товара: 224-656
Есть в наличии
Mushkin 8GB DDR3-1066 PC3-8500 7-7-7-20 < 992019 > 1.5V SO-DIMM (M992019)
Код товара: 133-405
Есть в наличии
Оперативная память; PC3-10666; штатные тайминги: CL9; рабочее напряжение: 1,5 В (CT51264BA1339)
Код товара: 128-547
Есть в наличии
Модуль памяти SAMSUNG DDR2 2048Mb 800 MHz (M378T5663FB3-CF7)
800 MHz, PC2-6400, CL6, 1 планка
Код товара: 319-514
Есть в наличии
Модуль памяти DDR3 2GB 1333MHz (PC3-10600) Micron (MT16JTF25664AZ-1G4G1)
Код товара: 215-192
Есть в наличии
Модуль памяти Hynix DDR3 4GB, 1333MHz, PC3-10600, CL9, 1 планка (HMT351U6BFR8C-H9)
Код товара: 260-531
Есть в наличии
Оперативная память Crucial 4 GB SO-DIMM DDR3 1333 MHz (CT51264BF1339J); PC3-10600; штатные тайминги: CL9; рабочее напряжение: 1,35 В
Код товара: 222-034
Есть в наличии
Модуль памяти DDR3 4GB 1333 MHz SAMSUNG (Original), PC3-10666, CL9, 1 планка (M378B5273DH0-CH9)
Код товара: 368-369
Есть в наличии
Модуль памяти Hynix 4GB, SO-DIMM DDR3, 1333MHz, PC3-10666, штатные тайминги: CL9, рабочее напряжение: 1,5 B (HMT351S6BFR8C-H9)
Доставка товаров в следующие города: Киев, Харьков, Одесса, Львов, Днепропетровск, Николаев, Полтава, Ровно, Сумы, Тернополь, Ивано-Франковск, Кировоград, Херсон, Хмельницкий, Черкассы, Чернигов, Черновцы, Винница, Луцк, Житомир, Запорожье, Ужгород.
