Оперативная память

1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1333 МГц, CAS Latency (CL): 9 (GR1333D364L9/8G)

Модуль памяти GOODRAM DDR3 SoDIMM, 8Gb, 1333MHz, PC3-10600, CL9, 1 планка (GR1333S364L9/8G)

Модуль памяти Patriot Signature Line DDR3 8Gb (1x8Gb) 1333MHz (PSD38G13332) - тип памяти: DDR3; объем памяти: 8 ГБ; количество модулей: 1х8 Гб; частота (пропускная способность): 1333 МГц (10660 МБ/с); тайминги: CL9; питание: 1.5 В.

Модуль памяти G.SKILL DDR4 8GB 2400MHz Value NT (F4-2400C15S-8GNT) - 1 модуль памяти DDR4; объем: 8Gb; частота: 2400Mhz; тайминги: CL15.

Модуль памяти Team Elite DDR4 8Gb 2400MHz (TED48G2400C1601) - DDR4; 8 Гб; 1х8 Гб; 2400 МГц (19200 Мб/с); CL16; 1.2 В.

Модуль памяти Patriot DDR4 8GB 2400MHz (PSD48G240081) - DIMM DDR4; 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; 2400 МГц; CL17; 1.2 В; количество ранков: 2.

Модуль памяти Kingston DDR3 SO-DIMM 8GB 1333MHz, PC3-10600, рабочее напряжение: 1,5 В, для Apple iMac, MacBook Pro (KTA-MB1333/8G)

Оперативная память; PC3-10600; штатные тайминги: CL9; рабочее напряжение: 1,35 В (CT102464BF1339)

Модуль памяти Exceleram SoDIMM DDR3, 8GB, 1333MHz, PC3-10666, CL9, 1.35V, 1 планка (E30214S)

Модуль памяти Exceleram Black Sark DDR3, 8GB, 1333MHz, PC3-10666, CL9, 1.5V, 1 планка (EG3001B)

2 модуля памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 2400 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 11

Модуль памяти eXceleram DDR3 SoDIMM 8GB 1333MHz, PC3-10600, CL9, 1.5V, 1 планка (E30804S)

Модуль памяти GoodRAM DDR4 8Gb (1x8Gb) 2400Mhz (GR2400D464L17S/8G) - DDR4; 8 Гб; 2400 МГц; cтандарт памяти: PC4-19200; пропускная способность: 19200 мб/сек.

Модуль памяти Geil Pristine DDR4 8Gb (2x4Gb) 2400MHz (GP48GB2400C16DC) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 8 ГБ; количество модулей: 2х4 Гб; частота (пропускная способность): 2400 МГц (19200 МБ/с); тайминги: CL16; питание: 1.2 В; XMP (Xtreme Memory Profiles): есть.

Модуль памяти Micron Ballistix Sport LT White DDR4 8Gb (1x8Gb) 2400MHz (BLS8G4D240FSCK) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 8 ГБ; количество модулей: 1х8 Гб; частота (пропускная способность): 2400 МГц (19200 МБ/с); наличие радиатора: есть; тайминги: CL16; питание: 1.2 В; XMP (Xtreme Memory Profiles): есть.

Модуль памяти G.Skill DDR4 8GB 2400MHz (F4-2400C15S-8GNS) - DDR4; DIMM 288-контактный; 2400 МГц; пропускная способность: 19200 Мб/с; 1 модуль 8 Гб; CAS Latency (CL): 15; RAS to CAS Delay (tRCD): 15; Row Precharge Delay (tRP): 15; Activate to Precharge Delay (tRAS): 35; 1.2 В.

Модуль памяти G.Skill Aegis DDR4 8GB 2400MHz (F4-2400C15S-8GIS) - DIMM DDR4; 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; 2400 МГц; CL15; схема таймингов памяти: 15-15-15-35; 1.2 В; поддержка XMP; с охлаждением (радиатор); цвет радиатора: Black.

Модуль памяти HP DDR4 ECC 8Gb 2400MHz (805347-B21) - DDR4; DIMM 288-контактный; 2400 МГц; пропускная способность: 19200 Мб/с; 1 модуль 8 Гб; поддержка ECC; буферизованная (Registered); CAS Latency (CL): 17; RAS to CAS Delay (tRCD): 17; Row Precharge Delay (tRP): 17; 1.2 В; количество ранков: 1.

Модуль памяти G.Skill SoDIMM DDR4 8Gb (1x8Gb) 2400MHz (F4-2400C16S-8GRS) - тип памяти: DDR4; форм-фактор: SODIMM 260-контактный; тактовая частота: 2400 МГц; пропускная способность: 19200 Мб/с; объем: 1 модуль 8 Гб; поддержка XMP; CAS Latency (CL): 16; RAS to CAS Delay (tRCD): 16; Row Precharge Delay (tRP): 16; Activate to Precharge Delay (tRAS): 39; напряжение питания: 1.2 В. ... развернутьсвернуть

Модуль памяти Patriot DDR4 SoDIMM 8Gb (1x8Gb) 2400MHz (PSD48G240081S) - форм-фактор и тип памяти: SoDIMM DDR4; объём памяти: 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL17; схема таймингов памяти: 17-17-17; рабочее напряжение: 1.2 В.

Модуль памяти Kingston DDR4 8Gb (1x8Gb) 2666MHz (KVR26N19S8/8) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 8 ГБ; количество модулей: 1х8 Гб; частота (пропускная способность): 2666 МГц (21328 МБ/с); тайминги: CL19; питание: 1.2 В.

Модуль памяти Hynix DDR4 8Gb (1x8Gb) 2400MHz (HMA81GU6AFR8N-UH) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 8 ГБ; количество модулей: 1х8 Гб; частота (пропускная способность): 2400 МГц (19200 МБ/с); тайминги: CL17; питание: 1.2 В.

Модуль памяти eXceleram DDR4 SoDIMM 8Gb (1x8Gb) 2400MHz (E408247S) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 8Gb; количество модулей в наборе: 1; стандарты памяти: PC4-19200; частота памяти: 2400MHz; тайминги: CL17; напряжение: 1.2V; форм-фактор памяти: 260-pin SoDIMM; проверка и коррекция ошибок (ECC): non-ECC; буферизация: unbuffered.

Модуль памяти GoodRam Iridium X Black DDR4 8Gb (1x8Gb) 2666MHz (IR-X2666D464L16S/8G) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 8 ГБ; количество модулей: 1х8 Гб; частота (пропускная способность): 2666 МГц (21328 МБ/с); наличие радиатора; тайминги: CL16; питание: 1.2 В.

Модуль памяти G.Skill Ripjaws V DDR4 8Gb (2x4Gb) 2400MHz (F4-2400C15D-8GVR) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 2 х 4 ГБ; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL15; схема таймингов памяти: 15-15-15-35; рабочее напряжение: 1.2 В; поддержка XMP; особенности: с охлаждением (радиатор); цвет радиатора: красный. ... развернутьсвернуть

Модуль памяти Mushkin SO-DIMM DDR3-1333, 1x8GB, PC3-10600, 9-9-9-24, 1.5V (M992020)