Оперативная память
Код товара: 105-582
Есть в наличииМодуль памяти G.SKILL Original Value Series - NT DDR3, 4GB, 1333MHz, PC3-10600, CL9, 1 планка (F3-10600CL9S-4GBNT)
Код товара: 132-193
Есть в наличии
1 модуль памяти DDR3,
объем модуля 8 Гб,
форм-фактор DIMM, 240-контактный,
частота 1333 МГц,
CAS Latency (CL): 9 (GR1333D364L9/8G)
Код товара: 391-659
Есть в наличии
Модуль памяти Hynix DDR3 2GB, 1333MHz, 1.5В, CL10, PC10600 (HMT325U6CFR8C-H9N0)
Код товара: 437-316
Есть в наличии
Модуль памяти eXceleram DDR3 4Gb (1x4Gb) 1333MHz (E30225A) - тип памяти: DDR3; объем памяти: 4Gb; количество модулей в наборе: 1; частота памяти: 1333MHz; тайминги: CL9; напряжение: 1.35V.
Код товара: 130-159
Есть в наличии
Модуль памяти Micron Crucial DDR3 4Gb 1600MHz (CT51264BD160B) - DDR3; 4 Гб; 1х4 Гб; 1600 МГц (12800 Мб/с).
Код товара: 149-292
Есть в наличии
Модуль памяти GOODRAM DDR3 SoDIMM, 8Gb, 1333MHz, PC3-10600, CL9, 1 планка (GR1333S364L9/8G)
Код товара: 386-501
Есть в наличии
Модуль памяти Exceleram SoDIMM DDR3, 8GB, 1333MHz, PC3-10666, CL9, 1.35V, 1 планка (E30214S)
Код товара: 386-500
Есть в наличии
Модуль памяти Exceleram SoDIMM, DDR3, 4GB, 1333MHz, PC3-10666, CL9, 1.35V, 1 планка (E30213S)
Код товара: 152-588
Есть в наличии
Модуль памяти G.Skill SoDIMM DDR3 8Gb (1x8Gb) 1600MHz (F3-1600C11S-8GSQ) - тип: для ноутбуков; тип памяти: DDR3; объем памяти: 8 ГБ; количество модулей: 1х8 ГБ; частота (пропускная способность): 1600 МГц (12800 МБ/с); тайминги: CL11; питание: 1.5 В.
Код товара: 246-277
Есть в наличии
1 модуль памяти DDR3,
объем модуля 8 Гб,
форм-фактор SODIMM, 204-контактный,
частота 1600 МГц
Код товара: 243-087
Есть в наличии
1 модуль памяти DDR3,
объем модуля 4 Гб,
форм-фактор SODIMM, 204-контактный,
частота 1066 МГц,
CAS Latency (CL): 7
Код товара: 320-039
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR3 SoDimm 1x4Gb 1600Mhz (M471B5173QH0-YK0) - для ноутбуков (SoDimm); DDR3L; 1x4Gb; 1600Mhz; CL11; 1.35 В.
Код товара: 284-230
Есть в наличии
Модуль памяти Team Elite SoDIMM DDR3 4Gb 1600MHz (TED34G1600C11-S01) - DDR3; 4 Гб; 1x4 Гб; 1600 МГц (12800 Мб/с); CL11; 1.5 В.
Код товара: 280-218
Есть в наличии
Оперативная память; PC3-10600; штатные тайминги: 9-9-9-24; рабочее напряжение: 1,5 В (TED34G1333C901)
Код товара: 358-942
Есть в наличии
Модуль памяти SODIMM для ноутбука; DDR3; 4 GB; 1333 MHz; 10600 MB/sec; 1.5V БЛИСТЕР* (GR1333S364L9S/4G)
Код товара: 334-012
Есть в наличии
Модуль памяти GOODRAM DDR3 4GB 1333MHz, PC3-10600Mb/sec, штатные тайминги: 9-9-9-24, рабочее напряжение: 1,5 В (GR1333D364L9S/4G)
Код товара: 369-675
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR3 SoDIMM 4GB, 1600MHz, 1.35V (M471B5173BH0-YK0)
Код товара: 375-107
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung Original DDR3 SoDIMM 4Gb 1600GHz (M471B5173EB0-YK0) - DDR3; 4 Г; 1x4 Гб; 1600 МГц (12800 Мб/с); CL11; 1.35 В.
Код товара: 376-868
Есть в наличии
Модуль памяти Tem DDR3, 4GB, 1600MHz, PC3-12800, CL11, 1.5 В (TED3L4G1600C1101)
Код товара: 377-261
Есть в наличии
Модуль памяти Hynix original DDR3, 4GB, 1600MHz, PC3-12800 (HMT451U6BFR8C-PB)
Код товара: 140-221
Есть в наличии
Модуль памяти G.Skill DDR3 16Gb 1600MHz (F3-1600C10D-16GAO) - DDR3; 16 Гб; 2х8 Гб; 1600 МГц (12800 Мб/с); наличие радиатора; CL10; 1.5 В; XMP (Xtreme Memory Profiles).
Код товара: 347-524
Есть в наличии
Модуль памяти GOODRAM DDR3, 4GB, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: 11-11-11-28, рабочее напряжение: 1,5 В (GR1600D364L11S/4G)
Код товара: 347-939
Есть в наличии
1 модуль памяти DDR3,
объем модуля 4 Гб,
форм-фактор DIMM, 240-контактный,
частота 1600 МГц,
поддержка ECC (M378B5173DB0-CK0)
Код товара: 386-489
Есть в наличии
Модуль памяти Exceleram DDR3, 8GB, 1600MHz, PC3-12800, CL11, 1.35V, 1 планка (E30228A)
Код товара: 389-430
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung original DDR3, 2GB, 1600MHz, PC3-12800 (M378B5773QB0-CK0)
Код товара: 378-981
Есть в наличии
Модуль памяти Hynix original DDR3, 4GB, 1600MHz, CL11 (HMT451U6AFR8C-PB)
Код товара: 423-295
Есть в наличии
Модуль памяти Micron Crucial DDR3 8Gb 1600MHz (CT102464BD160B) - DDR3; 8 Гб; 1х8 Гб; 1600 МГц (12800 Мб/с); CL11; 1.35 В.
Код товара: 386-503
Есть в наличии
Модуль памяти Exceleram SoDIMM, DDR3, 8GB, 1600MHz, PC3-12800, CL11, 1.35V, 1 планка (E30212S)
Код товара: 172-824
Есть в наличии
Модуль памяти GOODRAM DDR3 8GB, 1600MHz, PC3-12800, CL11, 1 планка (GR1600D364L11/8G)
Код товара: 386-490
Есть в наличии
Модуль памяти Exceleram DDR3, 8GB (2x4GB), 1600MHz, PC3-12800, CL11, 1.5V, 2 планки (E30146A)
Код товара: 384-568
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung Original DDR3 4GB, 1600GHz, PC3-12800, штатные тайминги: CL11, рабочее напряжение: 1.5В (M378B5173EB0-CK0)
Код товара: 386-491
Есть в наличии
Модуль памяти eXceleram Black Sark DDR3, 8GB (2x4GB), 1600MHz, PC3-12800, CL11, 1.5V, 2 планки (E30173A)
Код товара: 184-744
Есть в наличии
Модуль памяти G.Skill DDR3 8GB, 1600MHz, PC3-12800, CL11, NT Series, 1 планка (F3-1600C11S-8GNT)
Код товара: 422-471
Есть в наличии
Модуль памяти Kingston DDR3 SoDIMM 8Gb 1600MHz (KCP316SD8/8) - DDR3; 8 Гб; 1x8 Гб; 1600 МГц (12800 Мб/с); CL11; 1.5 В; совместимость с Apple.
Код товара: 438-069
Есть в наличии
Модуль памяти Hynix DDR3 SoDIMM 4Gb 1600MHz (HMT451S6DFR8A-PB) - DDR3; 4 Гб; 1x4 Гб; 1600 МГц (12800 Мб/с); CL11; 1.35 В.
Код товара: 454-647
Есть в наличии
Модуль памяти Golden Memory DDR3 2Gb (1x2Gb) 1600Mhz (GM16N11/2) - тип: DDR3, DIMM, 240-контактная; объем: 2 Гб; тактовая частота: 1600 МГц; пропускная способность: 12800 Мб/с; напряжение питания: 1.5 В.
Код товара: 186-274
Есть в наличии
Модуль памяти DDR3 4GB 1600 MHz G.Skill (F3-1600C11S-4GNT)
PC3-12800, CL11, NT Series, 1 планка
Код товара: 186-409
Есть в наличии
Модуль памяти Transcend DDR3 8GB, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: 7-7-7 / 9-9-9, рабочее напряжение: 1,5 В (TS1GLK72V6H)
Код товара: 197-054
Есть в наличии
Модуль памяти Patriot DDR3 16GB(2x8GB) 1600MHz Viper3 Black Mamba (PV316G160C9K) - 2 модуля памяти DDR3; объем модуля 8 Гб; форм-фактор DIMM, 240-контактный; частота 1600 МГц; радиатор; CAS Latency (CL): 9.
Код товара: 456-648
Есть в наличии
Модуль памяти Hynix DDR3 SoDIMM 2Gb (1x2Gb) 1600MHz (HMT325S6CFR8C-PB) - объем памяти: 2 ГБ; тип памяти: SODIMM DDR3; напряжение питания: 1.5 В; частота памяти: 1333 МГц; эффективная пропускная способность: 10600 Мбит/с; схема таймингов памяти: CL9; количество планок: 1; назначение: для ноутбуков; проверка и коррекция ошибок (ECC): non-ECC.
Код товара: 457-939
Есть в наличии
Модуль памяти Golden Memory DDR3 SoDIMM 8Gb (1x8Gb) 1600MHz (GM16S11/8) - тип памяти: DDR3; объем памяти: 8 ГБ; количество модулей: 1x8 Гб; частота (пропускная способность): 1600 МГц (12800 МБ/с); тайминги: CL11; питание: 1.5 В.
Код товара: 457-938
Есть в наличии
Модуль памяти Golden Memory DDR3 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 1600MHz (GM16S11/4) - тип памяти: DDR3; объем памяти: 4 ГБ; количество модулей: 1x4 Гб; частота (пропускная способность): 1600 МГц (12800 МБ/с); питание: 1.5 В.
Код товара: 386-488
Есть в наличии
Модуль памяти Exceleram DDR3 4GB, 1600MHz, PC3-12800, CL11, 1.35V, 1 планка (E30227A)
Код товара: 386-502
Есть в наличии
Модуль памяти Exceleram SoDIMM, DDR3, 4GB, 1600MHz, PC3-10666, CL9, 1.35V, 1 планка (E30211S)
Код товара: 204-536
Есть в наличии
1 модуль памяти DDR3,
объем модуля 4 Гб,
форм-фактор DIMM, 240-контактный,
частота 1600 МГц (M378B5173CB0-CK0)
Код товара: 386-487
Есть в наличии
Модуль памяти Exceleram DDR3, 4GB, 1600MHz, PC3-12800, CL11, 1.5V, 1 планка (E30149A)
Код товара: 208-880
Есть в наличии
Модуль памяти Geil DDR3 2GB 1600MHz PC3-12800, штатные тайминги: CL11, рабочее напряжение: 1,5 В (GN32GB1600C11S)
Код товара: 240-635
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR3, SO-DIMM, 4GB, PC3-12800, штатные тайминги: CL11, рабочее напряжение: 1,5 В (M471B5273DH0-CK0)
Код товара: 463-599
Есть в наличии
Модуль памяти Apacer DDR3 4Gb (1x4Gb) 1600MHz (DG.04G2K.KAM) - тип памяти: DDR3; объем памяти: 4 ГБ; количество модулей: 1х4 Гб; частота (пропускная способность): 1600 МГц (12800 МБ/с); питание: 1.35 В.
Код товара: 463-600
Есть в наличии
Модуль памяти Apacer DDR3 8Gb (1x8Gb) 1600MHz (DG.08G2K.KAM) - тип памяти: DDR3; объем памяти: 8 ГБ; количество модулей: 1х8 Гб; частота (пропускная способность): 1600 МГц (12800 МБ/с); тайминги: CL11; питание: 1.35 В.
Код товара: 464-148
Есть в наличии
Модуль памяти V-Color DDR3 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 1600MHz (TF34G16S811L) - форм-фактор и тип памяти: SoDIMM DDR3; объем памяти: 4 ГБ; количество модулей: 1x4 Гб; частота (пропускная способность): 1600 МГц (12800 МБ/с); тайминги: CL11; питание: 1.35 В.
Код товара: 248-788
Есть в наличии
1 модуль памяти DDR3L,
объем модуля 8 Гб,
форм-фактор SODIMM, 204-контактный,
частота 1600 МГц,
CAS Latency (CL): 11 (CT102464BF160B)
Код товара: 252-028
Есть в наличии
Модуль памяти Patriot Signature SoDIMM DDR3 8Gb 1600MHz (PSD38G16002S) - SoDIMM DDR3; 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; 1600 МГц; CL11; 1.5 В; количество микросхем на планке: 16; упаковка микросхем: двусторонняя; количество ранков: 2.
Код товара: 254-810
Есть в наличии
1 модуль памяти DDR3,
объем модуля 8 Гб,
форм-фактор DIMM, 240-контактный,
частота 1600 МГц
Код товара: 469-864
Есть в наличии
Модуль памяти Golden Memory DDR3 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 1600MHz (GM16LS11/4) - тип памяти: DDR3; объем памяти: 4Gb; количество модулей в наборе: 1; стандарты памяти: PC3-12800; частота памяти: 1600 МГц; напряжение: 1.35V; проверка и коррекция ошибок (ECC): non-ECC; буферизация: unbuffered.
Код товара: 459-544
Есть в наличии
Модуль памяти Kingston DDR4 16Gb (1x16Gb) 2666MHz (KVR26N19D8/16) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 16 ГБ; количество модулей: 1х16 Гб; частота (пропускная способность): 2666 МГц (21328 МБ/с); тайминги: CL19; питание: 1.2 В.
Код товара: 459-543
Есть в наличии
Модуль памяти Kingston DDR4 8Gb (1x8Gb) 2666MHz (KVR26N19S8/8) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 8 ГБ; количество модулей: 1х8 Гб; частота (пропускная способность): 2666 МГц (21328 МБ/с); тайминги: CL19; питание: 1.2 В.
Код товара: 470-013
Есть в наличии
Модуль памяти GoodRam Iridium X Black DDR4 8Gb (1x8Gb) 2666MHz (IR-X2666D464L16S/8G) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 8 ГБ; количество модулей: 1х8 Гб; частота (пропускная способность): 2666 МГц (21328 МБ/с); наличие радиатора; тайминги: CL16; питание: 1.2 В.
Код товара: 400-881
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung So-Dimm DDR3 8GB 1600MHz Original (M471B1G73EB0-YK0) - 1 модуль памяти DDR3; объем памяти: 8 GB; частота шины: 1600 MHz; латентность (тайминги): CL11.
Код товара: 199-822
Есть в наличии
Модуль памяти GOODRAM DDR3 SoDIMM 8Gb, 1600MHz, PC3-12800, CL11, 1 планка (GR1600S364L11/8G)
Код товара: 289-943
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR3 4GB, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: CL11, рабочее напряжение: 1.5В (M378B5173BH0-CK0)
Код товара: 473-730
Есть в наличии
Модуль памяти Lenovo ThinkSystem DDR4 ECC 16Gb (1x16Gb) 2666MHz (7X77A01303) - тип: DDR4; объем: 16 ГБ; количество планок в комплекте: 1 шт.; частота: 2666 МГц; пропускная способность: 21300 МБ/с; число рангов: двухранговая (Dual Rank); ECC; буферизация: Registered.
Код товара: 406-140
Есть в наличии
Модуль памяти G.SKILL DDR4 8GB 2400MHz Value NT (F4-2400C15S-8GNT) - 1 модуль памяти DDR4; объем: 8Gb; частота: 2400Mhz; тайминги: CL15.
Код товара: 407-592
Есть в наличии
Модуль памяти Patriot DDR4 4Gb 2400MHz (PSD44G240081) - DDR4; 4 Гб; количество модулей: 1х4 Гб; частота (пропускная способность): 2400 МГц (19200 Мб/с); CL16; 1.2 В.
Код товара: 266-082
Есть в наличии
Оперативная память Crucial 4 GB DDR3 1600 MHz (CT51264BA160BJ); PC3-12800; штатные тайминги: CL11; рабочее напряжение: 1,5 В
Код товара: 278-394
Есть в наличии
Оперативная память Crucial 8GB, DDR3, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: CL11, рабочее напряжение: 1,5 В (CT102464BA160B)
Код товара: 260-366
Есть в наличии
1 модуль памяти DDR3L,
объем модуля 4 Гб,
форм-фактор SODIMM, 204-контактный,
частота 1600 МГц,
CAS Latency (CL): 11
Код товара: 307-787
Есть в наличии
1 модуль памяти DDR3,
объем модуля 4 Гб,
форм-фактор DIMM, 240-контактный,
частота 1600 МГц,
CAS Latency (CL): 11
Код товара: 319-497
Есть в наличии
1 модуль памяти DDR3,
объем модуля 4 Гб,
форм-фактор DIMM, 240-контактный,
частота 1600 МГц (M378B5173QH0-CK0)
Код товара: 114-013
Есть в наличии
Модуль памяти DDR3 8GB 1600 MHz Hynix (HMT41GU6MFR8C-PB N0 AA)
1600 MHz, PC3-12800, 1 планка
Код товара: 432-982
Есть в наличии
Модуль памяти Team Elite SoDIMM DDR4 4Gb 2400MHz (TED44G2400C16-S01) - DDR4; 4 Гб; 1x4 Гб; 2400 МГц (19200 Мб/с); CL16; 1.2 В.
Код товара: 425-412
Есть в наличии
Модуль памяти Team Elite DDR4 8Gb 2400MHz (TED48G2400C1601) - DDR4; 8 Гб; 1х8 Гб; 2400 МГц (19200 Мб/с); CL16; 1.2 В.
Код товара: 441-692
Есть в наличии
Модуль памяти Patriot DDR4 8GB 2400MHz (PSD48G240081) - DIMM DDR4; 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; 2400 МГц; CL17; 1.2 В; количество ранков: 2.
Код товара: 324-681
Есть в наличии
1 модуль памяти DDR3,
объем модуля 8 Гб,
форм-фактор DIMM, 240-контактный,
частота 1600 МГц,
CAS Latency (CL): 11 (M378B1G73QH0-CK0)
Код товара: 329-359
Есть в наличии
Модуль памяти G.Skill Aegis DDR3 8GB (2x4GB) 1600MHz, CL11, 1.5V, 2 планки (F3-1600C11D-8GIS)
Код товара: 307-542
Есть в наличии
1 модуль памяти DDR3,
объем модуля 8 Гб,
форм-фактор DIMM, 240-контактный,
частота 1600 МГц
Код товара: 309-529
Есть в наличии
Модуль памяти Silicon Power SoDIMM DDR-3, 4096Mb, DDR-1600MHz, CL11 (SP004GBSTU160N02)
Код товара: 332-613
Есть в наличии
Модуль памяти Exceleram DDR3, 16GB (2x8GB), 1600MHz, CL11, 1.5V, 2 планки (E30166A)
Код товара: 356-493
Есть в наличии
Форм-фактор и тип памяти: SoDIMM DDR3; Объем памяти: 4 GB; Тактовая частота: 1600 MHz; CAS Latency (CL): CL11; Рабочее напряжение: 1.5 В; Количество модулей в комплекте: 1 (HMT351S6CFR8C-PB)
Код товара: 425-413
Есть в наличии
Модуль памяти Team Elite DDR4 16Gb 2400MHz (TED416G2400C1601) - DDR4; 16 Гб; 2х8 Гб; 2400 МГц (19200 Мб/с); CL16; 1.2 В.
Код товара: 422-615
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR4 16Gb 2400MHz (M378A2K43BB1-CRC) - DDR4; 16 Гб; 1х16 Гб; 2400 МГц (19200 Мб/с); CL17; 1.2 В.
Код товара: 439-644
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR4 8Gb (1x8Gb) 2400MHz (M378A1K43BB2-CRC) - DDR4; 8 Гб; 1х8 Гб; 2400 МГц (19200 Мб/с); CL17; 1.2V.
Код товара: 360-064
Есть в наличии
Модуль памяти DDR3 8 ГБ GoodRam 12800 MБ/с; 1600 МГц; RET (GR1600D3V64L11/8G)
Код товара: 358-848
Есть в наличии
Модуль памяти GOODRAM DDR3 SoDIMM 4Gb, 1600MHz, 1.5V (GR1600S364L11S/4G)
Код товара: 451-266
Есть в наличии
Модуль памяти GoodRAM DDR4 8Gb (1x8Gb) 2400Mhz (GR2400D464L17S/8G) - DDR4; 8 Гб; 2400 МГц; cтандарт памяти: PC4-19200; пропускная способность: 19200 мб/сек.
Код товара: 456-696
Есть в наличии
Модуль памяти eXceleram DDR4 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (E404247A) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 4Gb; количество модулей в наборе: 1; частота памяти: 2400MHz;4 тайминги: CL17; напряжение: 1.2V; форм-фактор памяти: 288-pin DIMM; проверка и коррекция ошибок (ECC): non-ECC; буферизация: unbuffered.
Код товара: 454-944
Есть в наличии
Модуль памяти G.Skill Original DDR4 SoDIMM 16Gb (1x16Gb) 2400MHz (F4-2400C16S-16GRS) - форм-фактор и тип памяти: SoDIMM DDR4; объём памяти: 16 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL16; схема таймингов памяти: 16-16-16-39; рабочее напряжение: 1.2 В; буферизация: Unbuffered.
Код товара: 361-335
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR3 8Gb (1x8Gb) 1600MHz (M378B1G73DB0-CK0) - тип памяти: DDR3; объем памяти: 8 ГБ; количество модулей: 1х8 Гб; частота (пропускная способность): 1600 МГц (12800 МБ/с); тайминги: CL11; питание: 1.5 В.
Код товара: 358-852
Есть в наличии
Модуль памяти GOODRAM 4Gb SoDIMM DDR3 1600 MHz PC3-12800, штатные тайминги: CL11, рабочее напряжение: 1,35 В (GR1600S3V64L11S/4G)
Код товара: 332-606
Есть в наличии
Модуль памяти eXceleram DDR3 SO-DIMM 4GB 1600MHz CL11, 1.5V, 1 планка (E30170A)
Код товара: 366-635
Есть в наличии
Модуль памяти GOODRAM DDR3 SoDIMM 8Gb, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: CL11, рабочее напряжение: 1,35 В (GR1600S3V64L11/8G)
Код товара: 369-350
Есть в наличии
Модуль памяти Team Elite DDR3, 8GB, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: 11-11-11-28, рабочее напряжение: 1,35 / 1,5 В
Код товара: 458-290
Есть в наличии
Модуль памяти Geil Pristine DDR4 8Gb (2x4Gb) 2400MHz (GP48GB2400C16DC) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 8 ГБ; количество модулей: 2х4 Гб; частота (пропускная способность): 2400 МГц (19200 МБ/с); тайминги: CL16; питание: 1.2 В; XMP (Xtreme Memory Profiles): есть.
Код товара: 458-857
Есть в наличии
Модуль памяти Patriot DDR4 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (PSD44G240081S) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 4 ГБ; количество модулей: 1x4 Гб; частота (пропускная способность): 2400 МГц (19200 МБ/с); тайминги: CL17; питание: 1.2 В.
Код товара: 458-858
Есть в наличии
Модуль памяти Patriot DDR4 SoDIMM 8Gb (1x8Gb) 2400MHz (PSD48G240081S) - форм-фактор и тип памяти: SoDIMM DDR4; объём памяти: 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL17; схема таймингов памяти: 17-17-17; рабочее напряжение: 1.2 В.
Код товара: 453-088
Есть в наличии
Модуль памяти NCP DDR4 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (NCPC9AUDR-24M58) - тип: DDR4, DIMM, 288-контактная; объем: 4 Гб; тактовая частота: 2400 МГц; пропускная способность: 19200 Мб/с; напряжение питания: 1.2 В; тайминги: CL 17.
Код товара: 376-026
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung SO-DIMM, DDR3, 8GB, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: CL11, рабочее напряжение: 1,35 В (M471B1G73QH0-YK0)
Код товара: 377-895
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR3 8GB 1600MHz, PC3-12800 (M378B1G73EB0-CK0)
Код товара: 380-564
Есть в наличии
Модуль памяти Team Elite DDR3, 8GB, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: CL11, рабочее напряжение: 1.5В (TED3L8G1600C1101)
Код товара: 360-056
Есть в наличии
Модуль памяти Hynix DDR3 SoDIMM 4GB, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: CL9, рабочее напряжение: 1.35 В (HMT451S6BFR8A-PB)
Код товара: 391-077
Есть в наличии
Модуль памяти Hynix DDR3 So-DIMM, 8GB, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: CL11, рабочее напряжение: 1.5В (HMT41GS6MFR8C-PB)
Код товара: 460-247
Есть в наличии
Модуль памяти Hynix DDR4 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (HMA851U6AFR6N-UH) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 4 ГБ; количество модулей: 1х4 Гб; частота (пропускная способность): 2400 МГц (19200 МБ/с); тайминги: CL17; питание: 1.2 В.
Код товара: 460-246
Есть в наличии
Модуль памяти Hynix DDR4 8Gb (1x8Gb) 2400MHz (HMA81GU6AFR8N-UH) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 8 ГБ; количество модулей: 1х8 Гб; частота (пропускная способность): 2400 МГц (19200 МБ/с); тайминги: CL17; питание: 1.2 В.
Код товара: 461-326
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR4 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (M471A5244CB0-CRC) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 4 ГБ; количество модулей: 1x4 Гб; частота (пропускная способность): 2400 МГц (19200 МБ/с); тайминги: CL17; питание: 1.2 В.
Код товара: 464-163
Есть в наличии
Модуль памяти GoodRam DDR4 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (GR2400S464L17S/4G) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 4 ГБ; количество модулей: 1x4 Гб; частота (пропускная способность): 2400 МГц (19200 МБ/с); тайминги: CL17; питание: 1.2 В.
Код товара: 395-449
Есть в наличии
Модуль памяти eXceleram white Sark DDR3 4GB 1600MHz (E30300A) - объем памяти: 4 GB; тип памяти: DDR3; частота шины: 1600 MHz; латентность (тайминги): CL11 (11-11-11-27); номинальное напряжение: 1.5V; кол-во модулей в комплекте: (Kit: 1x4GB); радиатор; Unbuffered.
Код товара: 358-941
Есть в наличии
Модуль памяти для компьютера DDR3 4GB 1600 MHz Elite Plus Team (TPD34G1600HC1101)
Код товара: 400-359
Есть в наличии
Модуль памяти Silicon Power SoDIMM DDR3 4GB 1600MHz (SP004GLSTU160N02) - 1 модуль памяти DDR3L; объем модуля 4 Гб; форм-фактор SODIMM, 204-контактный; частота 1600 МГц; CAS Latency (CL): 11.
Код товара: 392-722
Есть в наличии
Модуль памяти Silicon Power DDR3 4GB 1600MHz (SP004GLLTU160N02) - 1 модуль памяти DDR3L; объем модуля 4 Гб; форм-фактор DIMM, 240-контактный; частота 1600 МГц; CAS Latency (CL): 11.
Код товара: 392-673
Есть в наличии
Модуль памяти Silicon Power DDR3 8GB 1600MHz (SP008GLLTU160N02) - 1 модуль памяти DDR3L; объем модуля 8 Гб; форм-фактор DIMM, 240-контактный; частота 1600 МГц; CAS Latency (CL): 11.
Код товара: 435-150
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR3 4Gb 1600MHz (M378B5173EB0-YK0) - DIMM DDR3; 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; 1600 МГц; CL11; схема таймингов памяти: 11-11-11; 1.35 В; количество микросхем на планке: 8; тип микросхем: 512Mx4; упаковка микросхем: односторонняя; количество ранков: 1.
Код товара: 463-875
Есть в наличии
Модуль памяти Micron Crucial DDR4 SoDIMM 16Gb (1x16Gb) 2400MHz (CT16G4SFD824A) - форм-фактор и тип памяти: SoDIMM DDR4; объем памяти: 16 ГБ; количество модулей: 1x16 Гб; частота (пропускная способность): 2400 МГц (19200 МБ/с); тайминги: CL17; питание: 1.2 В.
Код товара: 464-230
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR4 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (M471A5244CB0-CRCD0) - назначение: для ноутбука; тип памяти: DDR4; количество модулей памяти в наборе: 1 шт.; емкость памяти: 4 Гб; максимальная рабочая частота: 2400 МГц; напряжение питания: 1.2 В; вес: 10 г.
Код товара: 430-252
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR3 8GB 1600MHz (M378B1G73EB0-YK0) - DIMM DDR3; 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; 1600 МГц; CL11; схема таймингов памяти: 11-11-11; 1.35 В; количество микросхем на планке: 16; тип микросхем: 1Gx64; упаковка микросхем: двусторонняя; количество ранков: 2.
Код товара: 419-753
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR3 SoDIMM 4Gb 1600MHz (M471B5173DB0-YK0) - DDR3; 4 Гб; 1x4 Гб; 1600 МГц (12800 Мб/с); CL11; 1.35 В/1.5
Код товара: 448-615
Есть в наличии
Модуль памяти Hynix DDR3 8Gb (1x8Gb) 1600Mhz (HMT41GU6BFR8C-PB) - DDR3; DIMM 240-контактный; 1600 МГц; пропускная способность: 12800 Мб/с; 1 модуль 8 Гб; количество чипов каждого модуля: 16; двусторонняя упаковка; 1.5 В.
Код товара: 456-645
Есть в наличии
Модуль памяти Golden Memory DDR3 8Gb (1x8Gb) 1600MHz (GM16N11/8) - тип памяти: DDR3; объем памяти: 8 ГБ; количество модулей: 1х8 Гб; частота (пропускная способность): 1600 МГц (12800 МБ/с); питание: 1.5 В.
Код товара: 467-291
Есть в наличии
Модуль памяти eXceleram Black Kudos DDR3 8Gb (1x8Gb) 1600MHz (EKBLACK3081611LA) - тип памяти: DDR3; объем памяти: 8Gb; количество модулей в наборе: 1; стандарты памяти: PC3-12800; частота памяти: 1600MHz; тайминги: CL11; напряжение: 1.35V; форм-фактор памяти: 240-pin DIMM; проверка и коррекция ошибок
(ECC): non-ECC; буферизация: unbuffered; охлаждение: + радиатор. ... развернутьсвернуть
Код товара: 467-293
Есть в наличии
Модуль памяти eXceleram Black Kudos DDR3 16Gb (2x8Gb) 1600MHz (EKBLACK3161611LAD) - тип памяти: DDR3; объем памяти: 16Gb; количество модулей в наборе: 2; стандарты памяти: PC3-12800; частота памяти: 1600MHz; тайминги: CL11; напряжение: 1.35V; форм-фактор памяти: 240-pin DIMM; проверка и коррекция ошибок
(ECC): non-ECC; буферизация: unbuffered; охлаждение: + радиатор. ... развернутьсвернуть
Код товара: 465-272
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR4 ECC 16Gb (1x16Gb) 2400MHz (M393A2K40BB1-CRC0Q) - тип памяти: DDR4; форм-фактор: DIMM; количество контактов: 288; тактовая частота: 2400 МГц; пропускная способность: 19200 Мб/с; объем: 1 модуль 16Gb; поддержка ECC; буферизованная (Registered).
Код товара: 466-092
Есть в наличии
Модуль памяти G.Skill Aegis DDR4 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (F4-2400C17S-4GIS) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL17; схема таймингов памяти: 17-17-17-39; рабочее напряжение: 1.2 В; поддержка XMP.
Код товара: 466-093
Есть в наличии
Модуль памяти G.Skill Value DDR4 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (F4-2400C17S-4GNT) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL17; схема таймингов памяти: 17-17-17-39; рабочее напряжение: 1.2 В.
Код товара: 470-922
Есть в наличии
Модуль памяти GoodRam Iridium X Black DDR4 16Gb (2x8Gb) 2666MHz (IR-X2666D464L16S/16GDC) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 16 ГБ; количество модулей в комплекте: 2 х 8 ГБ; тактовая частота: 2666 МГц; CAS Latency (CL): CL16; схема таймингов памяти: 16-18-18; рабочее напряжение: 1.2
В; особенности: с охлаждением (радиатор); цвет радиатора: чёрный. ... развернутьсвернуть
Код товара: 474-076
Есть в наличии
Модуль памяти Hynix DDR4 4Gb (1x4Gb) 2666MHz (HMA851U6CJR6N-VKN0) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 4 ГБ; количество модулей: 1х4 Гб; частота (пропускная способность): 2666 МГц (21328 МБ/с); тайминги: CL19; питание: 1.2 В.
Код товара: 304-084
Есть в наличии
2 модуля памяти DDR3,
объем модуля 8 Гб,
форм-фактор DIMM, 240-контактный,
частота 2400 МГц,
радиатор для дополнительного охлаждения,
CAS Latency (CL): 11
Код товара: 415-796
Есть в наличии
Модуль памяти G.Skill DDR4 16Gb (1x16Gb) 2400MHz (F4-2400C15S-16GIS) - тип памяти: DDR4; форм-фактор: DIMM 288-контактный; тактовая частота: 2400 МГц; пропускная способность: 19200 Мб/с; объем: 1 модуль 16 Гб; CAS Latency (CL): 15; RAS to CAS Delay (tRCD): 15; Row Precharge Delay (tRP): 15; Activate
to Precharge Delay (tRAS): 35; напряжение питания: 1.2 В; радиатор. ... развернутьсвернуть
Код товара: 432-872
Есть в наличии
Модуль памяти G.Skill DDR4 8GB 2400MHz (F4-2400C15S-8GNS) - DDR4; DIMM 288-контактный; 2400 МГц; пропускная способность: 19200 Мб/с; 1 модуль 8 Гб; CAS Latency (CL): 15; RAS to CAS Delay (tRCD): 15; Row Precharge Delay (tRP): 15; Activate to Precharge Delay (tRAS): 35; 1.2 В.
Код товара: 440-566
Есть в наличии
Модуль памяти Kingston ValueRAM DDR4 SoDIMM 8Gb 2400MHz (KVR24S17S8/8) - SoDIMM DDR4; 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; 2400 МГц; CL17; схема таймингов памяти: 17-17-17; 1.2 В; количество микросхем на планке: 8; тип микросхем: 1Gx64; двусторонняя; количество ранков: 1.
Код товара: 441-004
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR4 SoDIMM 16Gb (1x16Gb) 2400MHz (M471A2K43BB1-CRC) - форм-фактор и тип памяти: SoDIMM DDR4; объём памяти: 16 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL17; схема таймингов памяти: 17-17-17; рабочее напряжение: 1.2 В; количество ранков: 2.
Код товара: 466-080
Есть в наличии
Модуль памяти G.Skill Aegis DDR4 16Gb (2x8Gb) 2400MHz (F4-2400C17D-16GIS) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 16 ГБ; количество модулей в комплекте: 2 х 8 ГБ; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL17; схема таймингов памяти: 17-17-17-39; рабочее напряжение: 1.2 В; поддержка XMP.
Код товара: 441-793
Есть в наличии
Модуль памяти G.Skill Aegis DDR4 8GB 2400MHz (F4-2400C15S-8GIS) - DIMM DDR4; 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; 2400 МГц; CL15; схема таймингов памяти: 15-15-15-35; 1.2 В; поддержка XMP; с охлаждением (радиатор); цвет радиатора: Black.
Код товара: 431-814
Есть в наличии
Модуль памяти HP DDR4 ECC 8Gb 2400MHz (805347-B21) - DDR4; DIMM 288-контактный; 2400 МГц; пропускная способность: 19200 Мб/с; 1 модуль 8 Гб; поддержка ECC; буферизованная (Registered); CAS Latency (CL): 17; RAS to CAS Delay (tRCD): 17; Row Precharge Delay (tRP): 17; 1.2 В; количество ранков: 1.
Код товара: 449-045
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung Original DDR4 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (M378A5244CB0-CRC) - DIMM DDR4; 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL17; схема таймингов памяти: 17-17-17; 1.2 В; количество ранков: 1.
Код товара: 449-637
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR4 SoDIMM 16Gb (1x16Gb) 2400MHz (M471A2K43CB1-CRC) - SoDIMM DDR4; 16 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; 2400 МГц; CL17; схема таймингов памяти: 17-17-17; 1.2 В; количество ранков: 2.
Код товара: 467-265
Есть в наличии
Модуль памяти eXceleram DDR4 SoDIMM 8Gb (1x8Gb) 2400MHz (E408247S) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 8Gb; количество модулей в наборе: 1; стандарты памяти: PC4-19200; частота памяти: 2400MHz; тайминги: CL17; напряжение: 1.2V; форм-фактор памяти: 260-pin SoDIMM; проверка и коррекция ошибок (ECC): non-ECC; буферизация: unbuffered.
Код товара: 467-266
Есть в наличии
Модуль памяти Exceleram DDR4 SoDIMM 16Gb (1x16Gb) 2400MHz (E416247S) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 16Gb; количество модулей в наборе: 1; стандарты памяти: PC4-19200; частота памяти: 2400MHz; тайминги: CL17; напряжение: 1.2V; форм-фактор памяти: 260-pin SoDIMM; проверка и коррекция ошибок (ECC): ECC; буферизация: unbuffered.
Код товара: 470-796
Есть в наличии
Модуль памяти HP DDR4 ECC 16Gb (1x16Gb) 2400MHz (862976-B21) - тип памяти: DDR4; форм-фактор: DIMM 288-контактный; тактовая частота: 2400 МГц; пропускная способность: 19200 Мб/с; объем: 1 модуль 16 Гб; поддержка ECC; CAS Latency (CL): 17; RAS to CAS Delay (tRCD): 17; Row Precharge Delay (tRP): 17; напряжение питания: 1.2 В; количество ранков: 2.
Код товара: 457-538
Есть в наличии
Модуль памяти Goodram DDR4 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (GR2400D464L17S/4G) - объем памяти: 4 ГБ; тип памяти: DDR4 SDRAM; напряжение питания: 1.2 В; частота памяти: 2400 МГц; эффективная пропускная способность: 19200 МБ/с; схема таймингов памяти: CL-17; количество планок: 1; назначение: для настольных ПК; буферизация:
небуферизированная (Unbuffered); проверка и коррекция ошибок (ECC): non-ECC. ... развернутьсвернуть
Код товара: 457-233
Есть в наличии
Модуль памяти G.Skill SoDIMM DDR4 8Gb (1x8Gb) 2400MHz (F4-2400C16S-8GRS) - тип памяти: DDR4; форм-фактор: SODIMM 260-контактный; тактовая частота: 2400 МГц; пропускная способность: 19200 Мб/с; объем: 1 модуль 8 Гб; поддержка XMP; CAS Latency (CL): 16; RAS to CAS Delay (tRCD): 16; Row Precharge Delay
(tRP): 16; Activate to Precharge Delay (tRAS): 39; напряжение питания: 1.2 В. ... развернутьсвернуть
Код товара: 466-079
Есть в наличии
Модуль памяти G.Skill Ripjaws V DDR4 8Gb (2x4Gb) 2400MHz (F4-2400C15D-8GVR) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 2 х 4 ГБ; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL15; схема таймингов памяти: 15-15-15-35; рабочее напряжение: 1.2 В; поддержка
XMP; особенности: с охлаждением (радиатор); цвет радиатора: красный. ... развернутьсвернуть
Код товара: 473-671
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR4 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (M378A5244BB0-CRC) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL17; рабочее напряжение: 1.2 В.
Код товара: 133-405
Есть в наличии
Оперативная память; PC3-10666; штатные тайминги: CL9; рабочее напряжение: 1,5 В (CT51264BA1339)
Код товара: 134-553
Есть в наличии
Samsung DDR3 SODIMM 4Gb 1333MHz (M471B5173BH0-CH9)
Код товара: 227-231
Есть в наличии
DIMM 4096Mb DDR3 PC3-10600 Samsung Original (M378B5173BH0-CH9)
Код товара: 319-514
Есть в наличии
Модуль памяти DDR3 2GB 1333MHz (PC3-10600) Micron (MT16JTF25664AZ-1G4G1)
Код товара: 204-533
Есть в наличии
Модуль памяти SoDIMM DDR3 8GB 1600 MHz SAMSUNG (M471B1G73BH0-CK0)
1600 MHz, PC3-12800, 1 планка
Код товара: 215-192
Есть в наличии
Модуль памяти Hynix DDR3 4GB, 1333MHz, PC3-10600, CL9, 1 планка (HMT351U6BFR8C-H9)
Код товара: 222-034
Есть в наличии
Модуль памяти DDR3 4GB 1333 MHz SAMSUNG (Original), PC3-10666, CL9, 1 планка (M378B5273DH0-CH9)
Код товара: 257-235
Есть в наличии
Модуль памяти DDR3 4096Mb Exceleram (E30136A)
1600MHz, PC3-12800, CL9, (9-9-9-24), 1.65V
Код товара: 357-563
Есть в наличии
Модуль памяти SO-DIMM 8Gb DDR3 1600MHz Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 1.35В
Код товара: 260-531
Есть в наличии
Оперативная память Crucial 4 GB SO-DIMM DDR3 1333 MHz (CT51264BF1339J); PC3-10600; штатные тайминги: CL9; рабочее напряжение: 1,35 В
Код товара: 368-369
Есть в наличии
Модуль памяти Hynix 4GB, SO-DIMM DDR3, 1333MHz, PC3-10666, штатные тайминги: CL9, рабочее напряжение: 1,5 B (HMT351S6BFR8C-H9)
Код товара: 159-526
Есть в наличии
Модуль памяти SAMSUNG DDR3 4GB 1600 MHz (M378B5273DH0-CK0 / M378B5273CH0-CK000), PC3-12800, CL9, 1 планка
Код товара: 197-911
Есть в наличии
1 модуль памяти DDR3,
объем модуля 2 Гб,
форм-фактор SODIMM, 204-контактный,
частота 1600 МГц,
CAS Latency (CL): 11
Код товара: 199-060
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR3 1600MHz 4Gb PC3-12800 (M378B5273EB0-CK0)
Код товара: 200-219
Есть в наличии
1 модуль памяти DDR3,
объем модуля 4 Гб,
форм-фактор SODIMM, 204-контактный,
частота 1600 МГц,
CAS Latency (CL): 11
Код товара: 348-899
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung Semiconductor - 1 модуль памяти DDR3L,
объем модуля 8 Гб,
форм-фактор SODIMM, 204-контактный,
частота 1600 МГц,
CAS Latency (CL): 11 (M471B1G73DB0-YK0)
Доставка товаров в следующие города: Киев, Харьков, Одесса, Львов, Днепропетровск, Николаев, Полтава, Ровно, Сумы, Тернополь, Ивано-Франковск, Кировоград, Херсон, Хмельницкий, Черкассы, Чернигов, Черновцы, Винница, Луцк, Житомир, Запорожье, Ужгород.
