Оперативная память

Модуль памяти G.SKILL Original Value Series - NT DDR3, 4GB, 1333MHz, PC3-10600, CL9, 1 планка (F3-10600CL9S-4GBNT)

1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1333 МГц, CAS Latency (CL): 9 (GR1333D364L9/8G)

Модуль памяти Hynix DDR3 2GB, 1333MHz, 1.5В, CL10, PC10600 (HMT325U6CFR8C-H9N0)

Модуль памяти eXceleram DDR3 4Gb (1x4Gb) 1333MHz (E30225A) - тип памяти: DDR3; объем памяти: 4Gb; количество модулей в наборе: 1; частота памяти: 1333MHz; тайминги: CL9; напряжение: 1.35V.

Модуль памяти Crucial DDR3, 8GB, 1866MHz, CL13, 1,5V/1.35V, Retail (CT102464BD186D)

Модуль памяти GOODRAM DDR3 SoDIMM, 8Gb, 1333MHz, PC3-10600, CL9, 1 планка (GR1333S364L9/8G)

Модуль памяти Exceleram SoDIMM DDR3, 8GB, 1333MHz, PC3-10666, CL9, 1.35V, 1 планка (E30214S)

Модуль памяти Exceleram SoDIMM, DDR3, 4GB, 1333MHz, PC3-10666, CL9, 1.35V, 1 планка (E30213S)

Модуль памяти Kingston DDR4 16Gb (1x16Gb) 2666MHz (KVR26N19D8/16) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 16 ГБ; количество модулей: 1х16 Гб; частота (пропускная способность): 2666 МГц (21328 МБ/с); тайминги: CL19; питание: 1.2 В.

Модуль памяти Kingston DDR4 8Gb (1x8Gb) 2666MHz (KVR26N19S8/8) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 8 ГБ; количество модулей: 1х8 Гб; частота (пропускная способность): 2666 МГц (21328 МБ/с); тайминги: CL19; питание: 1.2 В.

Модуль памяти GoodRam Iridium X Black DDR4 8Gb (1x8Gb) 2666MHz (IR-X2666D464L16S/8G) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 8 ГБ; количество модулей: 1х8 Гб; частота (пропускная способность): 2666 МГц (21328 МБ/с); наличие радиатора; тайминги: CL16; питание: 1.2 В.

1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1066 МГц, CAS Latency (CL): 7

Модуль памяти Lenovo ThinkSystem DDR4 ECC 16Gb (1x16Gb) 2666MHz (7X77A01303) - тип: DDR4; объем: 16 ГБ; количество планок в комплекте: 1 шт.; частота: 2666 МГц; пропускная способность: 21300 МБ/с; число рангов: двухранговая (Dual Rank); ECC; буферизация: Registered.

Оперативная память; PC3-10600; штатные тайминги: 9-9-9-24; рабочее напряжение: 1,5 В (TED34G1333C901)

Модуль памяти SODIMM для ноутбука; DDR3; 4 GB; 1333 MHz; 10600 MB/sec; 1.5V БЛИСТЕР* (GR1333S364L9S/4G)

Модуль памяти GOODRAM DDR3 4GB 1333MHz, PC3-10600Mb/sec, штатные тайминги: 9-9-9-24, рабочее напряжение: 1,5 В (GR1333D364L9S/4G)

1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1866 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 10

Модуль памяти DDR3 4GB Team (TPD34G1866HC1301); 14900 MБ/с; 1866 МГц; радиаторы; RET (TPD34G1866HC1301)

Модуль памяти Hynix DDR4 4Gb (1x4Gb) 2666MHz (HMA851U6CJR6N-VKN0) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 4 ГБ; количество модулей: 1х4 Гб; частота (пропускная способность): 2666 МГц (21328 МБ/с); тайминги: CL19; питание: 1.2 В.

Оперативная память; PC3-10666; штатные тайминги: CL9; рабочее напряжение: 1,5 В (CT51264BA1339)

Samsung DDR3 SODIMM 4Gb 1333MHz (M471B5173BH0-CH9)

DIMM 4096Mb DDR3 PC3-10600 Samsung Original (M378B5173BH0-CH9)

Модуль памяти DDR3 2GB 1333MHz (PC3-10600) Micron (MT16JTF25664AZ-1G4G1)

Модуль памяти Hynix DDR3 4GB, 1333MHz, PC3-10600, CL9, 1 планка (HMT351U6BFR8C-H9)

Модуль памяти DDR3 4GB 1333 MHz SAMSUNG (Original), PC3-10666, CL9, 1 планка (M378B5273DH0-CH9)

Оперативная память Crucial 4 GB SO-DIMM DDR3 1333 MHz (CT51264BF1339J); PC3-10600; штатные тайминги: CL9; рабочее напряжение: 1,35 В

Модуль памяти Hynix 4GB, SO-DIMM DDR3, 1333MHz, PC3-10666, штатные тайминги: CL9, рабочее напряжение: 1,5 B (HMT351S6BFR8C-H9)