Оперативная память

1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1333 МГц, CAS Latency (CL): 9 (GR1333D364L9/8G)

Модуль памяти GOODRAM DDR3 SoDIMM, 8Gb, 1333MHz, PC3-10600, CL9, 1 планка (GR1333S364L9/8G)

Модуль памяти Exceleram SoDIMM DDR3, 8GB, 1333MHz, PC3-10666, CL9, 1.35V, 1 планка (E30214S)

Модуль памяти Exceleram DDR3, 8GB, 1333MHz, PC3-10666, CL9, 1.35V, 1 планка (E30226A)

Модуль памяти Hynix DDR3 2GB, 1333MHz, 1.5В, CL10, PC10600 (HMT325U6CFR8C-H9N0)

Модуль памяти Team Vulcan Gray DDR4 16Gb (2x8Gb) 2666MHz (TLGD416G2666HC15BDC01) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 16 ГБ; количество модулей: 2х8 Гб; частота (пропускная способность): 2666 МГц (21328 МБ/с); наличие радиатора; тайминги: CL15; питание: 1.2 В; XMP (Xtreme Memory Profiles).

Модуль памяти G.Skill DDR4 8Gb 3000MHz (F4-3000C16S-8GISB) - DDR4; 8 Гб; 1х8 Гб; 3000 МГц (24000 Мб/с); наличие радиатора; CL16; 1.35 В; XMP.

Модуль памяти Exceleram Black Sark DDR3, 8GB, 1333MHz, PC3-10666, CL9, 1.5V, 1 планка (EG3001B)

Оперативная память; PC3-10600; штатные тайминги: 9-9-9-24; рабочее напряжение: 1,5 В (TED34G1333C901)

1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1333 МГц, CAS Latency (CL): 9

Модуль памяти eXceleram DDR3 SoDIMM 8GB 1333MHz, PC3-10600, CL9, 1.5V, 1 планка (E30804S)

Модуль памяти SODIMM для ноутбука; DDR3; 4 GB; 1333 MHz; 10600 MB/sec; 1.5V БЛИСТЕР* (GR1333S364L9S/4G)

Модуль памяти GOODRAM DDR3 4GB 1333MHz, PC3-10600Mb/sec, штатные тайминги: 9-9-9-24, рабочее напряжение: 1,5 В (GR1333D364L9S/4G)

Модуль памяти Team Vulcan Gray DDR4 16Gb (2x8Gb) 3000MHz (TLGD416G3000HC16CDC01) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 16 ГБ; количество модулей: 2х8 Гб; частота (пропускная способность): 3000 МГц (24000 МБ/с); наличие радиатора; тайминги: CL16; питание: 1.2 В; XMP (Xtreme Memory Profiles).

Модуль памяти Team Group Elite DDR3 2GB 1333MHz (TED32G1333C901) - 1 модуль памяти DDR3; объем модуля 2 Гб; форм-фактор DIMM, 240-контактный; частота 1333 МГц; CAS Latency (CL): 9.

Модуль памяти GoodRam Iridium X Black DDR4 16Gb (2x8Gb) 2666MHz (IR-X2666D464L16S/16GDC) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 16 ГБ; количество модулей в комплекте: 2 х 8 ГБ; тактовая частота: 2666 МГц; CAS Latency (CL): CL16; схема таймингов памяти: 16-18-18; рабочее напряжение: 1.2 В; особенности: с охлаждением (радиатор); цвет радиатора: чёрный. ... развернутьсвернуть

Модуль памяти G.Skill Ripjaws V Classic Black DDR4 16Gb 3200MHz (F4-3200C16S-16GVK) - DDR4; DIMM 288-контактный; 3000 МГц; 24000 Мб/с; 1 модуль 16 Гб; CAS Latency (CL): 15; RAS to CAS Delay (tRCD): 15; Row Precharge Delay (tRP): 15; Activate to Precharge Delay (tRAS): 35; 1.35 В; радиатор.