Оперативная память

Модуль памяти IBM DDR4 8GB, 2133MHz, PC4-17000, 1Rx4, 1.2V, CL15 2133MHz LP RDIMM (00FM011)

Модуль памяти Samsung DDR4 4Gb 2133MHz (M378A5143EB1-CPB) - DDR; 4 Гб; 1х4 Гб; 2133 МГц (17060 Мб/с); CL15; 1.2 В.

Модуль памяти Hynix DDR4 8GB 2133MHz (HMA41GU6AFR8N-TF) - DDR4; 8 Гб; количество модулей в комплекте: 1; 2133 МГц.

Модуль памяти Samsung DDR4 SoDIMM 16Gb 2133MHz (M471A2K43BB1-CPB) - DDR4; 16 Гб; 1x16 Гб; 2133 МГц (17060 Мб/с); CL15; 1.2 В.

Модуль памяти Samsung DDR4 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 2133MHz (M471A5143EB0-CPB) - DDR4; 4 Гб; 1x4 Гб; 2133 МГц (17060 Мб/с); CL15; 1.2 В.

Модуль памяти Samsung DDR4 SoDIMM 8Gb (1x8Gb) 2133MHz (M471A1G43DB0-CPB) - DDR4; 8 Гб; 1x8 Гб; 2133 МГц (17060 Мб/с); CL15; 1.2V.

Модуль памяти Samsung DDR4 4Gb (1x4Gb) 2133MHz (M378A5143DB0-CPB) - форм-фактор и тип памяти: SoDIMM DDR4; объём памяти: 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL17; рабочее напряжение: 1.2 В; количество ранков: 1.

Модуль памяти Samsung DDR4 SoDIMM 8Gb (1x8Gb) 2133MHz (M471A1G43EB1-CPB) - Форм-фактор и тип памяти: SoDIMM DDR4; объём памяти: 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2133 МГц; CAS Latency (CL): CL15; схема таймингов памяти: 15-15-15; рабочее напряжение: 1.2 В; количество ранков: 2.

Модуль памяти Hynix DDR3 2GB, 1333MHz, 1.5В, CL10, PC10600 (HMT325U6CFR8C-H9N0)

Модуль памяти Samsung DDR4 ECC 16Gb 2133MHz (M393A2G40DB0-CPB00) - DIMM DDR4 ECC; 16 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; 2133 МГц; CL15; 1.2 В; количество микросхем на планке: 36; тип микросхем: 2Gx72; двусторонняя; количество ранков: 2; буферизованная (Registered).

Модуль памяти G.SKILL Original Value Series - NT DDR3, 4GB, 1333MHz, PC3-10600, CL9, 1 планка (F3-10600CL9S-4GBNT)

1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1333 МГц, CAS Latency (CL): 9 (GR1333D364L9/8G)

Модуль памяти GOODRAM DDR3 SoDIMM, 8Gb, 1333MHz, PC3-10600, CL9, 1 планка (GR1333S364L9/8G)

Модуль памяти Exceleram SoDIMM DDR3, 8GB, 1333MHz, PC3-10666, CL9, 1.35V, 1 планка (E30214S)

Модуль памяти Exceleram SoDIMM, DDR3, 4GB, 1333MHz, PC3-10666, CL9, 1.35V, 1 планка (E30213S)

Модуль памяти eXceleram DDR3 4Gb (1x4Gb) 1333MHz (E30225A) - тип памяти: DDR3; объем памяти: 4Gb; количество модулей в наборе: 1; частота памяти: 1333MHz; тайминги: CL9; напряжение: 1.35V.

1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1066 МГц, CAS Latency (CL): 7

Оперативная память; PC3-10600; штатные тайминги: 9-9-9-24; рабочее напряжение: 1,5 В (TED34G1333C901)

Модуль памяти SODIMM для ноутбука; DDR3; 4 GB; 1333 MHz; 10600 MB/sec; 1.5V БЛИСТЕР* (GR1333S364L9S/4G)

Модуль памяти GOODRAM DDR3 4GB 1333MHz, PC3-10600Mb/sec, штатные тайминги: 9-9-9-24, рабочее напряжение: 1,5 В (GR1333D364L9S/4G)

Samsung DDR3 SODIMM 4Gb 1333MHz (M471B5173BH0-CH9)

DIMM 4096Mb DDR3 PC3-10600 Samsung Original (M378B5173BH0-CH9)

Оперативная память; PC3-10666; штатные тайминги: CL9; рабочее напряжение: 1,5 В (CT51264BA1339)

Модуль памяти DDR3 2GB 1333MHz (PC3-10600) Micron (MT16JTF25664AZ-1G4G1)

Модуль памяти Hynix DDR3 4GB, 1333MHz, PC3-10600, CL9, 1 планка (HMT351U6BFR8C-H9)

Модуль памяти DDR3 4GB 1333 MHz SAMSUNG (Original), PC3-10666, CL9, 1 планка (M378B5273DH0-CH9)

Модуль памяти DDR2 2GB 667 MHz Hynix (HYMP125U64CP8-Y5) 667 MHz, PC2-5300, CL5, 1 планка

Оперативная память Crucial 4 GB SO-DIMM DDR3 1333 MHz (CT51264BF1339J); PC3-10600; штатные тайминги: CL9; рабочее напряжение: 1,35 В

Модуль памяти Hynix 4GB, SO-DIMM DDR3, 1333MHz, PC3-10666, штатные тайминги: CL9, рабочее напряжение: 1,5 B (HMT351S6BFR8C-H9)