Оперативная память

Модуль памяти G.Skill SoDIMM DDR4 8Gb (1x8Gb) 2400MHz (F4-2400C16S-8GRS) - тип памяти: DDR4; форм-фактор: SODIMM 260-контактный; тактовая частота: 2400 МГц; пропускная способность: 19200 Мб/с; объем: 1 модуль 8 Гб; поддержка XMP; CAS Latency (CL): 16; RAS to CAS Delay (tRCD): 16; Row Precharge Delay (tRP): 16; Activate to Precharge Delay (tRAS): 39; напряжение питания: 1.2 В. ... развернутьсвернуть

Модуль памяти Geil Pristine DDR4 8Gb (2x4Gb) 2400MHz (GP48GB2400C16DC) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 8 ГБ; количество модулей: 2х4 Гб; частота (пропускная способность): 2400 МГц (19200 МБ/с); тайминги: CL16; питание: 1.2 В; XMP (Xtreme Memory Profiles): есть.

Модуль памяти Hynix DDR4 8Gb (1x8Gb) 2400MHz (HMA81GU6AFR8N-UH) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 8 ГБ; количество модулей: 1х8 Гб; частота (пропускная способность): 2400 МГц (19200 МБ/с); тайминги: CL17; питание: 1.2 В.

Модуль памяти GoodRam DDR4 SoDIMM 8Gb (1x8Gb) 2400MHz (GR2400S464L17S/8G) - тип памяти: DDR4; форм-фактор: SoDIMM, объем памяти: 8 ГБ; количество модулей: 1x8 Гб; частота (пропускная способность): 2400 МГц (19200 МБ/с); тайминги: CL17; питание: 1.2 В.

Модуль памяти G.Skill Ripjaws V DDR4 8Gb (2x4Gb) 2400MHz (F4-2400C15D-8GVR) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 2 х 4 ГБ; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL15; схема таймингов памяти: 15-15-15-35; рабочее напряжение: 1.2 В; поддержка XMP; особенности: с охлаждением (радиатор); цвет радиатора: красный. ... развернутьсвернуть

Модуль памяти eXceleram DDR4 SoDIMM 8Gb (1x8Gb) 2400MHz (E408247S) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 8Gb; количество модулей в наборе: 1; стандарты памяти: PC4-19200; частота памяти: 2400MHz; тайминги: CL17; напряжение: 1.2V; форм-фактор памяти: 260-pin SoDIMM; проверка и коррекция ошибок (ECC): non-ECC; буферизация: unbuffered.

Модуль памяти Crucial DDR4 SoDIMM 8Gb (1x8Gb) 2400MHz (CT8G4SFD824A) - тип памяти: DDR4; форм-фактор: SoDIMM 260-контактный; тактовая частота: 2400 МГц; пропускная способность: 19200 Мб/с; объем: 1 модуль 8 Гб; CAS Latency (CL): 17; напряжение питания: 1.2 В; количество ранков: 2.