Оперативная память
Код товара: 201-590
Есть в наличии
Модуль памяти Hynix DDR2 2GB, 800MHz, PC2-6400, штатные тайминги: CL6, рабочее напряжение: 1,8 В (HYMP125U64CP8-S6)
Код товара: 232-776
Есть в наличии
1 модуль памяти DDR2,
объем модуля 2 Гб,
форм-фактор SODIMM, 200-контактный,
частота 800 МГц (HYMP125S64CP8-S6)
Код товара: 400-357
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR2 2GB 800MHz (M378B5663QZ3-CF7) - объем памяти: 2 GB; тип памяти: DDR 2; частота шины: 800 MHz; пропускная способность шины: PC2-6400.
Код товара: 456-695
Есть в наличии
Модуль памяти eXceleram DDR2 2Gb (1x2Gb) 800MHz (E20103A) - тип памяти: DDR2; объем памяти: 2Gb; количество модулей в наборе: 1; частота памяти: 800MHz; тайминги: CL6; напряжение: 1.8V; форм-фактор памяти: 240-pin DIMM; проверка и коррекция ошибок (ECC): non-ECC; буферизация: unbuffered.
Код товара: 256-615
Есть в наличии
Модуль памяти Hynix DDR2 2Gb (1x2Gb) 800MHz (HMP125U6EFR8C-S6) - объем памяти: 2 ГБ; тип памяти: DDR2 SDRAM; напряжение питания: 1.8 В; частота памяти: 800 МГц; эффективная пропускная способность: 6400 МБ/с; схема таймингов памяти: CL6; количество планок: 1; назначение: для настольных ПК; проверка и коррекция ошибок (ECC): non-ECC.
Код товара: 457-650
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR2 2Gb (1x2Gb) 800MHz (M378T5663EH3-CF7/M378T5663FB3-CF7) - тип памяти: DDR2; объем памяти: 2Gb; количество модулей в наборе: 1; частота памяти: 800MHz; тайминги: CL6.
Код товара: 128-547
Есть в наличии
Модуль памяти SAMSUNG DDR2 2048Mb 800 MHz (M378T5663FB3-CF7)
800 MHz, PC2-6400, CL6, 1 планка
Доставка товаров в следующие города: Киев, Харьков, Одесса, Львов, Днепропетровск, Николаев, Полтава, Ровно, Сумы, Тернополь, Ивано-Франковск, Кировоград, Херсон, Хмельницкий, Черкассы, Чернигов, Черновцы, Винница, Луцк, Житомир, Запорожье, Ужгород.