Оперативная память

Модуль памяти Golden Memory DDR3 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 1600MHz (GM16S11/4) - тип памяти: DDR3; объем памяти: 4 ГБ; количество модулей: 1x4 Гб; частота (пропускная способность): 1600 МГц (12800 МБ/с); питание: 1.5 В.

Модуль памяти Apacer DDR3 4Gb (1x4Gb) 1600MHz (DG.04G2K.KAM) - тип памяти: DDR3; объем памяти: 4 ГБ; количество модулей: 1х4 Гб; частота (пропускная способность): 1600 МГц (12800 МБ/с); питание: 1.35 В.

Модуль памяти V-Color DDR3 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 1600MHz (TF34G16S811L) - форм-фактор и тип памяти: SoDIMM DDR3; объем памяти: 4 ГБ; количество модулей: 1x4 Гб; частота (пропускная способность): 1600 МГц (12800 МБ/с); тайминги: CL11; питание: 1.35 В.

Модуль памяти Golden Memory DDR3 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 1600MHz (GM16LS11/4) - тип памяти: DDR3; объем памяти: 4Gb; количество модулей в наборе: 1; стандарты памяти: PC3-12800; частота памяти: 1600 МГц; напряжение: 1.35V; проверка и коррекция ошибок (ECC): non-ECC; буферизация: unbuffered.

1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1333 МГц, CAS Latency (CL): 9 (GR1333D364L9/8G)

Модуль памяти G.Skill SoDIMM DDR3 8Gb (1x8Gb) 1600MHz (F3-1600C11S-8GSQ) - тип: для ноутбуков; тип памяти: DDR3; объем памяти: 8 ГБ; количество модулей: 1х8 ГБ; частота (пропускная способность): 1600 МГц (12800 МБ/с); тайминги: CL11; питание: 1.5 В.

1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц

Модуль памяти GOODRAM DDR3 SoDIMM, 8Gb, 1333MHz, PC3-10600, CL9, 1 планка (GR1333S364L9/8G)

Модуль памяти Exceleram DDR3, 8GB, 1600MHz, PC3-12800, CL11, 1.35V, 1 планка (E30228A)

Модуль памяти Exceleram SoDIMM, DDR3, 8GB, 1600MHz, PC3-12800, CL11, 1.35V, 1 планка (E30212S)

Модуль памяти GOODRAM DDR3 8GB, 1600MHz, PC3-12800, CL11, 1 планка (GR1600D364L11/8G)

Модуль памяти Exceleram SoDIMM DDR3, 8GB, 1333MHz, PC3-10666, CL9, 1.35V, 1 планка (E30214S)

Модуль памяти G.Skill DDR3 8GB, 1600MHz, PC3-12800, CL11, NT Series, 1 планка (F3-1600C11S-8GNT)

Модуль памяти Crucial DDR3, 8GB, 1866MHz, CL13, 1,5V/1.35V, Retail (CT102464BD186D)

Модуль памяти Micron Crucial DDR3 8Gb 1600MHz (CT102464BD160B) - DDR3; 8 Гб; 1х8 Гб; 1600 МГц (12800 Мб/с); CL11; 1.35 В.

Модуль памяти Kingston DDR3 SoDIMM 8Gb 1600MHz (KCP316SD8/8) - DDR3; 8 Гб; 1x8 Гб; 1600 МГц (12800 Мб/с); CL11; 1.5 В; совместимость с Apple.

Модуль памяти Transcend DDR3 8GB, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: 7-7-7 / 9-9-9, рабочее напряжение: 1,5 В (TS1GLK72V6H)

1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1866 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 10

1 модуль памяти DDR3L, объем модуля 8 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11 (CT102464BF160B)

Модуль памяти Patriot Signature SoDIMM DDR3 8Gb 1600MHz (PSD38G16002S) - SoDIMM DDR3; 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; 1600 МГц; CL11; 1.5 В; количество микросхем на планке: 16; упаковка микросхем: двусторонняя; количество ранков: 2.

1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц

Модуль памяти Samsung So-Dimm DDR3 8GB 1600MHz Original (M471B1G73EB0-YK0) - 1 модуль памяти DDR3; объем памяти: 8 GB; частота шины: 1600 MHz; латентность (тайминги): CL11.

Оперативная память Crucial 8GB, DDR3, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: CL11, рабочее напряжение: 1,5 В (CT102464BA160B)

Модуль памяти GOODRAM DDR3 SoDIMM 8Gb, 1600MHz, PC3-12800, CL11, 1 планка (GR1600S364L11/8G)

Модуль памяти DDR3 8GB 1600 MHz Hynix (HMT41GU6MFR8C-PB N0 AA) 1600 MHz, PC3-12800, 1 планка

1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11 (M378B1G73QH0-CK0)

1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц

Модуль памяти DDR3 8 ГБ GoodRam 12800 MБ/с; 1600 МГц; RET (GR1600D3V64L11/8G)

Модуль памяти Samsung DDR3 8Gb (1x8Gb) 1600MHz (M378B1G73DB0-CK0) - тип памяти: DDR3; объем памяти: 8 ГБ; количество модулей: 1х8 Гб; частота (пропускная способность): 1600 МГц (12800 МБ/с); тайминги: CL11; питание: 1.5 В.

Модуль памяти GOODRAM DDR3 SoDIMM 8Gb, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: CL11, рабочее напряжение: 1,35 В (GR1600S3V64L11/8G)