Оперативная память

Модуль памяти IBM DDR4 8GB, 2133MHz, PC4-17000, 1Rx4, 1.2V, CL15 2133MHz LP RDIMM (00FM011)

Модуль памяти Samsung DDR4 ECC 16Gb 2133MHz (M393A2G40DB0-CPB00) - DIMM DDR4 ECC; 16 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; 2133 МГц; CL15; 1.2 В; количество микросхем на планке: 36; тип микросхем: 2Gx72; двусторонняя; количество ранков: 2; буферизованная (Registered).

Модуль памяти HP DDR4 ECC 8Gb 2400MHz (805347-B21) - DDR4; DIMM 288-контактный; 2400 МГц; пропускная способность: 19200 Мб/с; 1 модуль 8 Гб; поддержка ECC; буферизованная (Registered); CAS Latency (CL): 17; RAS to CAS Delay (tRCD): 17; Row Precharge Delay (tRP): 17; 1.2 В; количество ранков: 1.

Модуль памяти Samsung DDR4 ECC 16Gb (1x16Gb) 2400MHz (M393A2K40BB1-CRC0Q) - тип памяти: DDR4; форм-фактор: DIMM; количество контактов: 288; тактовая частота: 2400 МГц; пропускная способность: 19200 Мб/с; объем: 1 модуль 16Gb; поддержка ECC; буферизованная (Registered).

Модуль памяти HP DDR4 ECC 16Gb (1x16Gb) 2400MHz (862976-B21) - тип памяти: DDR4; форм-фактор: DIMM 288-контактный; тактовая частота: 2400 МГц; пропускная способность: 19200 Мб/с; объем: 1 модуль 16 Гб; поддержка ECC; CAS Latency (CL): 17; RAS to CAS Delay (tRCD): 17; Row Precharge Delay (tRP): 17; напряжение питания: 1.2 В; количество ранков: 2.