Оперативная память

Модуль памяти GOODRAM DDR3 SoDIMM, 8Gb, 1333MHz, PC3-10600, CL9, 1 планка (GR1333S364L9/8G)

Модуль памяти G.Skill SoDIMM DDR3 8Gb (1x8Gb) 1600MHz (F3-1600C11S-8GSQ) - тип: для ноутбуков; тип памяти: DDR3; объем памяти: 8 ГБ; количество модулей: 1х8 ГБ; частота (пропускная способность): 1600 МГц (12800 МБ/с); тайминги: CL11; питание: 1.5 В.

Модуль памяти G.Skill DDR3 SO-DIMM, 8GB, 1333MHz, PC3-10666, CL9, SQ Series, 1 планка (F3-10666CL9S-8GBSQ)

Модуль памяти Kingston DDR3 SO-DIMM 8GB 1333MHz, PC3-10600, рабочее напряжение: 1,5 В, для Apple iMac, MacBook Pro (KTA-MB1333/8G)

Модуль памяти Exceleram SoDIMM DDR3, 8GB, 1333MHz, PC3-10666, CL9, 1.35V, 1 планка (E30214S)

1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц

Модуль памяти Team Elite DDR4 SoDIMM 8Gb 2400MHz (TED48G2400C16-S01) - DDR4; 8 Гб; 1x8 Гб; 2400 МГц (19200 Мб/с); CL16; 1.2 В.

Модуль памяти Hynix So-Dimm DDR3 8GB 1600MHz (HMT41GS6DFR8A-PBN0) - 1 модуль памяти DDR3; объем памяти: 8 GB; частота шины: 1600 MHz; латентность (тайминги): CL11.

Модуль памяти Samsung So-Dimm DDR3 8GB 1600MHz Original (M471B1G73EB0-YK0) - 1 модуль памяти DDR3; объем памяти: 8 GB; частота шины: 1600 MHz; латентность (тайминги): CL11.

Модуль памяти GOODRAM DDR3 SoDIMM 8Gb, 1600MHz, PC3-12800, CL11, 1 планка (GR1600S364L11/8G)

Модуль памяти SoDIMM DDR3 8GB 1600 MHz Team (TED38G1600C11-S01) PC3-12800, CL11, 1 планка

Модуль памяти G.Skill DDR4 SoDIMM 8Gb 2133MHz (F4-2133C15S-8GRS) - DDR4; 8 Гб; 1x8 Гб; 2133 МГц (17060 Мб/с); CL15; 1.2 В.

Модуль памяти Kingston DDR3 SoDIMM 8Gb 1600MHz (KCP316SD8/8) - DDR3; 8 Гб; 1x8 Гб; 1600 МГц (12800 Мб/с); CL11; 1.5 В; совместимость с Apple.

Модуль памяти Samsung DDR4 SoDIMM 8Gb (1x8Gb) 2133MHz (M471A1G43DB0-CPB) - DDR4; 8 Гб; 1x8 Гб; 2133 МГц (17060 Мб/с); CL15; 1.2V.

Модуль памяти eXceleram DDR3 SoDIMM, 8Gb, 1600MHz, PC3-12800, CL11, 1.5V, 1 планка (E30148A)

Модуль памяти GOODRAM DDR3 SoDIMM 8Gb, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: CL11, рабочее напряжение: 1,35 В (GR1600S3V64L11/8G)

Модуль памяти Hynix DDR3 SoDIMM 2Gb (1x2Gb) 1600MHz (HMT325S6CFR8C-PB) - объем памяти: 2 ГБ; тип памяти: SODIMM DDR3; напряжение питания: 1.5 В; частота памяти: 1333 МГц; эффективная пропускная способность: 10600 Мбит/с; схема таймингов памяти: CL9; количество планок: 1; назначение: для ноутбуков; проверка и коррекция ошибок (ECC): non-ECC.

Модуль памяти Micron Crucial DDR4 SoDIMM 16Gb (1x16Gb) 2133MHz (CT16G4SFD8213) - форм-фактор и тип памяти: SO-DIMM DDR4; объём памяти: 16 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2133 МГц; CAS Latency (CL): CL15; рабочее напряжение: 1.2 В; количество ранков: 2.

Модуль памяти Kingston DDR3 SoDIMM, 8GB, 1600MHz, PC3-12800, CL11, 1.35V, 1 планка (KVR16LS11/8G)

Модуль памяти Team DDR3 SoDIMM, 8GB, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: 11-11-11-28, рабочее напряжение: 1,35 В (TED3L8G1600C11-S01)

Модуль памяти Hynix DDR3 So-DIMM, 8GB, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: CL11, рабочее напряжение: 1.5В (HMT41GS6MFR8C-PB)

Модуль памяти G.Skill Original DDR4 SoDIMM 16Gb (1x16Gb) 2400MHz (F4-2400C16S-16GRS) - форм-фактор и тип памяти: SoDIMM DDR4; объём памяти: 16 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL16; схема таймингов памяти: 16-16-16-39; рабочее напряжение: 1.2 В; буферизация: Unbuffered.

Модуль памяти Samsung DDR4 SoDIMM 16Gb (1x16Gb) 2400MHz (M471A2K43BB1-CRC) - форм-фактор и тип памяти: SoDIMM DDR4; объём памяти: 16 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL17; схема таймингов памяти: 17-17-17; рабочее напряжение: 1.2 В; количество ранков: 2.

Модуль памяти Exceleram DDR4 SoDIMM 16Gb (1x16Gb) 2400MHz (E416247S) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 16Gb; количество модулей в наборе: 1; стандарты памяти: PC4-19200; частота памяти: 2400MHz; тайминги: CL17; напряжение: 1.2V; форм-фактор памяти: 260-pin SoDIMM; проверка и коррекция ошибок (ECC): ECC; буферизация: unbuffered.

Модуль памяти IBM DDR4 8GB, 2133MHz, PC4-17000, 1Rx4, 1.2V, CL15 2133MHz LP RDIMM (00FM011)

Модуль памяти HP DDR4 ECC 8Gb 2400MHz (805347-B21) - DDR4; DIMM 288-контактный; 2400 МГц; пропускная способность: 19200 Мб/с; 1 модуль 8 Гб; поддержка ECC; буферизованная (Registered); CAS Latency (CL): 17; RAS to CAS Delay (tRCD): 17; Row Precharge Delay (tRP): 17; 1.2 В; количество ранков: 1.

Модуль памяти Lenovo ThinkSystem DDR4 ECC 16Gb (1x16Gb) 2666MHz (7X77A01303) - тип: DDR4; объем: 16 ГБ; количество планок в комплекте: 1 шт.; частота: 2666 МГц; пропускная способность: 21300 МБ/с; число рангов: двухранговая (Dual Rank); ECC; буферизация: Registered.

Модуль памяти Mushkin SO-DIMM DDR3-1333, 1x8GB, PC3-10600, 9-9-9-24, 1.5V (M992020)

Модуль памяти SoDIMM DDR3 8GB 1600 MHz SAMSUNG (M471B1G73BH0-CK0) 1600 MHz, PC3-12800, 1 планка

Модуль памяти SO-DIMM 8Gb DDR3 1600MHz Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 1.35В