Оперативная память

Модуль памяти Micron Crucial DDR3 4Gb 1600MHz (CT51264BD160B) - DDR3; 4 Гб; 1х4 Гб; 1600 МГц (12800 Мб/с).

Модуль памяти GOODRAM DDR3, 4GB, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: 11-11-11-28, рабочее напряжение: 1,5 В (GR1600D364L11S/4G)

1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, поддержка ECC (M378B5173DB0-CK0)

Модуль памяти Samsung Original DDR3 4GB, 1600GHz, PC3-12800, штатные тайминги: CL11, рабочее напряжение: 1.5В (M378B5173EB0-CK0)

Модуль памяти Samsung DDR3 SoDIMM 4GB, 1600MHz, 1.35V (M471B5173BH0-YK0)

Модуль памяти Tem DDR3, 4GB, 1600MHz, PC3-12800, CL11, 1.5 В (TED3L4G1600C1101)

Модуль памяти Hynix original DDR3, 4GB, 1600MHz, PC3-12800 (HMT451U6BFR8C-PB)

Модуль памяти DDR3 4GB 1600 MHz G.Skill (F3-1600C11S-4GNT) PC3-12800, CL11, NT Series, 1 планка

Модуль памяти Exceleram DDR3 4GB, 1600MHz, PC3-12800, CL11, 1.35V, 1 планка (E30227A)

1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц (M378B5173CB0-CK0)

Модуль памяти Exceleram DDR3, 4GB, 1600MHz, PC3-12800, CL11, 1.5V, 1 планка (E30149A)

Модуль памяти Hynix original DDR3, 4GB, 1600MHz, CL11 (HMT451U6AFR8C-PB)

Модуль памяти Hynix DDR2 2GB, 800MHz, PC2-6400, штатные тайминги: CL6, рабочее напряжение: 1,8 В (HYMP125U64CP8-S6)

Оперативная память Crucial 4 GB DDR3 1600 MHz (CT51264BA160BJ); PC3-12800; штатные тайминги: CL11; рабочее напряжение: 1,5 В

Модуль памяти Samsung DDR3 4GB, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: CL11, рабочее напряжение: 1.5В (M378B5173BH0-CK0)

1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11

1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц (M378B5173QH0-CK0)

1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11

Модуль памяти eXceleram white Sark DDR3 4GB 1600MHz (E30300A) - объем памяти: 4 GB; тип памяти: DDR3; частота шины: 1600 MHz; латентность (тайминги): CL11 (11-11-11-27); номинальное напряжение: 1.5V; кол-во модулей в комплекте: (Kit: 1x4GB); радиатор; Unbuffered.

Модуль памяти Samsung original DDR3, 2GB, 1600MHz, PC3-12800 (M378B5773QB0-CK0)

Модуль памяти Samsung DDR2 2Gb (1x2Gb) 800MHz (M378T5663EH3-CF7) - тип памяти: DDR2; форм-фактор: DIMM 240-контактный; тактовая частота: 800 МГц; пропускная способность: 6400 Мб/с; объем: 1 модуль 2 Гб; напряжение питания: 1.8 В.

Модуль памяти для компьютера DDR3 4GB 1600 MHz Elite Plus Team (TPD34G1600HC1101)

Модуль памяти Silicon Power DDR3 4GB 1600MHz (SP004GLLTU160N02) - 1 модуль памяти DDR3L; объем модуля 4 Гб; форм-фактор DIMM, 240-контактный; частота 1600 МГц; CAS Latency (CL): 11.

Модуль памяти Samsung DDR3 4Gb 1600MHz (M378B5173EB0-YK0) - DIMM DDR3; 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; 1600 МГц; CL11; схема таймингов памяти: 11-11-11; 1.35 В; количество микросхем на планке: 8; тип микросхем: 512Mx4; упаковка микросхем: односторонняя; количество ранков: 1.

Модуль памяти Geil DDR3 2GB 1600MHz PC3-12800, штатные тайминги: CL11, рабочее напряжение: 1,5 В (GN32GB1600C11S)

Модуль памяти SAMSUNG DDR2 2GB 800MHz (M378T5663QZ3-CF7) - 1 модуль памяти DDR2; объем модуля 2 Гб; форм-фактор DIMM, 240-контактный; частота 800 МГц.

Модуль памяти Golden Memory DDR3 2Gb (1x2Gb) 1600Mhz (GM16N11/2) - тип: DDR3, DIMM, 240-контактная; объем: 2 Гб; тактовая частота: 1600 МГц; пропускная способность: 12800 Мб/с; напряжение питания: 1.5 В.

Модуль памяти SAMSUNG DDR3 4GB 1600 MHz (M378B5273DH0-CK0 / M378B5273CH0-CK000), PC3-12800, CL9, 1 планка

Модуль памяти DDR3 4096Mb Exceleram (E30136A) 1600MHz, PC3-12800, CL9, (9-9-9-24), 1.65V

Модуль памяти Samsung DDR3 1600MHz 4Gb PC3-12800 (M378B5273EB0-CK0)