Оперативная память

1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1333 МГц, CAS Latency (CL): 9 (GR1333D364L9/8G)

Оперативная память; PC3-10600; штатные тайминги: CL9; рабочее напряжение: 1,35 В (CT102464BF1339)

Модуль памяти Team Elite DDR3, 8Gb, 1333MHz, CAS Latency (CL): CL9, PC3-10660 (TED38G1333C901)

Модуль памяти Hynix DDR3 2GB, 1333MHz, 1.5В, CL10, PC10600 (HMT325U6CFR8C-H9N0)

Модуль памяти eXceleram DDR3 4Gb (1x4Gb) 1333MHz (E30225A) - тип памяти: DDR3; объем памяти: 4Gb; количество модулей в наборе: 1; частота памяти: 1333MHz; тайминги: CL9; напряжение: 1.35V.

Модуль памяти Exceleram DDR3, 8GB, 1333MHz, PC3-10666, CL9, 1.35V, 1 планка (E30226A)

Модуль памяти Exceleram Black Sark DDR3, 8GB, 1333MHz, PC3-10666, CL9, 1.5V, 1 планка (EG3001B)

1 модуль памяти DDR3, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1333 МГц (HMT325S6CFR8C-H9)

Оперативная память; PC3-10600; штатные тайминги: 9-9-9-24; рабочее напряжение: 1,5 В (TED34G1333C901)

Модуль памяти Micron Crucial DDR2 2Gb (1х2Gb) 667MHz (CT25664AA667) - DDR2; 2 Гб; 1х2 Гб; 667 МГц (5330 Мб/с); CL5; 1.8 В.

Модуль памяти eXceleram DDR4 16Gb (2x8Gb) 3200MHz (E41632AD) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 16 ГБ; количество модулей: 2х8 Гб; частота (пропускная способность): 3200 МГц (25600 МБ/с); тайминги: CL16; питание: 1.35 В.

Модуль памяти G.Skill Trident Z DDR4 16Gb (2x8Gb) 3200MHz (F4-3200C16D-16GTZKW) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 16 ГБ; количество модулей: 2х8 Гб; частота (пропускная способность): 3200 МГц (25600 МБ/с); наличие радиатора; тайминги: 16-18-18-38; питание: 1.35 В; XMP (Xtreme Memory Profiles).

1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1333 МГц, CAS Latency (CL): 9

Модуль памяти GOODRAM DDR3 4GB 1333MHz, PC3-10600Mb/sec, штатные тайминги: 9-9-9-24, рабочее напряжение: 1,5 В (GR1333D364L9S/4G)

Модуль памяти G.Skill Trident Z DDR4 16Gb (2x8Gb) 3200MHz (F4-3200C16D-16GTZB) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 16 ГБ; количество модулей: 2х8 Гб; частота (пропускная способность): 3200 МГц (25600 МБ/с); наличие радиатора; тайминги: CL16; питание: 1.35 В; XMP (Xtreme Memory Profiles); дополнительно: unbuffered, non-ECC.

Модуль памяти G.Skill DDR4 8Gb 3000MHz (F4-3000C16S-8GISB) - DDR4; 8 Гб; 1х8 Гб; 3000 МГц (24000 Мб/с); наличие радиатора; CL16; 1.35 В; XMP.

Модуль памяти Exceleram DDR3 4GB 1333MHz, PC3-10600, штатные тайминги: 9-9-9-24, рабочее напряжение: 1.5V (E30140A)

Модуль памяти eXceleram DDR3 4GB 1333MHz (E30209A) - DDR3; 4 GB; количество модулей в наборе: 1; 1333 MHz; CL9; 1.5V.

Модуль пам'яті для комп'ютера DDR4 16GB (2x8GB) 3200 MHz Ripjaws V G.Skill (F4-3200C16D-16GVKB)

Модуль памяти CORSAIR DDR4 16GB(2x8GB) 3200Mhz Vengeance LPX Black (CMK16GX4M2B3200C16) - 2 модуля памяти DDR4; объем модуля 8 Гб; форм-фактор DIMM, 288-контактный; частота 3200 МГц; радиатор; CAS Latency (CL): 16.

Модуль памяти eXceleram DDR4 8GB 3200MHz (E40832A) - 1 модуль памяти DDR4; объем памяти: 8 GB; частота шины: 3200 MHz; латентность (тайминги): CL16.

Модуль памяти G.Skill Ripjaws V Gunmetal Gray DDR4 16Gb 3200MHz (F4-3200C16D-16GVGB) - DIMM DDR4; 16 ГБ; 2 х 8 ГБ; 3200 МГц; CL16; схема таймингов памяти: 16-18-18-38; 1.35 В; поддержка XMP; с охлаждением (радиатор); цвет радиатора: Gray.

Модуль пам'яті для комп'ютера DDR4 32GB (2x16GB) 3200 MHz Trident Z G.Skill (F4-3200C16D-32GTZ)

Модуль пам'яті для комп'ютера DDR4 32GB (2x16GB) 3200 MHz Trident Z G.Skill (F4-3200C16D-32GTZKW)

Модуль пам'яті для комп'ютера DDR4 32GB (2x16GB) 3200 MHz Ripjaws V G.Skill (F4-3200C16D-32GVK)

Модуль памяти G.Skill Trident Z RGB DDR4 16Gb (2x8Gb) 3200MHz (F4-3200C16D-16GTZR) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 16 ГБ; количество модулей в комплекте: 2 х 8 ГБ; тактовая частота: 3200 МГц; CAS Latency (CL): CL16; схема таймингов памяти: 16-18-18-38-2N; рабочее напряжение: 1.35 В; поддержка XMP; особенности: подсветка, с охлаждением (радиатор); тип подсветки: регулируемая RGB; цвет радиатора: Black. ... развернутьсвернуть

Модуль памяти G.Skill Trident Z DDR4 16Gb (2x8Gb) 3200MHz (F4-3200C16D-16GTZSW) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 16 ГБ; количество модулей: 2х8 Гб; частота (пропускная способность): 3200 МГц (25600 МБ/с); наличие радиатора; тайминги: 16-18-18-38; питание: 1.35 В; XMP (Xtreme Memory Profiles).

Модуль памяти G.Skill Aegis DDR4 16GB 3000MHz (F4-3000C16D-16GISB) - DDR4; 16 ГБ; 2 x 8 ГБ; 3000 МГц; CL16; схема таймингов памяти: 16-18-18; 1.2 В; с охлаждением (радиатор); цвет радиатора: Black.

Модуль памяти G.Skill Ripjaws V Classic Black DDR4 16Gb 3200MHz (F4-3200C16S-16GVK) - DDR4; DIMM 288-контактный; 3000 МГц; 24000 Мб/с; 1 модуль 16 Гб; CAS Latency (CL): 15; RAS to CAS Delay (tRCD): 15; Row Precharge Delay (tRP): 15; Activate to Precharge Delay (tRAS): 35; 1.35 В; радиатор.

Оперативная память; PC3-10666; штатные тайминги: CL9; рабочее напряжение: 1,5 В (CT51264BA1339)