Оперативная память

Модуль памяти Hynix DDR3 4Gb (1x4Gb) 1600Mhz (HMT351U6CFR8C-PB) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR3; объём памяти: 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 1600 МГц; CAS Latency (CL): CL11; схема таймингов памяти: 11-11-11; рабочее напряжение: 1.5 В.

Модуль памяти GoodRam DDR4 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 2666MHz (GR2666S464L19S/4G) - форм-фактор и тип памяти: SoDIMM DDR4; объём памяти: 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2666 МГц; CAS Latency (CL): CL19; рабочее напряжение: 1.2 В.

Модуль памяти GoodRam DDR4 SoDIMM 8Gb (1x8Gb) 2666MHz (GR2666S464L19S/8G) - форм-фактор и тип памяти: SoDIMM DDR4; объём памяти: 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2666 МГц; CAS Latency (CL): CL19; рабочее напряжение: 1.2 В.

Модуль памяти G.Skill Value DDR4 8Gb (1x8Gb) 2400MHz (F4-2400C17S-8GNT) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL17; схема таймингов памяти: 17-17-17-39; рабочее напряжение: 1.2 В.

Модуль памяти Golden Memory DDR2 SoDIMM 2Gb (1x2Gb) 800MHz (GM800D2S6/2G) - форм-фактор и тип памяти: SoDIMM DDR2; объём памяти: 2 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 800 МГц; CAS Latency (CL): CL6; рабочее напряжение: 1.8 В.

Модуль памяти G.Skill Aegis DDR4 16Gb (1x16Gb) 3000MHz (F4-3000C16S-16GISB) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 16 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 3000 МГц; CAS Latency (CL): CL16; схема таймингов памяти: 16-18-18-38; рабочее напряжение: 1.35 В; поддержка XMP; особенности: с охлаждением (радиатор); цвет радиатора: чёрный. ... развернутьсвернуть

Модуль памяти G.Skill DDR4 8Gb (1x8Gb) 2666MHz (F4-2666C19S-8GNT) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2666 МГц; CAS Latency (CL): CL19; схема таймингов памяти: 19-19-19-43; рабочее напряжение: 1.2 В; поддержка XMP.

Модуль памяти eXceleram DDR4 4Gb (1x4Gb) 2666MHz (E404269A) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 4Gb; количество модулей в наборе: 1; частота памяти: 2666MHz; тайминги: CL19; напряжение: 1.2V; форм-фактор памяти: 288-pin DIMM; проверка и коррекция ошибок (ECC): non-ECC; буферизация: unbuffered.

Модуль памяти eXceleram DDR4 8Gb (1x8Gb) 2666MHz (E408269A) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 8Gb; количество модулей в наборе: 1; частота памяти: 2666MHz; тайминги: CL19; напряжение: 1.2V; форм-фактор памяти: 288-pin DIMM; проверка и коррекция ошибок (ECC): non-ECC; буферизация: unbuffered.

Модуль памяти Kingston ValueRAM DDR4 SoDIMM 8Gb (1x8Gb) 2666MHz (KVR26S19S8/8) - форм-фактор и тип памяти: SoDIMM DDR4; объём памяти: 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2666 МГц; CAS Latency (CL): CL19; рабочее напряжение: 1.2 В; количество ранков: 1.

Модуль памяти G.Skill Aegis DDR4 32Gb (2x16Gb) 3000MHz (F4-3000C16D-32GISB) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 32 ГБ; количество модулей в комплекте: 2 х 16 ГБ; тактовая частота: 3000 МГц; CAS Latency (CL): CL16; схема таймингов памяти: 16-18-18-38; рабочее напряжение: 1.35 В; поддержка XMP; особенности: с охлаждением (радиатор); цвет радиатора: чёрный. ... развернутьсвернуть

Модуль памяти Transcend JetRam DDR4 8Gb (1x8Gb) 2666MHz (JM2666HLB-8G) - применение: для ПК; объем памяти комплекта: 8 ГБ; количество планок в комплекте: 1 шт.; тип памяти: DDR4; тактовая частота: 2666 МГц; особенности: BULK.

Модуль пам'яті для комп'ютера DDR4 8GB 2400 MHz Aegis G.Skill (F4-2400C17S-8GIS)

Модуль памяти Kingston DDR4 SoDIMM 16Gb (1x16Gb) 2666MHz (KVR26S19D8/16) - применение: для ноутбуков; объем памяти комплекта: 16 ГБ; количество планок в комплекте: 1 шт.; форм-фактор памяти: DIMM; тип памяти: DDR4.

Модуль памяти Apacer DDR3 8Gb (1x8Gb) 1600MHz (DV.08G2K.KAM) - назначение: для настольных ПК; объем памяти: 8 ГБ; количество планок: 1; форм-фактор памяти: DIMM; тип оперативной памяти: DDR3; частота: 1600 МГц; пропускная способность: 12800 МБ/c; тайминги: CL11; буферизация: небуферизированная (Unbuffered); напряжение питания: 1.35 В.

Модуль памяти Apacer DDR4 8Gb (1x8Gb) 2666Mhz (EL.08G2V.GNH) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2666 МГц; CAS Latency (CL): CL19; рабочее напряжение: 1.2 В.

Модуль памяти Crucial CT51264BF1339 - тип: для ноутбуков; тип памяти: DDR3; объем памяти: 4ГБ; частота (пропускная способность): 1333МГц (10660МБ/с); тайминги: CL 9 (CT51264BF1339)

Модуль памяти Apacer DDR4 16Gb (1x16Gb) 2666Mhz (EL.16G2V.GNH) - назначение: для настольных ПК; объем памяти: 16 ГБ; количество планок: 1; форм-фактор памяти: DIMM; тип оперативной памяти: DDR4; частота: 2666 МГц; пропускная способность: 21300 МБ/c; тайминги: CL16; буферизация: небуферизированная (Unbuffered); напряжение питания: 1.2 В.

Модуль памяти Team Elite DDR4 8Gb (1x8Gb) 2666MHz (TED48G2666C1901) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2666 МГц; CAS-задержка: CL19; формула таймингов: 19-19-19-43; рабочее напряжение: 1.2 В.

Модуль памяти Corsair Vengeance LPX Black XMP Kit CMK8GX4M2C3000C16 - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 8ГБ; количество модулей в комплекте: 2x4ГБ; тактовая частота: 3000МГц; CAS-задержка: CL16; формула таймингов: 16-18-18-36; рабочее напряжение: 1.35В; поддержка XMP: да; особенности: с охлаждением (радиатор); цвет радиатора: чёрный (CMK8GX4M2C3000C16) ... развернутьсвернуть

Модуль памяти Corsair Vengeance RGB Pro Black Kit 2x8GB XMP - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 16ГБ; количество модулей в комплекте: 2x8ГБ; тактовая частота: 3200МГц; CAS-задержка: CL16; формула таймингов: 16-18-18-36; рабочее напряжение: 1.35В; поддержка XMP: да; особенности: подсветка, с охлаждением (радиатор); тип подсветки: регулируемая RGB; цвет радиатора: чёрный (CMW16GX4M2C3200C16) ... развернутьсвернуть

Модуль памяти Kingston KCP426SS6/4 - тип памяти: DDR4; объем памяти: 4GB; количество модулей в наборе: 1; стандарты памяти: KCP; частота памяти: 2666MHz; тайминги: CL17; напряжение: 1.2V; форм-фактор памяти: 260 Pin SoDIMM Non-ECC (KCP426SS6/4)

Модуль памяти Team Elite TED416G2666C1901 - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 16ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2666МГц; CAS-задержка: CL19; формула таймингов: 19-19-19-43; рабочее напряжение: 1.2В (TED416G2666C1901)

Модуль памяти Kingston KCP426SD8/16 - тип: DDR4 (260pin) SO-DIMM; объем: 16GB; частота: 2666MHz (PC4-2666); контроль партности: Non-ECC; буферизация: Unbuffered; напряжение: Standard (1.2V) (KCP426SD8/16)

Модуль пам'яті для комп'ютера DDR4 16GB (2x8GB) 3600 MHz Ripjaws V G.Skill (F4-3600C19D-16GVRB)

Модуль памяти Corsair Vengeance LPX Black CMK32GX4M2D3000C16 - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 32ГБ; количество модулей в комплекте: 2x16ГБ; тактовая частота: 3000МГц; CAS-задержка: CL16; формула таймингов: 16-20-20-38 (CMK32GX4M2D3000C16)

Модуль памяти eXceleram DDR4 4GB 2400MHz - тип памяти: DDR 4; объем памяти: 4GB; количество модулей в наборе: 1; стандарты памяти: PC4-19200; частота памяти: 2400MHz; тайминги: CL15; напряжение: 1.2V; форм-фактор памяти: 288-pin DIMM; non-ECC; unbuffered; без охлаждения; поставка возможна в ОЕМ-версии (E47033A)

Модуль памяти Apacer ES.08G2V.GNH - назначение: для ноутбуков; объем памяти: 8ГБ; количество планок: 1; форм-фактор памяти: So-Dimm; тип оперативной памяти: DDR4; частота, МГц: 2666; пропускная способность, МБ/c: 21300; тайминги: CL19; буферизация: небуферизированная (Unbuffered); проверка и коррекция ошибок (ECC): нет; напряжение питания, В: 1.2; радиатор охлаждения: нет (ES.08G2V.GNH) ... развернутьсвернуть

Модуль пам'яті для комп'ютера DDR4 16GB 2666 MHz AEGIS Black G.Skill (F4-2666C19S-16GIS)

Модуль памяти Samsung M471A1K43BB1-CRC - форм-фактор и тип памяти: SO-DIMM DDR4; объём памяти: 8ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400МГц; CAS-задержка: CL17; формула таймингов: 17-17-17; рабочее напряжение: 1.2В; количество ранков: 1 (M471A1K43BB1-CRC)