Оперативная память
Код товара: 360-056
Есть в наличии
Модуль памяти Hynix DDR3 SoDIMM 4GB, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: CL9, рабочее напряжение: 1.35 В (HMT451S6BFR8A-PB)
Код товара: 391-077
Есть в наличии
Модуль памяти Hynix DDR3 So-DIMM, 8GB, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: CL11, рабочее напряжение: 1.5В (HMT41GS6MFR8C-PB)
Код товара: 391-150
Есть в наличии
Модуль памяти PATRIOT DDR3, 8GB, 1600MHz, PC3-12800, CL11, 1.5V, 1 планка (PSD38G16002)
Код товара: 395-449
Есть в наличии
Модуль памяти eXceleram white Sark DDR3 4GB 1600MHz (E30300A) - объем памяти: 4 GB; тип памяти: DDR3; частота шины: 1600 MHz; латентность (тайминги): CL11 (11-11-11-27); номинальное напряжение: 1.5V; кол-во модулей в комплекте: (Kit: 1x4GB); радиатор; Unbuffered.
Код товара: 400-359
Есть в наличии
Модуль памяти Silicon Power SoDIMM DDR3 4GB 1600MHz (SP004GLSTU160N02) - 1 модуль памяти DDR3L; объем модуля 4 Гб; форм-фактор SODIMM, 204-контактный; частота 1600 МГц; CAS Latency (CL): 11.
Код товара: 392-722
Есть в наличии
Модуль памяти Silicon Power DDR3 4GB 1600MHz (SP004GLLTU160N02) - 1 модуль памяти DDR3L; объем модуля 4 Гб; форм-фактор DIMM, 240-контактный; частота 1600 МГц; CAS Latency (CL): 11.
Код товара: 392-673
Есть в наличии
Модуль памяти Silicon Power DDR3 8GB 1600MHz (SP008GLLTU160N02) - 1 модуль памяти DDR3L; объем модуля 8 Гб; форм-фактор DIMM, 240-контактный; частота 1600 МГц; CAS Latency (CL): 11.
Код товара: 435-150
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR3 4Gb 1600MHz (M378B5173EB0-YK0) - DIMM DDR3; 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; 1600 МГц; CL11; схема таймингов памяти: 11-11-11; 1.35 В; количество микросхем на планке: 8; тип микросхем: 512Mx4; упаковка микросхем: односторонняя; количество ранков: 1.
Код товара: 430-252
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR3 8GB 1600MHz (M378B1G73EB0-YK0) - DIMM DDR3; 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; 1600 МГц; CL11; схема таймингов памяти: 11-11-11; 1.35 В; количество микросхем на планке: 16; тип микросхем: 1Gx64; упаковка микросхем: двусторонняя; количество ранков: 2.
Код товара: 439-840
Есть в наличии
Модуль памяти Patriot DDR3 SoDIMM 4Gb 1600MHz (PSD34G1600L2S) - DDR3L; SODIMM 204-контактный; 1600 МГц; пропускная способность: 12800 Мб/с; 1 модуль 4 Гб; CAS Latency (CL): 11; 1.35 В; количество ранков: 2.
Код товара: 419-753
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR3 SoDIMM 4Gb 1600MHz (M471B5173DB0-YK0) - DDR3; 4 Гб; 1x4 Гб; 1600 МГц (12800 Мб/с); CL11; 1.35 В/1.5
Код товара: 448-615
Есть в наличии
Модуль памяти Hynix DDR3 8Gb (1x8Gb) 1600Mhz (HMT41GU6BFR8C-PB) - DDR3; DIMM 240-контактный; 1600 МГц; пропускная способность: 12800 Мб/с; 1 модуль 8 Гб; количество чипов каждого модуля: 16; двусторонняя упаковка; 1.5 В.
Код товара: 456-645
Есть в наличии
Модуль памяти Golden Memory DDR3 8Gb (1x8Gb) 1600MHz (GM16N11/8) - тип памяти: DDR3; объем памяти: 8 ГБ; количество модулей: 1х8 Гб; частота (пропускная способность): 1600 МГц (12800 МБ/с); питание: 1.5 В.
Код товара: 467-291
Есть в наличии
Модуль памяти eXceleram Black Kudos DDR3 8Gb (1x8Gb) 1600MHz (EKBLACK3081611LA) - тип памяти: DDR3; объем памяти: 8Gb; количество модулей в наборе: 1; стандарты памяти: PC3-12800; частота памяти: 1600MHz; тайминги: CL11; напряжение: 1.35V; форм-фактор памяти: 240-pin DIMM; проверка и коррекция ошибок
(ECC): non-ECC; буферизация: unbuffered; охлаждение: + радиатор. ... развернутьсвернуть
Код товара: 304-084
Есть в наличии
2 модуля памяти DDR3,
объем модуля 8 Гб,
форм-фактор DIMM, 240-контактный,
частота 2400 МГц,
радиатор для дополнительного охлаждения,
CAS Latency (CL): 11
Код товара: 104-281
Есть в наличии
Модуль памяти SoDIMM DDR3 4GB 1333 MHz SAMSUNG (Original), PC3-10600, CL9, 1 планка
Код товара: 133-405
Есть в наличии
Оперативная память; PC3-10666; штатные тайминги: CL9; рабочее напряжение: 1,5 В (CT51264BA1339)
Код товара: 146-113
Есть в наличии
Модуль памяти Mushkin SO-DIMM DDR3-1333, 1x8GB, PC3-10600, 9-9-9-24, 1.5V (M992020)
Код товара: 319-514
Есть в наличии
Модуль памяти DDR3 2GB 1333MHz (PC3-10600) Micron (MT16JTF25664AZ-1G4G1)
Код товара: 215-192
Есть в наличии
Модуль памяти Hynix DDR3 4GB, 1333MHz, PC3-10600, CL9, 1 планка (HMT351U6BFR8C-H9)
Код товара: 222-034
Есть в наличии
Модуль памяти DDR3 4GB 1333 MHz SAMSUNG (Original), PC3-10666, CL9, 1 планка (M378B5273DH0-CH9)
Код товара: 204-533
Есть в наличии
Модуль памяти SoDIMM DDR3 8GB 1600 MHz SAMSUNG (M471B1G73BH0-CK0)
1600 MHz, PC3-12800, 1 планка
Код товара: 257-235
Есть в наличии
Модуль памяти DDR3 4096Mb Exceleram (E30136A)
1600MHz, PC3-12800, CL9, (9-9-9-24), 1.65V
Код товара: 357-563
Есть в наличии
Модуль памяти SO-DIMM 8Gb DDR3 1600MHz Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 1.35В
Код товара: 260-531
Есть в наличии
Оперативная память Crucial 4 GB SO-DIMM DDR3 1333 MHz (CT51264BF1339J); PC3-10600; штатные тайминги: CL9; рабочее напряжение: 1,35 В
Код товара: 368-369
Есть в наличии
Модуль памяти Hynix 4GB, SO-DIMM DDR3, 1333MHz, PC3-10666, штатные тайминги: CL9, рабочее напряжение: 1,5 B (HMT351S6BFR8C-H9)
Код товара: 159-526
Есть в наличии
Модуль памяти SAMSUNG DDR3 4GB 1600 MHz (M378B5273DH0-CK0 / M378B5273CH0-CK000), PC3-12800, CL9, 1 планка
Код товара: 197-911
Есть в наличии
1 модуль памяти DDR3,
объем модуля 2 Гб,
форм-фактор SODIMM, 204-контактный,
частота 1600 МГц,
CAS Latency (CL): 11
Код товара: 200-219
Есть в наличии
1 модуль памяти DDR3,
объем модуля 4 Гб,
форм-фактор SODIMM, 204-контактный,
частота 1600 МГц,
CAS Latency (CL): 11
Код товара: 348-899
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung Semiconductor - 1 модуль памяти DDR3L,
объем модуля 8 Гб,
форм-фактор SODIMM, 204-контактный,
частота 1600 МГц,
CAS Latency (CL): 11 (M471B1G73DB0-YK0)
Доставка товаров в следующие города: Киев, Харьков, Одесса, Львов, Днепропетровск, Николаев, Полтава, Ровно, Сумы, Тернополь, Ивано-Франковск, Кировоград, Херсон, Хмельницкий, Черкассы, Чернигов, Черновцы, Винница, Луцк, Житомир, Запорожье, Ужгород.