Оперативная память

Модуль памяти Silicon Power DDR3 SO-DIMM 8Gb 1600MHz (SP008GLSTU160N02) - 1 модуль памяти DDR3; объем модуля 8 Гб; форм-фактор SO-DIMM, 204-контактный; частота 1600 МГц; CAS Latency (CL): 11.

Модуль памяти Silicon Power DDR3 4GB 1600MHz (SP004GLLTU160N02) - 1 модуль памяти DDR3L; объем модуля 4 Гб; форм-фактор DIMM, 240-контактный; частота 1600 МГц; CAS Latency (CL): 11.

Модуль памяти Silicon Power SoDIMM DDR3 4GB 1600MHz (SP004GLSTU160N02) - 1 модуль памяти DDR3L; объем модуля 4 Гб; форм-фактор SODIMM, 204-контактный; частота 1600 МГц; CAS Latency (CL): 11.

Модуль памяти eXceleram DDR4 8GB 3200MHz (E40832A) - 1 модуль памяти DDR4; объем памяти: 8 GB; частота шины: 3200 MHz; латентность (тайминги): CL16.

Модуль пам'яті для комп'ютера DDR4 32GB (2x16GB) 3200 MHz Ripjaws V G.Skill (F4-3200C16D-32GVK)

Модуль памяти Samsung DDR3 SoDIMM 4Gb 1600MHz (M471B5173DB0-YK0) - DDR3; 4 Гб; 1x4 Гб; 1600 МГц (12800 Мб/с); CL11; 1.35 В/1.5

Модуль памяти G.Skill Aegis DDR4 16GB 3000MHz (F4-3000C16D-16GISB) - DDR4; 16 ГБ; 2 x 8 ГБ; 3000 МГц; CL16; схема таймингов памяти: 16-18-18; 1.2 В; с охлаждением (радиатор); цвет радиатора: Black.

Модуль пам'яті для комп'ютера DDR4 16GB (2x8GB) 3200 MHz Ripjaws V G.Skill (F4-3200C16D-16GVKB)

Модуль памяти G.Skill Ripjaws V Gunmetal Gray DDR4 16Gb 3200MHz (F4-3200C16D-16GVGB) - DIMM DDR4; 16 ГБ; 2 х 8 ГБ; 3200 МГц; CL16; схема таймингов памяти: 16-18-18-38; 1.35 В; поддержка XMP; с охлаждением (радиатор); цвет радиатора: Gray.

Модуль памяти Golden Memory DDR3 4Gb (1x4Gb) 1600MHz (GM16LN11/4) - тип: для ПК; тип памяти: DDR3; объем памяти: 4 ГБ; количество модулей: 1х4 ГБ; частота (пропускная способность): 1600 МГц (12800 МБ/с); питание: 1.35 В.

Модуль памяти Golden Memory DDR3 SoDIMM 8Gb (1x8Gb) 1600MHz (GM16LS11/8) - форм-фактор и тип памяти: SoDIMM DDR3L; объём памяти: 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 1600 МГц; CAS Latency (CL): CL11; рабочее напряжение: 1.35 В.

Модуль памяти GoodRam DDR4 16Gb (1x16Gb) 2666MHz (GR2666D464L19/16G) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 16 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2666 МГц; CAS Latency (CL): CL19; рабочее напряжение: 1.2 В.

Модуль памяти G.Skill Trident Z RGB DDR4 16Gb (2x8Gb) 3200MHz (F4-3200C16D-16GTZR) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 16 ГБ; количество модулей в комплекте: 2 х 8 ГБ; тактовая частота: 3200 МГц; CAS Latency (CL): CL16; схема таймингов памяти: 16-18-18-38-2N; рабочее напряжение: 1.35 В; поддержка XMP; особенности: подсветка, с охлаждением (радиатор); тип подсветки: регулируемая RGB; цвет радиатора: Black. ... развернутьсвернуть

Модуль памяти Golden Memory DDR3 8Gb (1x8Gb) 1600MHz (GM16N11/8) - тип памяти: DDR3; объем памяти: 8 ГБ; количество модулей: 1х8 Гб; частота (пропускная способность): 1600 МГц (12800 МБ/с); питание: 1.5 В.

Модуль памяти eXceleram Black Kudos DDR3 16Gb (2x8Gb) 1600MHz (EKBLACK3161611LAD) - тип памяти: DDR3; объем памяти: 16Gb; количество модулей в наборе: 2; стандарты памяти: PC3-12800; частота памяти: 1600MHz; тайминги: CL11; напряжение: 1.35V; форм-фактор памяти: 240-pin DIMM; проверка и коррекция ошибок (ECC): non-ECC; буферизация: unbuffered; охлаждение: + радиатор. ... развернутьсвернуть

Модуль памяти GoodRam DDR4 SoDIMM 16Gb (1x16Gb) 2400MHz (GR2400S464L17/16G) - форм-фактор и тип памяти: SoDIMM DDR4; объём памяти: 16 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL17; рабочее напряжение: 1.2 В.

Модуль памяти Golden Memory DDR3 8Gb (1x8Gb) 1600Mhz (GM16LN11/8) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR3; объём памяти: 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 1600 МГц; рабочее напряжение: 1.35 В.

Модуль памяти Samsung DDR3 ECC 32Gb (1x32Gb) 1866MHz (M386B4G70DM0-CMA) - стандарт: DDR3; форм-фактор: DIMM; объем одного модуля: 32 ГБ; количество модулей в комплекте: 1 шт.; суммарный объем: 32 ГБ; эффективная частота: 1866 МГц; пропускная способность: 14900 Мб/с; поддержка ECC; буферизованная (регистровая); количество чипов на модуле: 36 шт.; количество контактов: 240; количество ранков: 4; CAS Latency (CL): 13; RAS to CAS Delay (tRCD): 13; Row Precharge Delay (tRP): 13; Activate to Precharge Delay (tRAS): 30; напряжение питания: 1 В; нормальная операционная температура (Tcase): 85 dgr.C; расширенная операционная температура (Tcase): 95 dgr.C; компоновка чипов на модуле: двусторонняя; аадиатор; габариты: 133.35 x 30 мм; вес брутто: 50 г. ... развернутьсвернуть

Модуль памяти Golden Memory DDR3 2Gb (1x2Gb) 1333Mhz (GM1333D3N9/2G) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR3; объём памяти: 2 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 1333 МГц; CAS Latency (CL): CL9; рабочее напряжение: 1.5 В.

Модуль памяти Golden Memory DDR3 4Gb (1x4Gb) 1333Mhz (GM1333D3N9/4G) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR3; объём памяти: 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 1333 МГц; CAS Latency (CL): CL9; рабочее напряжение: 1.5 В.

Модуль памяти Golden Memory DDR4 8Gb (1x8Gb) 2400MHz (GM24N17S8/8) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL15; рабочее напряжение: 1.2 В.

Модуль памяти GoodRam DDR4 SoDIMM 8Gb (1x8Gb) 2666MHz (GR2666S464L19S/8G) - форм-фактор и тип памяти: SoDIMM DDR4; объём памяти: 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2666 МГц; CAS Latency (CL): CL19; рабочее напряжение: 1.2 В.

Модуль памяти AMD Radeon R3 Value DDR2 2Gb (1x2Gb) 800MHz (R322G805U2S-UG) - стандарт: DDR2; форм-фактор: DIMM; объем одного модуля: 2 ГБ; количество модулей в комплекте: 1 шт.; суммарный объем: 2 ГБ; эффективная частота: 800 МГц; пропускная способность: 6400 Мб/с; количество чипов на модуле: 16 шт.; количество контактов: 240; CAS Latency (CL): 5; RAS to CAS Delay (tRCD): 5; Row Precharge Delay (tRP): 5; Activate to Precharge Delay (tRAS): 18; напряжение питания: 1.8 В; нормальная операционная температура (Tcase): 85 dgr.C; расширенная операционная температура (Tcase): 95 dgr.C; компоновка чипов на модуле: двусторонняя; вид поставки: OEM; габариты: 133.35 x 30 мм; вес брутто: 18 г. ... развернутьсвернуть

Модуль памяти AMD Radeon R7 Performance DDR4 8Gb (1x8Gb) 2666MHz (R748G2606U2S-U) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2666 МГц; рабочее напряжение: 1.2 В; количество ранков: 2.

Модуль памяти Golden Memory DDR2 SoDIMM 2Gb (1x2Gb) 800MHz (GM800D2S6/2G) - форм-фактор и тип памяти: SoDIMM DDR2; объём памяти: 2 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 800 МГц; CAS Latency (CL): CL6; рабочее напряжение: 1.8 В.

Модуль памяти G.Skill Aegis DDR4 16Gb (1x16Gb) 3000MHz (F4-3000C16S-16GISB) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 16 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 3000 МГц; CAS Latency (CL): CL16; схема таймингов памяти: 16-18-18-38; рабочее напряжение: 1.35 В; поддержка XMP; особенности: с охлаждением (радиатор); цвет радиатора: чёрный. ... развернутьсвернуть

Модуль памяти G.Skill DDR4 8Gb (1x8Gb) 2666MHz (F4-2666C19S-8GNT) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2666 МГц; CAS Latency (CL): CL19; схема таймингов памяти: 19-19-19-43; рабочее напряжение: 1.2 В; поддержка XMP.

Модуль памяти eXceleram DDR4 4Gb (1x4Gb) 2666MHz (E404269A) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 4Gb; количество модулей в наборе: 1; частота памяти: 2666MHz; тайминги: CL19; напряжение: 1.2V; форм-фактор памяти: 288-pin DIMM; проверка и коррекция ошибок (ECC): non-ECC; буферизация: unbuffered.

Модуль пам'яті для комп'ютера DDR4 8GB 2400 MHz Aegis G.Skill (F4-2400C17S-8GIS)

Модуль памяти G.Skill Aegis DDR4 32Gb (2x16Gb) 3000MHz (F4-3000C16D-32GISB) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 32 ГБ; количество модулей в комплекте: 2 х 16 ГБ; тактовая частота: 3000 МГц; CAS Latency (CL): CL16; схема таймингов памяти: 16-18-18-38; рабочее напряжение: 1.35 В; поддержка XMP; особенности: с охлаждением (радиатор); цвет радиатора: чёрный. ... развернутьсвернуть