Оперативная память

Corsair DDR5, 6400MT/s 96GB 2x48GB DIMM, Unbuffered, 32-40-40-84, Std PMIC, XMP 3.0, VENGEANCE DDR5 Black Heatspreader, 1.4V EAN: 0840006673224 (CMK96GX5M2B6400C32)

CORSAIR VENGEANCE RGB 32GB (2x16GB) DDR5 DRAM 6000MHz C40 - Black (CMH32GX5M2B6000C40)

Corsair DDR5, 6000MT/s 32GB 2x16GB DIMM, Unbuffered, 36-36-36-76, Std PMIC, AMD EXPO, VENGEANCE RGB DDR5 Cool Grey Heatspreader, Black PCB, 1.35V, EAN:0840006600114 (CMH32GX5M2D6000Z36K)

Модуль памяти Hynix HMT325U6BFR8C-H9N0 - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR3; объём памяти: 2ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 1333МГц; CAS-задержка: CL9; рабочее напряжение: 1.5В (HMT325U6BFR8C-H9N0)

1 модуль памяти DDR3, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11

Оперативна пам'ять для ноутбука SODIMM Samsung DDR3 2048Mб 1333MГц (M471B5673EH1-CF8)

Модуль памяти DDR3 2GB 1333MHz (PC3-10600) Micron (MT16JTF25664AZ-1G4G1)

Модуль памяти Samsung SO-DIMM DDR3 2Gb 1600MHz (M471B5674QH0-YK0) - DDR3; 2 Гб; 1x2 Гб; 1600 МГц (12800 Мб/с); CL11; 1.35 В / 1.5 В; вольтаж памяти зависит от партии поставки.

Модуль памяти Samsung original DDR3, 2GB, 1600MHz, PC3-12800 (M378B5773QB0-CK0)

память Hynix DDR3 1333 2Gb C9 ( HMT125U6TFR8C-H9 ) 1.5v (HMT125U6TFR8C-H9)

Модуль памяти DDR3 2G 1600Mhz SAMSUNG Original (M378B5773CH0-CK0)

Модуль памяти DDR3 2G 1600Mhz HYNIX Org (HMT325U6CFR8C-PB)

Модуль памяти Hynix SO-DIMM 2GB/1600 DDR3 (HMT425S6AFR6A-PB)

Модуль памяти Samsung SO-DIMM 2GB/1600 DDR3 (M471B5773DH0-CK0)

Пам'ять Hynix 2GB SO-DIMM DDR3L 1600 C11 1.35v (HMT425S6CFR6A-PB)

Пам'ять Hynix 2GB SO-DIMM DDR3 1066 MHz (HMT325S6BFR8C-G7)

Модуль памяти Micron DDR3 1333 2Gb C9 (MT8JTF25664AZ-1G4D1)

Оперативная память Micron DDR3 2Gb 1600MHz PC3 1Rx16 12800U CL11 (MT4JTF25664AZ-1G6E1)

Память Samsung 2GB SO-DIMM DDR3 1600MHz (M471B5773CHS-CK0)

Память Hynix 2GB DDR3 1066 MHz (HMT125U6BFR8C-G7)

CORSAIR VENGEANCE 32GB (2x16GB) DDR5 DRAM 6000MHz C40 - Black (CMK32GX5M2B6000C40)

Corsair DDR5, 6000MT/s 32GB 2x16GB DIMM, Unbuffered, 36-36-36-76, Std PMIC, AMD EXPO, VENGEANCE DDR5 Cool Grey Heatspreader, Black PCB, 1.35V, EAN:0840006698159 (CMK32GX5M2D6000Z36)

Модуль памяти Hynix DDR2 2GB, 800MHz, PC2-6400, штатные тайминги: CL6, рабочее напряжение: 1,8 В (HYMP125U64CP8-S6)

Модуль памяти Samsung Original DDR4 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (M378A5244CB0-CRC) - DIMM DDR4; 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL17; схема таймингов памяти: 17-17-17; 1.2 В; количество ранков: 1.

Модуль памяти Samsung DDR4 4Gb (1x4Gb) 2133MHz (M378A5143DB0-CPB) - форм-фактор и тип памяти: SoDIMM DDR4; объём памяти: 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL17; рабочее напряжение: 1.2 В; количество ранков: 1.

Модуль памяти Hynix DDR4-2133 4096MB PC4-17000 (HMA451U6AFR8N-TF)

Hynix 4 GB SO-DIMM DDR3 1066 MHz OEM HMT351S6CFR8C-G7 (HMT351S6CFR8C-G7)

Оперативная память Axiom 8GB SO-DIMM DDR3 1333 MHz (102464Z11D313811)

Модуль памяти Hynix DDR3 So-DIMM, 8GB, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: CL11, рабочее напряжение: 1.5В (HMT41GS6MFR8C-PB)

Модуль памяти Samsung DDR4 8Gb 2133MHz (M378A1G43EB1-CPB) - DDR4; 8 Гб; 1х8 Гб; 2133 МГц (17060 Мб/с); CL15; 1.2 В.

Модуль памяти Hynix DDR4 8GB 2133MHz (HMA41GU6AFR8N-TF) - DDR4; 8 Гб; количество модулей в комплекте: 1; 2133 МГц.

Модуль памяти Samsung DDR4 8Gb (1x8Gb) 2400MHz (M378A1K43CB2-CRC) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL15; рабочее напряжение: 1.2 В.

Модуль памяти Crucial DDR4 SoDIMM 8Gb (1x8Gb) 2666MHz (CT8G4SFS8266) - тип: оперативная память; тип памяти: DDR4; суммарный объем памяти всего комплекта: 8 ГБ; объем одного модуля памяти: 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; частота: 2666 МГц; пропускная способность: PC21300; CAS Latency (CL): 19; напряжение питания: 1.2 В.

Модуль памяти для ноутбука SAMSUNG 8GB 2666Mhz DDR4 1.2v SODIMM (M471A1K43CB1-CTD)

Модуль памяти Hynix 8Gb SO-DIMM DDR4 2400MHz 1.2 V (HMA81GS6MFR8N-UH)

MICRON 8 GB SO-DIMM DDR4 2666 MHz (MTA8ATF1G64HZ-2G6D1)

Память MICRON DDR4 2400 8Gb C17 (MTA8ATF1G64AZ-2G3B1) 1.2v (MTA8ATF1G64AZ-2G3B1)

пам'ять SO-DIMM DDR4 8GB Hynix (HMA81GS6DJR8N-VK) 2666 MHz, CL18, 1.2 V (HMA81GS6DJR8N-VK)

Модуль памяти Micron 8GB SO-DIMM DDR4 2666 MHz (MTA8ATF1G64HZ-2G6E1)

Пам'ять ноутбука Crucial DDR4 8GB 2666 (CT8G4SFRA266)

пам'ять Hynix DDR3L SO-DIMM 1866 8Gb C11 (HMT41GS6BFR8A-RD)

Samsung 8GB UDIMM DDR4-3200 PC4-3200AA 1Rx16 260-Pin (M378A1G44CB0-CWE)

Память Micron 8 GB SO-DIMM DDR4 2666 MHz (MTA8ATF1G64HZ-2G6E3)

Модуль памяти Samsung DDR3 8GB 1600MHz (M378B1G73EB0-YK0) - DIMM DDR3; 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; 1600 МГц; CL11; схема таймингов памяти: 11-11-11; 1.35 В; количество микросхем на планке: 16; тип микросхем: 1Gx64; упаковка микросхем: двусторонняя; количество ранков: 2.

Модуль памяти Micron Ballistix Sport LT White DDR4 8Gb (1x8Gb) 2400MHz (BLS8G4D240FSCK) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 8 ГБ; количество модулей: 1х8 Гб; частота (пропускная способность): 2400 МГц (19200 МБ/с); наличие радиатора: есть; тайминги: CL16; питание: 1.2 В; XMP (Xtreme Memory Profiles): есть.

Модуль памяти MICRON DDR3 1600 8Gb C11 1.5v (MT16JTF1G64AZ-1G6E1)

Оперативная память Corsair DDR5, 6000MT/s 32GB 2x16GB DIMM, Unbuffered, 30-36-36-76, Std PMIC, XMP 3.0, VENGEANCE RGB DDR5 Black Heatspreader, RGB LED, 1.4V EAN: 0840006671343 (CMH32GX5M2B6000C30)

Модуль памяти Samsung DDR4 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 2133Mhz (M471A5143DB0-CPB) - форм-фактор и тип памяти: SoDIMM DDR4; объём памяти: 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2133 МГц; CAS Latency (CL): CL17; схема таймингов памяти: 17-15-15; рабочее напряжение: 1.2 В; количество ранков: 1.

Модуль памяти Samsung Original DDR4 4Gb (1x4Gb) 2666MHz (M378A5244CB0-CTD) - тип: DDR4, DIMM, 288-контактная; объем: 16 Гб; тактовая частота: 2666 МГц; пропускная способность: 21300 Мб/с; ранки и чипы ранков: 2; напряжение питания: 1.2 В; тайминги: CL 19.

Пам'ять MICRON 4 GB DDR4 2666 MHz (MTA4ATF51264AZ-2G6E1)