Оперативная память

Модуль памяти Team Elite DDR3, 8GB, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: CL11, рабочее напряжение: 1.5В (TED3L8G1600C1101)

Модуль памяти Exceleram DDR3, 8GB, 1600MHz, PC3-12800, CL11, 1.35V, 1 планка (E30228A)

Модуль памяти Exceleram Black Sark DDR3, 16GB (2x8GB), 1600MHz, PC3-12800, CL11, 1.5V, 2 планки (E30207A)

Модуль памяти Exceleram Black Sark DDR3, 8GB, 1333MHz, PC3-10666, CL9, 1.5V, 1 планка (EG3001B)

Модуль памяти Exceleram DDR3, 8GB, 1333MHz, PC3-10666, CL9, 1.35V, 1 планка (E30226A)

Модуль памяти Exceleram SoDIMM DDR3, 8GB, 1333MHz, PC3-10666, CL9, 1.35V, 1 планка (E30214S)

Модуль памяти GoodRam DDR4 SoDIMM 8Gb (1x8Gb) 2400MHz (GR2400S464L17S/8G) - тип памяти: DDR4; форм-фактор: SoDIMM, объем памяти: 8 ГБ; количество модулей: 1x8 Гб; частота (пропускная способность): 2400 МГц (19200 МБ/с); тайминги: CL17; питание: 1.2 В.

Модуль памяти Samsung DDR4 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (M471A5244CB0-CRCD0) - назначение: для ноутбука; тип памяти: DDR4; количество модулей памяти в наборе: 1 шт.; емкость памяти: 4 Гб; максимальная рабочая частота: 2400 МГц; напряжение питания: 1.2 В; вес: 10 г.

Модуль памяти eXceleram DDR4 SoDIMM 8Gb (1x8Gb) 2400MHz (E408247S) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 8Gb; количество модулей в наборе: 1; стандарты памяти: PC4-19200; частота памяти: 2400MHz; тайминги: CL17; напряжение: 1.2V; форм-фактор памяти: 260-pin SoDIMM; проверка и коррекция ошибок (ECC): non-ECC; буферизация: unbuffered.

Модуль памяти Hynix DDR3 So-DIMM, 8GB, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: CL11, рабочее напряжение: 1.5В (HMT41GS6MFR8C-PB)

Модуль памяти PATRIOT DDR3, 8GB, 1600MHz, PC3-12800, CL11, 1.5V, 1 планка (PSD38G16002)

Модуль памяти Team Group Elite DDR3 2GB 1333MHz (TED32G1333C901) - 1 модуль памяти DDR3; объем модуля 2 Гб; форм-фактор DIMM, 240-контактный; частота 1333 МГц; CAS Latency (CL): 9.

Модуль памяти Silicon Power DDR3 SO-DIMM 8Gb 1600MHz (SP008GLSTU160N02) - 1 модуль памяти DDR3; объем модуля 8 Гб; форм-фактор SO-DIMM, 204-контактный; частота 1600 МГц; CAS Latency (CL): 11.

Модуль памяти Silicon Power DDR3 4GB 1600MHz (SP004GLLTU160N02) - 1 модуль памяти DDR3L; объем модуля 4 Гб; форм-фактор DIMM, 240-контактный; частота 1600 МГц; CAS Latency (CL): 11.

Модуль памяти CORSAIR DDR4 16GB(2x8GB) 2400Mhz Vengeance LPX Black (CMK16GX4M2A2400C14) - 2 модуля памяти DDR4; объем модуля 8 Гб; форм-фактор DIMM, 288-контактный; частота 2400 МГц; радиатор; CAS Latency (CL): 14.

Модуль памяти Golden Memory DDR3 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 1600MHz (GM16LS11/4) - тип памяти: DDR3; объем памяти: 4Gb; количество модулей в наборе: 1; стандарты памяти: PC3-12800; частота памяти: 1600 МГц; напряжение: 1.35V; проверка и коррекция ошибок (ECC): non-ECC; буферизация: unbuffered.

Модуль памяти Golden Memory DDR3 4Gb (1x4Gb) 1600MHz (GM16LN11/4) - тип: для ПК; тип памяти: DDR3; объем памяти: 4 ГБ; количество модулей: 1х4 ГБ; частота (пропускная способность): 1600 МГц (12800 МБ/с); питание: 1.35 В.

Модуль памяти eXceleram DDR4 SoDIMM 16Gb (2x8Gb) 2400MHz (E416247SD) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 16Gb; количество модулей в наборе: 2; стандарты памяти: PC4-19200; частота памяти: 2400MHz; тайминги: CL17; напряжение: 1.2V.

Модуль памяти Silicon Power SoDIMM DDR3 4GB 1600MHz (SP004GLSTU160N02) - 1 модуль памяти DDR3L; объем модуля 4 Гб; форм-фактор SODIMM, 204-контактный; частота 1600 МГц; CAS Latency (CL): 11.

Модуль памяти eXceleram DDR4 8GB 3200MHz (E40832A) - 1 модуль памяти DDR4; объем памяти: 8 GB; частота шины: 3200 MHz; латентность (тайминги): CL16.

Модуль пам'яті для комп'ютера DDR4 32GB (2x16GB) 3200 MHz Ripjaws V G.Skill (F4-3200C16D-32GVK)

Модуль памяти Samsung DDR3 SoDIMM 4Gb 1600MHz (M471B5173DB0-YK0) - DDR3; 4 Гб; 1x4 Гб; 1600 МГц (12800 Мб/с); CL11; 1.35 В/1.5

Модуль памяти GoodRam DDR4 16Gb (1x16Gb) 2666MHz (GR2666D464L19/16G) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 16 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2666 МГц; CAS Latency (CL): CL19; рабочее напряжение: 1.2 В.

Модуль памяти Golden Memory DDR3 8Gb (1x8Gb) 1600Mhz (GM16LN11/8) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR3; объём памяти: 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 1600 МГц; рабочее напряжение: 1.35 В.

Модуль памяти Golden Memory DDR3 2Gb (1x2Gb) 1333Mhz (GM1333D3N9/2G) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR3; объём памяти: 2 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 1333 МГц; CAS Latency (CL): CL9; рабочее напряжение: 1.5 В.

Модуль памяти GoodRam DDR4 SoDIMM 8Gb (1x8Gb) 2666MHz (GR2666S464L19S/8G) - форм-фактор и тип памяти: SoDIMM DDR4; объём памяти: 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2666 МГц; CAS Latency (CL): CL19; рабочее напряжение: 1.2 В.

Модуль памяти G.Skill Ripjaws V Classic Black DDR4 16Gb 3200MHz (F4-3200C16S-16GVK) - DDR4; DIMM 288-контактный; 3000 МГц; 24000 Мб/с; 1 модуль 16 Гб; CAS Latency (CL): 15; RAS to CAS Delay (tRCD): 15; Row Precharge Delay (tRP): 15; Activate to Precharge Delay (tRAS): 35; 1.35 В; радиатор.

Модуль памяти HP DDR4 ECC 8Gb 2400MHz (805347-B21) - DDR4; DIMM 288-контактный; 2400 МГц; пропускная способность: 19200 Мб/с; 1 модуль 8 Гб; поддержка ECC; буферизованная (Registered); CAS Latency (CL): 17; RAS to CAS Delay (tRCD): 17; Row Precharge Delay (tRP): 17; 1.2 В; количество ранков: 1.

Модуль памяти AMD Entertainment DDR3 4Gb 1600MHz (R534G1601U1S-U) - DIMM DDR3; 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; 1600 МГц; CL11; схема таймингов памяти: 11-11-11-28; 1.5 В.

Модуль пам'яті для комп'ютера DDR4 16GB (2x8GB) 3200 MHz Ripjaws V G.Skill (F4-3200C16D-16GVKB)

Модуль памяти G.Skill Aegis DDR4 16Gb (1x16Gb) 3000MHz (F4-3000C16S-16GISB) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 16 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 3000 МГц; CAS Latency (CL): CL16; схема таймингов памяти: 16-18-18-38; рабочее напряжение: 1.35 В; поддержка XMP; особенности: с охлаждением (радиатор); цвет радиатора: чёрный. ... развернутьсвернуть

Модуль памяти G.Skill DDR4 8Gb (1x8Gb) 2666MHz (F4-2666C19S-8GNT) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2666 МГц; CAS Latency (CL): CL19; схема таймингов памяти: 19-19-19-43; рабочее напряжение: 1.2 В; поддержка XMP.

Модуль памяти G.Skill Ripjaws V Gunmetal Gray DDR4 16Gb 3200MHz (F4-3200C16D-16GVGB) - DIMM DDR4; 16 ГБ; 2 х 8 ГБ; 3200 МГц; CL16; схема таймингов памяти: 16-18-18-38; 1.35 В; поддержка XMP; с охлаждением (радиатор); цвет радиатора: Gray.

Модуль памяти Samsung Original DDR4 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (M378A5244CB0-CRC) - DIMM DDR4; 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL17; схема таймингов памяти: 17-17-17; 1.2 В; количество ранков: 1.

Модуль памяти Golden Memory DDR3 8Gb (1x8Gb) 1600MHz (GM16N11/8) - тип памяти: DDR3; объем памяти: 8 ГБ; количество модулей: 1х8 Гб; частота (пропускная способность): 1600 МГц (12800 МБ/с); питание: 1.5 В.

Модуль памяти eXceleram Black Kudos DDR3 16Gb (2x8Gb) 1600MHz (EKBLACK3161611LAD) - тип памяти: DDR3; объем памяти: 16Gb; количество модулей в наборе: 2; стандарты памяти: PC3-12800; частота памяти: 1600MHz; тайминги: CL11; напряжение: 1.35V; форм-фактор памяти: 240-pin DIMM; проверка и коррекция ошибок (ECC): non-ECC; буферизация: unbuffered; охлаждение: + радиатор. ... развернутьсвернуть

Модуль памяти GoodRam Iridium X Black DDR4 16Gb (2x8Gb) 2666MHz (IR-X2666D464L16S/16GDC) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 16 ГБ; количество модулей в комплекте: 2 х 8 ГБ; тактовая частота: 2666 МГц; CAS Latency (CL): CL16; схема таймингов памяти: 16-18-18; рабочее напряжение: 1.2 В; особенности: с охлаждением (радиатор); цвет радиатора: чёрный. ... развернутьсвернуть

Модуль памяти GoodRam DDR4 SoDIMM 16Gb (1x16Gb) 2400MHz (GR2400S464L17/16G) - форм-фактор и тип памяти: SoDIMM DDR4; объём памяти: 16 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL17; рабочее напряжение: 1.2 В.

Модуль памяти eXceleram DDR4 4Gb (1x4Gb) 2666MHz (E404269A) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 4Gb; количество модулей в наборе: 1; частота памяти: 2666MHz; тайминги: CL19; напряжение: 1.2V; форм-фактор памяти: 288-pin DIMM; проверка и коррекция ошибок (ECC): non-ECC; буферизация: unbuffered.

Модуль памяти eXceleram DDR4 8Gb (1x8Gb) 2666MHz (E408269A) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 8Gb; количество модулей в наборе: 1; частота памяти: 2666MHz; тайминги: CL19; напряжение: 1.2V; форм-фактор памяти: 288-pin DIMM; проверка и коррекция ошибок (ECC): non-ECC; буферизация: unbuffered.

Модуль памяти G.Skill Aegis DDR4 32Gb (2x16Gb) 3000MHz (F4-3000C16D-32GISB) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 32 ГБ; количество модулей в комплекте: 2 х 16 ГБ; тактовая частота: 3000 МГц; CAS Latency (CL): CL16; схема таймингов памяти: 16-18-18-38; рабочее напряжение: 1.35 В; поддержка XMP; особенности: с охлаждением (радиатор); цвет радиатора: чёрный. ... развернутьсвернуть

Модуль памяти G.Skill Trident Z RGB DDR4 32Gb (2x16Gb) 3200MHz (F4-3200C16D-32GTZR) - объем памяти: 16 ГБ; тип памяти: DDR4 SDRAM; напряжение питания: 1.35 В; частота памяти: 3200 МГц; радиаторы на планках; охлаждение: радиатор; эффективная пропускная способность: 25600 МБ/с; количество планок: 2; схема таймингов памяти: 16-18-18-38-2N; назначение: для настольных ПК; проверка и коррекция ошибок (ECC): non-ECC; буферизация: небуферизированная (Unbuffered). ... развернутьсвернуть

Модуль памяти Samsung DDR3 ECC 32Gb (1x32Gb) 1866MHz (M386B4G70DM0-CMA) - стандарт: DDR3; форм-фактор: DIMM; объем одного модуля: 32 ГБ; количество модулей в комплекте: 1 шт.; суммарный объем: 32 ГБ; эффективная частота: 1866 МГц; пропускная способность: 14900 Мб/с; поддержка ECC; буферизованная (регистровая); количество чипов на модуле: 36 шт.; количество контактов: 240; количество ранков: 4; CAS Latency (CL): 13; RAS to CAS Delay (tRCD): 13; Row Precharge Delay (tRP): 13; Activate to Precharge Delay (tRAS): 30; напряжение питания: 1 В; нормальная операционная температура (Tcase): 85 dgr.C; расширенная операционная температура (Tcase): 95 dgr.C; компоновка чипов на модуле: двусторонняя; аадиатор; габариты: 133.35 x 30 мм; вес брутто: 50 г. ... развернутьсвернуть

Модуль памяти AMD Radeon R3 Value DDR2 2Gb (1x2Gb) 800MHz (R322G805U2S-UG) - стандарт: DDR2; форм-фактор: DIMM; объем одного модуля: 2 ГБ; количество модулей в комплекте: 1 шт.; суммарный объем: 2 ГБ; эффективная частота: 800 МГц; пропускная способность: 6400 Мб/с; количество чипов на модуле: 16 шт.; количество контактов: 240; CAS Latency (CL): 5; RAS to CAS Delay (tRCD): 5; Row Precharge Delay (tRP): 5; Activate to Precharge Delay (tRAS): 18; напряжение питания: 1.8 В; нормальная операционная температура (Tcase): 85 dgr.C; расширенная операционная температура (Tcase): 95 dgr.C; компоновка чипов на модуле: двусторонняя; вид поставки: OEM; габариты: 133.35 x 30 мм; вес брутто: 18 г. ... развернутьсвернуть

Модуль памяти AMD R538G1601S2SL-U - тип памяти: DDR3L; 1x8ГБ; частота: 1600МГц; пропускная способность: PC12800; тайминги: CAS Latency (CL): 11, RAS to CAS Delay (tRCD): 11, Row Precharge Delay (tRP): 11, Activate to Precharge Delay (tRAS): 28; количество чипов модуля: 8; напряжение питания: 1.35В (R538G1601S2SL-U)

Модуль памяти Team Elite DDR4 4Gb (1x4Gb) 2666MHz (TED44G2666C1901) - производитель: Team; тайминги: CL19; стандарт памяти: PC4-21300; частота памяти: 2666 МГц; тип оперативной памяти: DDR4; объем одного модуля: 4Gb; количество модулей в комплекте: 1; номинальное напряжение: 1.2В.

Модуль памяти Team Elite DDR4 8Gb (1x8Gb) 2666MHz (TED48G2666C1901) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2666 МГц; CAS-задержка: CL19; формула таймингов: 19-19-19-43; рабочее напряжение: 1.2 В.

Модуль памяти Team Elite TED416G2666C1901 - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 16ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2666МГц; CAS-задержка: CL19; формула таймингов: 19-19-19-43; рабочее напряжение: 1.2В (TED416G2666C1901)

Модуль памяти Corsair Vengeance LPX Black CMK32GX4M2D3000C16 - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 32ГБ; количество модулей в комплекте: 2x16ГБ; тактовая частота: 3000МГц; CAS-задержка: CL16; формула таймингов: 16-20-20-38 (CMK32GX4M2D3000C16)

Модуль пам'яті для комп'ютера DDR4 32GB (2x16GB) 3600 MHz Trident Z G.Skill (F4-3600C17D-32GTZKW)