Оперативная память Samsung

Модуль памяти Samsung DDR3 8GB 1600MHz (M378B1G73EB0-YK0) - DIMM DDR3; 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; 1600 МГц; CL11; схема таймингов памяти: 11-11-11; 1.35 В; количество микросхем на планке: 16; тип микросхем: 1Gx64; упаковка микросхем: двусторонняя; количество ранков: 2.

Модуль памяти Samsung DDR3 4Gb 1600MHz (M378B5173EB0-YK0) - DIMM DDR3; 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; 1600 МГц; CL11; схема таймингов памяти: 11-11-11; 1.35 В; количество микросхем на планке: 8; тип микросхем: 512Mx4; упаковка микросхем: односторонняя; количество ранков: 1.

Модуль памяти Samsung Original DDR4 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (M378A5244CB0-CRC) - DIMM DDR4; 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL17; схема таймингов памяти: 17-17-17; 1.2 В; количество ранков: 1.

Модуль памяти Samsung DDR3 ECC 32Gb (1x32Gb) 1866MHz (M386B4G70DM0-CMA) - стандарт: DDR3; форм-фактор: DIMM; объем одного модуля: 32 ГБ; количество модулей в комплекте: 1 шт.; суммарный объем: 32 ГБ; эффективная частота: 1866 МГц; пропускная способность: 14900 Мб/с; поддержка ECC; буферизованная (регистровая); количество чипов на модуле: 36 шт.; количество контактов: 240; количество ранков: 4; CAS Latency (CL): 13; RAS to CAS Delay (tRCD): 13; Row Precharge Delay (tRP): 13; Activate to Precharge Delay (tRAS): 30; напряжение питания: 1 В; нормальная операционная температура (Tcase): 85 dgr.C; расширенная операционная температура (Tcase): 95 dgr.C; компоновка чипов на модуле: двусторонняя; аадиатор; габариты: 133.35 x 30 мм; вес брутто: 50 г. ... развернутьсвернуть

Модуль памяти Samsung Original DDR4 16Gb (1x16Gb) 2666MHz (M378A2K43CB1-CTD) - объём памяти: 16 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота:: 2666 МГц; CAS Latency (CL): CL19; рабочее напряжение: 1.2 В; количество ранков: 2.

Модуль памяти Samsung Original DDR4 4Gb (1x4Gb) 2666MHz (M378A5244CB0-CTD) - тип: DDR4, DIMM, 288-контактная; объем: 16 Гб; тактовая частота: 2666 МГц; пропускная способность: 21300 Мб/с; ранки и чипы ранков: 2; напряжение питания: 1.2 В; тайминги: CL 19.

Модуль памяти Samsung M471B5173DBO-YKO - форм-фактор и тип памяти: SO-DIMM DDR3L; объём памяти: 4ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 1600МГц; рабочее напряжение: 1.35В; количество ранков: 1 (M471B5173DBO-YKO)

Модуль памяти Samsung M378B5173QHO-CKO - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR3; объём памяти: 4ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 1600МГц; CAS-задержка: CL11; рабочее напряжение: 1.5В (M378B5173QHO-CKO)

Модуль памяти Samsung M471A1K43BB1-CRC - форм-фактор и тип памяти: SO-DIMM DDR4; объём памяти: 8ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400МГц; CAS-задержка: CL17; формула таймингов: 17-17-17; рабочее напряжение: 1.2В; количество ранков: 1 (M471A1K43BB1-CRC)

Модуль памяти SAMSUNG 16GB DDR4 2666Mhz SODIMM (M471A2K43CB1-CTD)

SODIMM 32G DDR4 2666MHz SAMSUNG Original (M471A4G43MB1-CTD)

Модуль памяти DDR4 32GB 3200 Samsung original C22 (M378A4G43AB2-CWE)

Модуль памяти SO-DIMM DDR4 16GB 3200 Samsung C22 (M471A2K43DB1-CWE)

Модуль памяти SO-DIMM DDR4 8GB 3200 Samsung C22 (M471A1K43EB1-CWE)

3200 MHz, CL22, 1.2 V, ECC, Registered, 2Rx4

Модуль памяти Samsung 16 GB SO-DIMM DDR4 2666 MHz (M471A2K43DB1-CTD)

Модуль памяти Samsung DRAM 64GB DDR4 RDIMM 3200MHz, 1.2V, (4Gx4)x36, 2R x 4 (M393A8G40AB2-CWE)

Память Samsung 8 GB DDR4 2133 MHz - (M378A1K43BB1-CPB)

Память Samsung DDR3L-1600 8GB SO-DIMM PC3-12800 (M471B1G73BH0-YK0)

Пам'ять SO-DIMM DDR4 16GB SAMSUNG 2133 MHz, CL15, 1.2V ECC (M474A2K43BB1-CPBQ)

3200 МГц, CL22, 1.2 В, ECC, Registered, 2Rx4

Модуль пам'яті DDR5 8GB 5600 Samsung original C40 (M323R1GB4DB0-CWM)

Модуль памяти Samsung 4 GB SO-DIMM DDR3 1333 MHz (M471B5273BH1-CH9)

Оперативная память SAMSUNG 64GB DDR5 4800Mhz ECC RDIMM (M321R8GA0BB0-CQK)

Память Samsung 16 GB SO-DIMM DDR4 2400 MHz ECC (M474A2K43BB1-CRCQ)

Пам'ять SAMSUNG 2GB SO-DIMM DDR2 667 MHz (M470T5663QZ3-CE6)

Пам'ять SAMSUNG 4 GB SO-DIMM DDR3 1066 MHz (M471B5273BH1-CF8)

DDR4 8G 3200MHz SAMSUNG (SEC432N16/8)

Модуль памяти Samsung 4 GB SO-DIMM DDR3 1333 MHz (M471B5273CM0-CH9)

Память Samsung 2GB SO-DIMM DDR3 1600MHz (M471B5773CHS-CK0)