Оперативная память
Код товара: 460-246
Есть в наличии
Модуль памяти Hynix DDR4 8Gb (1x8Gb) 2400MHz (HMA81GU6AFR8N-UH) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 8 ГБ; количество модулей: 1х8 Гб; частота (пропускная способность): 2400 МГц (19200 МБ/с); тайминги: CL17; питание: 1.2 В.
Код товара: 348-899
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung Semiconductor - 1 модуль памяти DDR3L,
объем модуля 8 Гб,
форм-фактор SODIMM, 204-контактный,
частота 1600 МГц,
CAS Latency (CL): 11 (M471B1G73DB0-YK0)
Код товара: 357-563
Есть в наличии
Модуль памяти SO-DIMM 8Gb DDR3 1600MHz Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 1.35В
Код товара: 363-685
Есть в наличии
Модуль памяти Kingston DDR3 SoDIMM, 8GB, 1600MHz, PC3-12800, CL11, 1.35V, 1 планка (KVR16LS11/8G)
Код товара: 358-849
Есть в наличии
Модуль памяти GOODRAM DDR3 SO-DIMM, 4GB, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: CL11, рабочее напряжение: 1,35 В (GR1600S3V64L11/4G)
Код товара: 457-233
Есть в наличии
Модуль памяти G.Skill SoDIMM DDR4 8Gb (1x8Gb) 2400MHz (F4-2400C16S-8GRS) - тип памяти: DDR4; форм-фактор: SODIMM 260-контактный; тактовая частота: 2400 МГц; пропускная способность: 19200 Мб/с; объем: 1 модуль 8 Гб; поддержка XMP; CAS Latency (CL): 16; RAS to CAS Delay (tRCD): 16; Row Precharge Delay
(tRP): 16; Activate to Precharge Delay (tRAS): 39; напряжение питания: 1.2 В. ... развернутьсвернуть
Код товара: 456-697
Есть в наличии
Модуль памяти eXceleram DDR4 8Gb (1x8Gb) 2400MHz (E408247A) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 8Gb; количество модулей в наборе: 1; частота памяти: 2400MHz; тайминги: CL17; напряжение: 1.2V; форм-фактор памяти: 288-pin DIMM; проверка и коррекция ошибок (ECC): non-ECC; буферизация: unbuffered.
Код товара: 391-077
Есть в наличии
Модуль памяти Hynix DDR3 So-DIMM, 8GB, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: CL11, рабочее напряжение: 1.5В (HMT41GS6MFR8C-PB)
Код товара: 422-469
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR4 8Gb 2133MHz (M378A1G43EB1-CPB) - DDR4; 8 Гб; 1х8 Гб; 2133 МГц (17060 Мб/с); CL15; 1.2 В.
Код товара: 432-978
Есть в наличии
Модуль памяти Hynix DDR4 8GB 2133MHz (HMA41GU6AFR8N-TF) - DDR4; 8 Гб; количество модулей в комплекте: 1; 2133 МГц.
Код товара: 467-265
Есть в наличии
Модуль памяти eXceleram DDR4 SoDIMM 8Gb (1x8Gb) 2400MHz (E408247S) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 8Gb; количество модулей в наборе: 1; стандарты памяти: PC4-19200; частота памяти: 2400MHz; тайминги: CL17; напряжение: 1.2V; форм-фактор памяти: 260-pin SoDIMM; проверка и коррекция ошибок (ECC): non-ECC; буферизация: unbuffered.
Код товара: 307-542
Есть в наличии
1 модуль памяти DDR3,
объем модуля 8 Гб,
форм-фактор DIMM, 240-контактный,
частота 1600 МГц
Код товара: 459-543
Есть в наличии
Модуль памяти Kingston DDR4 8Gb (1x8Gb) 2666MHz (KVR26N19S8/8) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 8 ГБ; количество модулей: 1х8 Гб; частота (пропускная способность): 2666 МГц (21328 МБ/с); тайминги: CL19; питание: 1.2 В.
Код товара: 451-266
Есть в наличии
Модуль памяти GoodRAM DDR4 8Gb (1x8Gb) 2400Mhz (GR2400D464L17S/8G) - DDR4; 8 Гб; 2400 МГц; cтандарт памяти: PC4-19200; пропускная способность: 19200 мб/сек.
Код товара: 453-088
Есть в наличии
Модуль памяти NCP DDR4 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (NCPC9AUDR-24M58) - тип: DDR4, DIMM, 288-контактная; объем: 4 Гб; тактовая частота: 2400 МГц; пропускная способность: 19200 Мб/с; напряжение питания: 1.2 В; тайминги: CL 17.
Код товара: 414-919
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR4 SoDIMM 8Gb (1x8Gb) 2133MHz (M471A1G43DB0-CPB) - DDR4; 8 Гб; 1x8 Гб; 2133 МГц (17060 Мб/с); CL15; 1.2V.
Код товара: 470-013
Есть в наличии
Модуль памяти GoodRam Iridium X Black DDR4 8Gb (1x8Gb) 2666MHz (IR-X2666D464L16S/8G) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 8 ГБ; количество модулей: 1х8 Гб; частота (пропускная способность): 2666 МГц (21328 МБ/с); наличие радиатора; тайминги: CL16; питание: 1.2 В.
Код товара: 476-619
Есть в наличии
Модуль памяти Patriot DDR4 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (PSD44G240082S) - форм-фактор и тип памяти: SoDIMM DDR4; объём памяти: 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL17; схема таймингов памяти: 17-17-17-39; рабочее напряжение: 1.2 В; количество ранков: 2.
Код товара: 464-165
Есть в наличии
Модуль памяти GoodRam DDR4 SoDIMM 8Gb (1x8Gb) 2400MHz (GR2400S464L17S/8G) - тип памяти: DDR4; форм-фактор: SoDIMM, объем памяти: 8 ГБ; количество модулей: 1x8 Гб; частота (пропускная способность): 2400 МГц (19200 МБ/с); тайминги: CL17; питание: 1.2 В.
Код товара: 162-308
Есть в наличии
Модуль памяти Kingston DDR3 SO-DIMM 8GB 1333MHz, PC3-10600, рабочее напряжение: 1,5 В, для Apple iMac, MacBook Pro (KTA-MB1333/8G)
Код товара: 177-749
Есть в наличии
Оперативная память; PC3-10600; штатные тайминги: CL9; рабочее напряжение: 1,35 В (CT102464BF1339)
Код товара: 101-609
Есть в наличии
1 модуль памяти DDR,
объем модуля 128 Мб,
форм-фактор MicroDIMM, 172-контактный,
частота 266 МГц,
CAS Latency (CL): 2.5
Код товара: 405-491
Есть в наличии
Модуль памяти eXceleram DDR4 8GB 3200MHz (E40832A) - 1 модуль памяти DDR4; объем памяти: 8 GB; частота шины: 3200 MHz; латентность (тайминги): CL16.
Код товара: 410-378
Есть в наличии
Модуль памяти Patriot DDR3 SoDIMM 8Gb 1600MHz (PSD38G1600L2S) - DDR3; 8 Гб; 1x8 Гб; 1600 МГц (12800 Мб/с); CL11; 1.35 В.
Код товара: 114-013
Есть в наличии
Модуль памяти DDR3 8GB 1600 MHz Hynix (HMT41GU6MFR8C-PB N0 AA)
1600 MHz, PC3-12800, 1 планка
Код товара: 203-867
Есть в наличии
1 модуль памяти DDR3,
объем модуля 8 Гб,
форм-фактор DIMM, 240-контактный,
частота 1866 МГц,
радиатор для дополнительного охлаждения,
CAS Latency (CL): 10
Код товара: 463-600
Есть в наличии
Модуль памяти Apacer DDR3 8Gb (1x8Gb) 1600MHz (DG.08G2K.KAM) - тип памяти: DDR3; объем памяти: 8 ГБ; количество модулей: 1х8 Гб; частота (пропускная способность): 1600 МГц (12800 МБ/с); тайминги: CL11; питание: 1.35 В.
Код товара: 467-266
Есть в наличии
Модуль памяти Exceleram DDR4 SoDIMM 16Gb (1x16Gb) 2400MHz (E416247S) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 16Gb; количество модулей в наборе: 1; стандарты памяти: PC4-19200; частота памяти: 2400MHz; тайминги: CL17; напряжение: 1.2V; форм-фактор памяти: 260-pin SoDIMM; проверка и коррекция ошибок (ECC): ECC; буферизация: unbuffered.
Код товара: 456-692
Есть в наличии
Модуль памяти Micron Crucial DDR4 SoDIMM 16Gb (1x16Gb) 2133MHz (CT16G4SFD8213) - форм-фактор и тип памяти: SO-DIMM DDR4; объём памяти: 16 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2133 МГц; CAS Latency (CL): CL15; рабочее напряжение: 1.2 В; количество ранков: 2.
Код товара: 441-004
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR4 SoDIMM 16Gb (1x16Gb) 2400MHz (M471A2K43BB1-CRC) - форм-фактор и тип памяти: SoDIMM DDR4; объём памяти: 16 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL17; схема таймингов памяти: 17-17-17; рабочее напряжение: 1.2 В; количество ранков: 2.
Доставка товаров в следующие города: Киев, Харьков, Одесса, Львов, Днепропетровск, Николаев, Полтава, Ровно, Сумы, Тернополь, Ивано-Франковск, Кировоград, Херсон, Хмельницкий, Черкассы, Чернигов, Черновцы, Винница, Луцк, Житомир, Запорожье, Ужгород.