Оперативная память
Код товара: 391-846
Есть в наличии
Модуль памяти Exceleram DDR3 4GB 1333MHz, PC3-10600, штатные тайминги: 9-9-9-24, рабочее напряжение: 1.5V (E30140A)
Код товара: 437-316
Есть в наличии
Модуль памяти eXceleram DDR3 4Gb (1x4Gb) 1333MHz (E30225A) - тип памяти: DDR3; объем памяти: 4Gb; количество модулей в наборе: 1; частота памяти: 1333MHz; тайминги: CL9; напряжение: 1.35V.
Код товара: 358-852
Есть в наличии
Модуль памяти GOODRAM 4Gb SoDIMM DDR3 1600 MHz PC3-12800, штатные тайминги: CL11, рабочее напряжение: 1,35 В (GR1600S3V64L11S/4G)
Код товара: 332-606
Есть в наличии
Модуль памяти eXceleram DDR3 SO-DIMM 4GB 1600MHz CL11, 1.5V, 1 планка (E30170A)
Код товара: 309-529
Есть в наличии
Модуль памяти Silicon Power SoDIMM DDR-3, 4096Mb, DDR-1600MHz, CL11 (SP004GBSTU160N02)
Код товара: 347-524
Есть в наличии
Модуль памяти GOODRAM DDR3, 4GB, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: 11-11-11-28, рабочее напряжение: 1,5 В (GR1600D364L11S/4G)
Код товара: 104-281
Есть в наличии
Модуль памяти SoDIMM DDR3 4GB 1333 MHz SAMSUNG (Original), PC3-10600, CL9, 1 планка
Код товара: 368-369
Есть в наличии
Модуль памяти Hynix 4GB, SO-DIMM DDR3, 1333MHz, PC3-10666, штатные тайминги: CL9, рабочее напряжение: 1,5 B (HMT351S6BFR8C-H9)
Код товара: 460-247
Есть в наличии
Модуль памяти Hynix DDR4 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (HMA851U6AFR6N-UH) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 4 ГБ; количество модулей: 1х4 Гб; частота (пропускная способность): 2400 МГц (19200 МБ/с); тайминги: CL17; питание: 1.2 В.
Код товара: 239-680
Есть в наличии
Модуль памяти Patriot Signature DDR3 4Gb 1600MHz (PSD34G16002) - DIMM DDR3; 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; 1600 МГц; CL11; 1.5 В.
Код товара: 458-857
Есть в наличии
Модуль памяти Patriot DDR4 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (PSD44G240081S) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 4 ГБ; количество модулей: 1x4 Гб; частота (пропускная способность): 2400 МГц (19200 МБ/с); тайминги: CL17; питание: 1.2 В.
Код товара: 358-848
Есть в наличии
Модуль памяти GOODRAM DDR3 SoDIMM 4Gb, 1600MHz, 1.5V (GR1600S364L11S/4G)
Код товара: 386-500
Есть в наличии
Модуль памяти Exceleram SoDIMM, DDR3, 4GB, 1333MHz, PC3-10666, CL9, 1.35V, 1 планка (E30213S)
Код товара: 449-045
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung Original DDR4 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (M378A5244CB0-CRC) - DIMM DDR4; 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL17; схема таймингов памяти: 17-17-17; 1.2 В; количество ранков: 1.
Код товара: 452-859
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR4 4Gb (1x4Gb) 2133MHz (M378A5143DB0-CPB) - форм-фактор и тип памяти: SoDIMM DDR4; объём памяти: 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL17; рабочее напряжение: 1.2 В; количество ранков: 1.
Код товара: 407-592
Есть в наличии
Модуль памяти Patriot DDR4 4Gb 2400MHz (PSD44G240081) - DDR4; 4 Гб; количество модулей: 1х4 Гб; частота (пропускная способность): 2400 МГц (19200 Мб/с); CL16; 1.2 В.
Код товара: 280-218
Есть в наличии
Оперативная память; PC3-10600; штатные тайминги: 9-9-9-24; рабочее напряжение: 1,5 В (TED34G1333C901)
Код товара: 358-477
Есть в наличии
Модуль памяти Team Elite DDR3 SoDIMM 4GB 1600MHz, PC3-12800, CL11, 1.35V (TED3L4G1600C11-S01)
Код товара: 376-868
Есть в наличии
Модуль памяти Tem DDR3, 4GB, 1600MHz, PC3-12800, CL11, 1.5 В (TED3L4G1600C1101)
Код товара: 334-012
Есть в наличии
Модуль памяти GOODRAM DDR3 4GB 1333MHz, PC3-10600Mb/sec, штатные тайминги: 9-9-9-24, рабочее напряжение: 1,5 В (GR1333D364L9S/4G)
Код товара: 284-230
Есть в наличии
Модуль памяти Team Elite SoDIMM DDR3 4Gb 1600MHz (TED34G1600C11-S01) - DDR3; 4 Гб; 1x4 Гб; 1600 МГц (12800 Мб/с); CL11; 1.5 В.
Код товара: 386-502
Есть в наличии
Модуль памяти Exceleram SoDIMM, DDR3, 4GB, 1600MHz, PC3-10666, CL9, 1.35V, 1 планка (E30211S)
Код товара: 358-942
Есть в наличии
Модуль памяти SODIMM для ноутбука; DDR3; 4 GB; 1333 MHz; 10600 MB/sec; 1.5V БЛИСТЕР* (GR1333S364L9S/4G)
Код товара: 395-449
Есть в наличии
Модуль памяти eXceleram white Sark DDR3 4GB 1600MHz (E30300A) - объем памяти: 4 GB; тип памяти: DDR3; частота шины: 1600 MHz; латентность (тайминги): CL11 (11-11-11-27); номинальное напряжение: 1.5V; кол-во модулей в комплекте: (Kit: 1x4GB); радиатор; Unbuffered.
Код товара: 464-230
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR4 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (M471A5244CB0-CRCD0) - назначение: для ноутбука; тип памяти: DDR4; количество модулей памяти в наборе: 1 шт.; емкость памяти: 4 Гб; максимальная рабочая частота: 2400 МГц; напряжение питания: 1.2 В; вес: 10 г.
Код товара: 392-817
Есть в наличии
Модуль памяти GooDRAM DDR3 4GB 1600MHz (GR1600D3V64L11S/4G) - объем памяти: 4 GB; тип памяти: DDR3; частота шины: 1600 MHz; латентность (тайминги): CL11.
Код товара: 369-667
Есть в наличии
Модуль памяти Team DDR3 4GB 1600MHz PC3-12800, штатные тайминги: 11-11-11-28, рабочее напряжение: 1,5 В (TED34G1600C1101)
Код товара: 386-488
Есть в наличии
Модуль памяти Exceleram DDR3 4GB, 1600MHz, PC3-12800, CL11, 1.35V, 1 планка (E30227A)
Код товара: 446-223
Есть в наличии
Модуль памяти Micron Crucial DDR4 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (CT4G4SFS824A) - DDR4; 4 Гб; 1x4 Гб; 2400 МГц (19200 Мб/с); CL17; 1.2 В.
Код товара: 460-823
Есть в наличии
Модуль памяти Samsung DDR4 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (M471A5143EB1-CRC) - тип памяти:SoDIMM DDR4; объем памяти: 4 ГБ; количество модулей: 1x4 Гб; частота (пропускная способность): 2400 МГц (19200 МБ/с); тайминги: CL17; питание: 1.2 В; габариты: 30x3.7x69.6 мм.
Доставка товаров в следующие города: Киев, Харьков, Одесса, Львов, Днепропетровск, Николаев, Полтава, Ровно, Сумы, Тернополь, Ивано-Франковск, Кировоград, Херсон, Хмельницкий, Черкассы, Чернигов, Черновцы, Винница, Луцк, Житомир, Запорожье, Ужгород.