Оперативная память

Модуль памяти Hynix DDR4 8Gb (1x8Gb) 2400MHz (HMA81GU6AFR8N-UH) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 8 ГБ; количество модулей: 1х8 Гб; частота (пропускная способность): 2400 МГц (19200 МБ/с); тайминги: CL17; питание: 1.2 В.

Модуль памяти Hynix DDR4 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (HMA851U6AFR6N-UH) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 4 ГБ; количество модулей: 1х4 Гб; частота (пропускная способность): 2400 МГц (19200 МБ/с); тайминги: CL17; питание: 1.2 В.

Модуль памяти Hynix DDR4 4Gb (1x4Gb) 2666MHz (HMA851U6CJR6N-VKN0) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 4 ГБ; количество модулей: 1х4 Гб; частота (пропускная способность): 2666 МГц (21328 МБ/с); тайминги: CL19; питание: 1.2 В.

Модуль памяти Hynix DDR3 8Gb (1x8Gb) 1600Mhz (HMT41GU6BFR8C-PB) - DDR3; DIMM 240-контактный; 1600 МГц; пропускная способность: 12800 Мб/с; 1 модуль 8 Гб; количество чипов каждого модуля: 16; двусторонняя упаковка; 1.5 В.

Модуль памяти Hynix DDR4 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (HMA851S6CJR6N-UH) - форм-фактор и тип памяти: SoDIMM DDR4; объём памяти: 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL17; схема таймингов памяти: 17-17-17; рабочее напряжение: 1.2 В.

Модуль памяти Hynix DDR3 SoDIMM 4Gb (1x4Gb) 1600MHz (HMT351S6EFR8A-PB) - набор: 1 модуль; объем: 4 Гб; тип: DDR3 SO-DIMM; частота: 1600 МГц; PC-индекс: PC3-12800; CAS Latency: 11T; тайминги: 11-11-11; напряжение питания: 1.35 В; расположение чипов: двустороннее; число микросхем: 16; емкость микросхем: 2 Гбит; тип микросхем: 256Mx8.

Модуль памяти Hynix DDR3 4Gb (1x4Gb) 1600Mhz (HMT351U6CFR8C-PB) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR3; объём памяти: 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 1600 МГц; CAS Latency (CL): CL11; схема таймингов памяти: 11-11-11; рабочее напряжение: 1.5 В.

Модуль памяти Team Elite DDR4 8Gb (1x8Gb) 2666MHz (TED48G2666C1901) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2666 МГц; CAS-задержка: CL19; формула таймингов: 19-19-19-43; рабочее напряжение: 1.2 В.

Модуль памяти Team Elite TED416G2666C1901 - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 16ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2666МГц; CAS-задержка: CL19; формула таймингов: 19-19-19-43; рабочее напряжение: 1.2В (TED416G2666C1901)

Модуль памяти DDR4 8GB 2666MHz Hynix original C19 (HMA81GU6JJR8N-VK)

Модуль памяти DDR4 16GB 2666 Hynix original C19 (HMA82GU6CJR8N-VK)

Модуль памяти HYNIX ORIGINAL SoDIMM DDR4 16GB 2400 MHz (HMA82GS6AFR8N-UH)

Модуль памяти SK Hynix 16GB SO-DIMM DDR4 2666 MHz (HMA82GS6DJR8N-VK)

Модуль памяти SoDIMM DDR4 16GB HYNIX ORIGINAL 2666 MHz, CL19, 1.2 V (HMA82GS6CJR8N-VK)

Оперативная память Hynix SO-DIMM DDR4 8GB ORIGINAL 2666 MHz, CL19, 1.2V (HMA81GS6JJR8N-VK)

Модуль памяти Hynix 8Gb SO-DIMM DDR4 2400MHz 1.2 V (HMA81GS6MFR8N-UH)

пам'ять SK Hynix 4GB DDR3 1333MHz 1.5В (HMT351U6CFR8C-H9)

Модуль памяти Hynix 8 GB SO-DIMM DDR4 3200 MHz (HMA81GS6CJR8N-XN)

Память Hynix 8GB SO-DIMM DDR4 3200 MHz (HMAA1GS6CJR6N-XN)

пам'ять SO-DIMM DDR4 8GB Hynix (HMA81GS6DJR8N-VK) 2666 MHz, CL18, 1.2 V (HMA81GS6DJR8N-VK)

Память Hynix 16 GB SO-DIMM DDR4 3200 MHz (HMA82GS6DJR8N-XN)

Память Hynix 16 GB SO-DIMM DDR4 3200 MHz (HMAA2GS6CJR8N-XN)

Пам'ять Hynix 2GB SO-DIMM DDR3 1066 MHz (HMT325S6BFR8C-G7)

Память Hynix 32 GB SO-DIMM DDR4 3200 MHz (HMAA4GS6CJR8N-XN)

Память Hynix 16 GB SO-DIMM DDR4 3200 MHz (HMAA2GS6AJR8N-XN)

Пам'ять Hynix 16 GB DDR4 2133 MHz (HMA82GU6MFR8N-TF)

Пам'ять Hynix 4GB DDR4 2666 MHz (HMA851U6DJR6N-VK)

Память Hynix 2GB DDR3 1066 MHz (HMT125U6BFR8C-G7)

Память Hynix 4GB SO-DIMM DDR3 1066 MHz (HMT351S6AFR8C-G7)

Hynix 4 GB SO-DIMM DDR3 1066 MHz OEM HMT351S6CFR8C-G7 (HMT351S6CFR8C-G7)