Модуль памяти Hynix HMT325U6BFR8C-H9N0 - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR3; объём памяти: 2ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 1333МГц; CAS-задержка: CL9; рабочее напряжение: 1.5В (HMT325U6BFR8C-H9N0)
Модуль памяти Hynix DDR3 4Gb (1x4Gb) 1600Mhz (HMT351U6CFR8C-PB) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR3; объём памяти: 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 1600 МГц; CAS Latency (CL): CL11; схема таймингов памяти: 11-11-11; рабочее напряжение: 1.5 В.
Модуль памяти Team Elite DDR4 8Gb (1x8Gb) 2666MHz (TED48G2666C1901) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2666 МГц; CAS-задержка: CL19; формула таймингов: 19-19-19-43; рабочее напряжение: 1.2 В.
Модуль памяти Team Elite TED416G2666C1901 - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 16ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2666МГц; CAS-задержка: CL19; формула таймингов: 19-19-19-43; рабочее напряжение: 1.2В (TED416G2666C1901)
Модуль памяти Hynix DDR3L 4GB 1600 MHz - Тип памяти - DDR3, объем памяти - 4 GB, количество модулей в наборе - 1, частота памяти - 1600 MHz, тайминги - CL11, напряжение - 1.35V (HMT451U6DFR8A-PBN/HMT451U6BFR8A-PB)